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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 - 최대 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PMBT2222AMYL Nexperia USA Inc. PMBT2222AMYL 0.2700
RFQ
 ECAD 895 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMBT2222 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 340MHz
PMDXB950UPEZ Nexperia USA Inc. pmdxb950upez 0.3700
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMDXB950 MOSFET (금속 (() 265MW DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 2 p 채널 (채널) 20V 500ma 1.4ohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 2.1NC @ 4.5V 43pf @ 10V 논리 논리 게이트
1N4733A,113 Nexperia USA Inc. 1N4733A, 113 0.3900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4733 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
PMEG4030ER-QX Nexperia USA Inc. PMEG4030ER-QX 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 540 mV @ 3 a 100 µa @ 40 v 150 ° C 3A 250pf @ 1v, 1MHz
PDTC114EQBZ Nexperia USA Inc. PDTC114EQBZ 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC114 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 180MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BZX84W-B11-QX Nexperia USA Inc. BZX84W-B11-QX 0.0422
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.82% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-B11-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
PZU2.7B2L,315 Nexperia USA Inc. PZU2.7B2L, 315 0.0431
RFQ
 ECAD 6047 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 PZU2.7 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BC847BS-QF Nexperia USA Inc. BC847BS-QF 0.2900
RFQ
 ECAD 5465 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BZT52-B62X Nexperia USA Inc. BZT52-B62X 0.2400
RFQ
 ECAD 9394 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.94% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 43.4 v 62 v 140 옴
PZU24B1,115 Nexperia USA Inc. PZU24B1,115 0.0654
RFQ
 ECAD 1061 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU24 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 19 v 24 v 30 옴
PMV250EPEAR Nexperia USA Inc. pmv250epear 0.4900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV250 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 1.5A (TA) 4.5V, 10V 240mohm @ 1.3a, 10V 2.5V @ 250µA 6 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 20 v - 480MW (TA), 6.25W (TC)
BZV85-C68,113 Nexperia USA Inc. BZV85-C68,113 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C68 1.3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 50 na @ 48 v 68 v 200 옴
PDTA113ZT,215 Nexperia USA Inc. PDTA113ZT, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA113 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 35 @ 5MA, 5V 1 KOHMS 10 KOHMS
BZX8850S-C6V2YL Nexperia USA Inc. BZX8850S-C6V2YL 0.3500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 6.2 v 10 옴
BUK7Y29-40EX Nexperia USA Inc. BUK7Y29-40EX 0.3291
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y29 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 26A (TC) 10V 29mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 7.9 NC @ 10 v ± 20V 492 pf @ 25 v - 37W (TC)
PBSS2515MB,315 Nexperia USA Inc. PBSS2515MB, 315 0.3100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PBSS2515 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 15 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 25MV @ 500µA, 10MA 200 @ 10ma, 2v 420MHz
PZU3.3BA,115 Nexperia USA Inc. PZU3.3BA, 115 0.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU3.3 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
BZX84-B5V6,235 Nexperia USA Inc. BZX84-B5V6,235 0.2100
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-B5V6 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
BC846S,115 Nexperia USA Inc. BC846S, 115 0.2800
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BAS321/8X Nexperia USA Inc. BAS321/8X -
RFQ
 ECAD 2538 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-76, SOD-323 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660131115 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C (°) 250ma 2pf @ 0V, 1MHz
PDTC143EQBZ Nexperia USA Inc. PDTC143EQBZ 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC143 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V 180MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
PSMN3R5-80PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN3R5-80PS, 127 4.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn3r5 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 120A (TC) 10V 3.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 139 NC @ 10 v ± 20V 9961 pf @ 40 v - 338W (TC)
BAS116VY-QX Nexperia USA Inc. BAS116VY-QX 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 기준 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3 독립 75 v 180ma 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v 150 ° C
PSMN070-200B,118 Nexperia USA Inc. PSMN070-200B, 118 -
RFQ
 ECAD 8355 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 35A (TC) 10V 70mohm @ 17a, 10V 4V @ 1MA 77 NC @ 10 v ± 20V 4570 pf @ 25 v - 250W (TC)
PDTC124EQBZ Nexperia USA Inc. PDTC124EQBZ 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC124 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V 180MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
BC55-10PA,115 Nexperia USA Inc. BC55-10PA, 115 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn BC55 650 MW 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
PMBD353,215 Nexperia USA Inc. PMBD353,215 0.3600
RFQ
 ECAD 975 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 ° C (TJ) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBD353 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 30 MA 1pf @ 0V, 1MHz Schottky -1 1 시리즈 연결 4V -
PSMN015-100B,118 Nexperia USA Inc. PSMN015-100B, 118 2.1100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN015 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 15mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 90 NC @ 10 v ± 20V 4900 pf @ 25 v - 300W (TC)
PDTA143XMB,315 Nexperia USA Inc. PDTA143XMB, 315 0.0361
RFQ
 ECAD 5446 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xfdfn PDTA143 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934066055315 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 180MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
PMEG6020EPASX Nexperia USA Inc. PMEG6020EPASX 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-udfn n 패드 PMEG6020 Schottky DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 575 mV @ 2 a 5.5 ns 250 µa @ 60 v 150 ° C (°) 2A 250pf @ 1v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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