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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | PMEG6010CEGW-QJ | 0.0587 | ![]() | 3522 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | 다운로드 | 1727-PMEG6010CEGW-QJTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 660 mV @ 1 a | 50 µa @ 60 v | 150 ° C | 1A | 60pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84-B2V7,215 | 0.2100 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-B2V7 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 20 µa @ 1 v | 2.7 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBLS4003Y-QX | 0.1055 | ![]() | 3372 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PBLS4003 | 200MW | 6-TSSOP | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-PBLS4003Y-QXTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V, 40V | 100ma, 500ma | 1µA, 100NA | 1 npn 프리 n, 1 pnp | 150MV @ 500µA, 10V / 350MV @ 50MA, 500ma | 30 @ 5ma, 5v / 200 @ 10ma, 2v | 300MHz | 10kohms | 10kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BC807-25QBH-QZ | 0.3200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, BC807QBH-Q | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 3-xdfn d 패드 | 420 MW | DFN1110D-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 160 @ 100MA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG100V060ELPEZ | 0.6400 | ![]() | 8204 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | Schottky | CFP15B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 840 mV @ 6 a | 100 na @ 100 v | - | 6A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BZX84W-C2V4-QX | 0.0335 | ![]() | 2757 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 8.33% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-BZX84W-C2V4-QXTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 µa @ 1 v | 2.4 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG100V080ELPEZ | 0.6500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | PMEG100 | Schottky | CFP15B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 850 mV @ 8 a | 10 ns | 500 NA @ 100 v | 175 ° C | 8a | 97pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
BAV99-QVL | 0.0181 | ![]() | 5651 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | bav99 | 기준 | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 연결 연결 시리즈 | 100 v | 215MA (DC) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 v | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX138AKMYL | 0.2800 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | MOSFET (금속 (() | SOT-883 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 60 v | 270MA (TA) | 2.5V, 10V | 4.2ohm @ 190ma, 10V | 1.5V @ 250µA | 0.6 nc @ 10 v | ± 20V | 15 pf @ 30 v | - | 340MW (TA), 2.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4032PD, 115 | 0.5500 | ![]() | 1966 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | PBSS4032 | 1 W. | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 30 v | 2.7 a | 100NA | PNP | 395MV @ 300MA, 3A | 200 @ 1a, 2v | 104MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PMEG10020ALRX | 0.4500 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123W | PMEG10020 | Schottky | SOD-123W | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 770 mv @ 2 a | 5 ns | 300 NA @ 100 v | 175 ° C (°) | 2A | 135pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
PMV15ENER | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6.2A (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 5.8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 15 v | - | 700MW (TA), 8.3W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS516-QF | 0.0270 | ![]() | 1088 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | 기준 | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-BAS516-QFTR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 v | 150 ° C | 250ma | 1pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMST5550-QF | 0.0447 | ![]() | 7346 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | PMST5550 | 200 MW | SOT-323 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-PMST5550-QFTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 140 v | 300 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 250mv @ 5ma, 50ma | 60 @ 10ma, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | pmpb30xpex | 0.1228 | ![]() | 5646 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | - | PMPB30 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | 8.5A (TJ) | - | - | - | +8V, -12V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR33-QF | 0.2505 | ![]() | 7875 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BSR33 | 1.35 w | SOT-89 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-BSR33-QFTR | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 100ma, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52-B8V2J | 0.2400 | ![]() | 426 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1.95% | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 590 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 10 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMZB320UPEYL | 0.5000 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | PMZB320 | MOSFET (금속 (() | DFN1006B-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | p 채널 | 30 v | 1A (TA) | 1.5V, 4.5V | 510mohm @ 1a, 4.5v | 950MV @ 250µA | 1.4 NC @ 4.5 v | ± 8V | 122 pf @ 15 v | - | 350MW (TA), 6.25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG100T120ELPE-QZ | - | ![]() | 8336 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | PMEG | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | Schottky | CFP15B | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 1727-PMEG100T120ELPE-QZ | 쓸모없는 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 840 mV @ 12 a | 28 ns | 6 µa @ 100 v | 175 ° C | 12a | 1050pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z62VT1GX | 0.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | MM3Z | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | 300MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 50 NA @ 43.4 v | 62 v | 215 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4729A, 133 | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4729 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µa @ 1 v | 3.6 v | 10 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN2R0-60PSR, 127 | 1.0000 | ![]() | 5159 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PSMN2R0 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52-B4V7-QX | 0.0438 | ![]() | 4635 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, BZT52-BQ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 590 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 2 v | 4.7 v | 78 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS116LS-QYL | 0.2700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-882 | 기준 | DFN1006BD-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 75 v | 1.25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 na @ 75 v | 150 ° C | 325MA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16VY/ZLH | - | ![]() | 9469 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BAS16 | 기준 | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 9340 698 07125 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 3 독립 | 100 v | 200MA (DC) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | pmh400onh | 0.3600 | ![]() | 9298 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | PMH400 | MOSFET (금속 (() | DFN0606-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 30 v | 900MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 460mohm @ 700ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 0.93 nc @ 4.5 v | ± 8V | 4540 pf @ 15 v | - | 360MW (TA), 2.23W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG3010BEV, 115 | - | ![]() | 1223 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | PMEG3010 | Schottky | SOT-666 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 560 mV @ 1 a | 150 µa @ 30 v | 150 ° C (°) | 1A | 70pf @ 1v, 1MHz |
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