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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZX84-B2V7/DG/B4R Nexperia USA Inc. BZX84-B2V7/DG/B4R -
RFQ
 ECAD 9486 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070225215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BZX84J-B18,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-B18,115 0.3600
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-B18 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 20 옴
PZU4.7B1A115 Nexperia USA Inc. PZU4.7B1A115 0.0200
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
PSMN2R0-60ES,127 Nexperia USA Inc. PSMN2R0-60ES, 127 3.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA PSMN2R0 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 2.2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 137 NC @ 10 v ± 20V 9997 pf @ 30 v - 338W (TC)
PMEG3005EGW,118 Nexperia USA Inc. PMEG3005EGW, 118 1.0000
RFQ
 ECAD 8454 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PMEG3005 다운로드 귀 99 8541.10.0070 1
PUMD48-QZ Nexperia USA Inc. PUMD48-QZ 0.0402
RFQ
 ECAD 1081 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD48 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PUMD48-QZTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma / 100mv @ 250µa, 5mA 80 @ 5ma, 5v / 100 @ 10ma, 5V 230MHz, 180MHz 47kohms, 2.2kohms 47kohms
BZT52H-B3V3-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-B3V3-QX 0.0434
RFQ
 ECAD 3004 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.12% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-B3V3-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
BC807-16,235 Nexperia USA Inc. BC807-16,235 0.1800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 80MHz
PMEG4010BEA-QX Nexperia USA Inc. PMEG4010BEA-QX 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 640 mV @ 1 a 100 µa @ 40 v 150 ° C 1A 43pf @ 1v, 1MHz
BSS63,215 Nexperia USA Inc. BSS63,215 0.2700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS63 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 100 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 2.5ma, 25ma 30 @ 25MA, 1V 85MHz
BUK661R6-30C,118 Nexperia USA Inc. BUK661R6-30C, 118 1.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 120A (TC) 10V 1.6mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 229 NC @ 10 v ± 16V 14964 pf @ 25 v - 306W (TC)
BZX84W-C8V2-QX Nexperia USA Inc. BZX84W-C8V2-QX 0.0335
RFQ
 ECAD 8933 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-C8V2-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
BF723-QX Nexperia USA Inc. BF723-QX 0.1660
RFQ
 ECAD 3958 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BF723 1.2 w SOT-223 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BF723-QXTR 귀 99 8541.29.0075 1,000 250 v 100 MA 10NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
BC807-25HZ Nexperia USA Inc. BC807-25Hz 0.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 320 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 80MHz
BZX84J-C3V9,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-C3V9,115 0.3000
RFQ
 ECAD 8767 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-C3V9 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BAS316-QX Nexperia USA Inc. BAS316-QX 0.0171
RFQ
 ECAD 3651 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAS316 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
BZB84-B15,215 Nexperia USA Inc. BZB84-B15,215 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B15 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
BZX384-B15-QF Nexperia USA Inc. BZX384-B15-QF 0.2400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
BZX84W-C27F Nexperia USA Inc. BZX84W-C27F 0.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
BSH205G2AR Nexperia USA Inc. BSH205G2AR 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSH205 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.6A (TA) 118mohm @ 2.6a, 4.5v 900MV @ 250µA 7 NC @ 4.5 v ± 8V 421 pf @ 10 v - 610MW (TA), 10W (TC)
PSMN013-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-30YLC, 115 0.6100
RFQ
 ECAD 2803 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN013 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 32A (TC) 10V 13.6MOHM @ 10A, 10V 1.95v @ 1ma 8.3 NC @ 10 v ± 20V 521 pf @ 15 v - 26W (TC)
BUK6211-75C,118 Nexperia USA Inc. BUK6211-75C, 118 -
RFQ
 ECAD 5527 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 75 v 74A (TC) 10V 11mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 81 NC @ 10 v ± 16V 5251 pf @ 25 v - 158W (TC)
PZU3.0DB2,115 Nexperia USA Inc. PZU3.0DB2,115 -
RFQ
 ECAD 6844 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 250 MW 5-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
PDZ3.9B-QZ Nexperia USA Inc. PDZ3.9B-QZ 0.0279
RFQ
 ECAD 8609 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PDZ3.9B-QZTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
PMPB10XNX Nexperia USA Inc. pmpb10xnx 0.4400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB10 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9.5A (TA) 1.5V, 4.5V 13mohm @ 9.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 30 nc @ 4.5 v ± 8V 1761 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 12.5W (TC)
OP540/BD/C3,027 Nexperia USA Inc. OP540/BD/C3,027 0.2600
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 - 0000.00.0000 1
PUMB10,115 Nexperia USA Inc. pumb10,115 0.2900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumb10 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 100NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 180MHz 2.2kohms 47kohms
HPZR-C70X Nexperia USA Inc. HPZR-C70X 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. HPZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W 962 MW SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 60 v 70 v 76.32 2
PBHV8540T,215 Nexperia USA Inc. PBHV8540T, 215 0.4500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBHV8540 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 400 v 500 MA 100NA NPN 250mv @ 60ma, 300ma 10 @ 300ma, 10V 30MHz
BC846B/DG/B4R Nexperia USA Inc. BC846B/DG/B4R -
RFQ
 ECAD 3025 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC846X 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068354215 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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