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불연속 불연속 제품 (9943)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PDZ11B-QX Nexperia USA Inc. PDZ11B-QX 0.0273
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, PDZ-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ11B 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 8 v 11 v 10 옴
PUMD14,115 Nexperia USA Inc. PUMD14,115 0.0519
RFQ
 ECAD 3187 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD14 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V - 47kohms -
PSMN5R6-100YSFQ Nexperia USA Inc. PSMN5R6-100YSFQ -
RFQ
 ECAD 5623 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 psmn5r6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934071218115 귀 99 8541.29.0095 1,500 -
PBSS4112PANP,115 Nexperia USA Inc. PBSS4112PANP, 115 0.5200
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 PBSS4112 510MW 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 120V 1A 100NA (ICBO) NPN, PNP 120mv @ 50ma, 500ma 60 @ 500ma, 2v 120MHz
PHPT60606PY,115 Nexperia USA Inc. PHPT60606PY, 115 -
RFQ
 ECAD 3769 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0075 1
PMG85XP,115 Nexperia USA Inc. PMG85XP, 115 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMG85 MOSFET (금속 (() 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TJ) 2.5V, 4.5V 115mohm @ 2a, 4.5v 1.15V @ 250µA 7.2 NC @ 4.5 v ± 12V 560 pf @ 10 v - 375MW (TA), 2.4W (TC)
PBSS4130PANP,115 Nexperia USA Inc. PBSS4130PANP, 115 0.5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 PBSS4130 510MW 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30V 1A 100NA (ICBO) NPN, PNP 100mv @ 50ma, 500ma 210 @ 500ma, 2V 165MHz
BZT52-C4V7X Nexperia USA Inc. BZT52-C4V7X 0.2200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 78 옴
BUK9Y53-100B,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y53-100B, 115 1.1000
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y53 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 23A (TC) 4.5V, 10V 49mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA 18 nc @ 5 v ± 15V 2130 pf @ 25 v - 75W (TC)
PBSS4140DPN-QF Nexperia USA Inc. PBSS4140DPN-QF 0.1062
RFQ
 ECAD 2614 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS4140 370MW 6TSOP - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS4140DPN-QFTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 40V 1A 100NA NPN, PNP 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V / 300 @ 100MA, 5V 150MHz
BC857B-QVL Nexperia USA Inc. BC857B-QVL 0.0163
RFQ
 ECAD 2262 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
HPZR-C75-QX Nexperia USA Inc. HPZR-C75-QX 0.4200
RFQ
 ECAD 9786 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, HPZR-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W 682 MW SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 64 v 75 v 77.38 8
BAV199-QVL Nexperia USA Inc. BAV199-QVL 0.0308
RFQ
 ECAD 2012 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV199 기준 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-BAV199-QVLTR 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 75 v 140ma 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v 150 ° C
PMEG050V150EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG050V150EPDZ 0.9900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG050 Schottky CFP15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 500 mV @ 15 a 20 ns 1 ma @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 15a 1750pf @ 1v, 1MHz
BAS70L/S500YL Nexperia USA Inc. BAS70L/S500YL 0.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BAS70L/S500YL-1727 1
PMT200EPEX Nexperia USA Inc. pmt200epex 0.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PMT200 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 p 채널 70 v 2.4A (TA) 4.5V, 10V 167mohm @ 2.4a, 10V 3V @ 250µA 15.9 NC @ 10 v ± 20V 822 pf @ 35 v - 800MW (TA)
PSMN4R8-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100BSEJ 4.6000
RFQ
 ECAD 9505 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn4r8 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 120A (TJ) 10V 4.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 278 NC @ 10 v ± 20V 14400 pf @ 50 v - 405W (TC)
BZX884-B6V8,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B6V8,315 0.3200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B6V8 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
BC856S/ZLF Nexperia USA Inc. BC856S/ZLF -
RFQ
 ECAD 4140 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000
BC806-16HVL Nexperia USA Inc. BC806-16HVL 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC806 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 80MHz
PZU6.8B2A,115 Nexperia USA Inc. PZU6.8B2A, 115 0.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU6.8 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 20 옴
BZX84-C4V3,235 Nexperia USA Inc. BZX84-C4V3,235 0.1700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C4V3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
BAV170VL Nexperia USA Inc. BAV170VL 0.2200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV170 기준 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 85 v 125MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v 150 ° C (°)
BZT52H-B24-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-B24-QX 0.0434
RFQ
 ECAD 7697 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.08% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-B24-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 30 옴
BZX84-B68,215 Nexperia USA Inc. BZX84-B68,215 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-B68 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
BC850CW/ZLF Nexperia USA Inc. BC850CW/ZLF -
RFQ
 ECAD 5076 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000
PMEG6010CEJ,115 Nexperia USA Inc. PMEG6010CEJ, 115 0.4000
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F PMEG6010 Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 660 mV @ 1 a 50 µa @ 60 v 150 ° C (°) 1A 68pf @ 1v, 1MHz
PSMN013-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-30MLC, 115 0.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) PSMN013 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 39A (TC) 4.5V, 10V 13.6MOHM @ 10A, 10V 1.95v @ 1ma 8 nc @ 10 v ± 20V 519 pf @ 15 v - 38W (TC)
MM5Z33VT5GF Nexperia USA Inc. MM5Z33VT5GF 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM5Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 80 옴
BC817-40W/ZL115 Nexperia USA Inc. BC817-40W/ZL115 0.0200
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BC817 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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