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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
NHDTA114YTVL Nexperia USA Inc. NHDTA114YTVL 0.0274
RFQ
 ECAD 3489 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NHDTA114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 150MHz 10 KOHMS 47 Kohms
PDTC114ET/DG/B4,21 Nexperia USA Inc. PDTC114ET/DG/B4,21 -
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934066949215 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BZX84W-C39F Nexperia USA Inc. BZX84W-C39F 0.1800
RFQ
 ECAD 2962 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
PBSS5580PA,115 Nexperia USA Inc. PBSS5580PA, 115 0.5400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn PBSS5580 2.1 w 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 80 v 4 a 100NA PNP 420mv @ 200ma, 4a 140 @ 2A, 2V 110MHz
PMV48XP/MIR Nexperia USA Inc. pmv48xp/mir -
RFQ
 ECAD 8109 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068503215 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 2.4a, 4.5v 1.25V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 12V 1000 pf @ 10 v - 510MW (TA), 4.15W (TC)
BZB84-C11,215 Nexperia USA Inc. BZB84-C11,215 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-C11 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
BZX84W-B15F Nexperia USA Inc. BZX84W-B15F 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
BZX84-A24,215 Nexperia USA Inc. BZX84-A24,215 0.5100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-A24 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 700 mV 24 v 70 옴
BZX84-C3V3-QR Nexperia USA Inc. BZX84-C3V3-QR 0.0319
RFQ
 ECAD 2559 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C3V3-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
PSMN6R5-30MLDX Nexperia USA Inc. psmn6r5-30mldx -
RFQ
 ECAD 4021 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 65A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10V 2.2v @ 1ma 13.6 NC @ 10 v ± 20V 817 pf @ 15 v - 51W (TC)
BZX585-C5V6,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C5V6,115 0.2600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C5V6 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
BF820,215 Nexperia USA Inc. BF820,215 0.3800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BF820 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 50 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
PBSS306NZ,135 Nexperia USA Inc. PBSS306NZ, 135 0.6500
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBSS306 2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 100 v 5.1 a 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 255ma, 5.1a 100 @ 2a, 2v 110MHz
BZX38450-C5V1F Nexperia USA Inc. BZX38450-C5V1F 0.2300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX38450 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 5.1 v 60 옴
BUK7M6R7-40HX Nexperia USA Inc. BUK7M6R7-40HX 1.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk7m6 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 50A (TA) 10V 6.7mohm @ 20a, 10V 3.6v @ 1ma 24 nc @ 10 v +20V, -10V 1625 pf @ 25 v - 65W (TA)
MM3Z7V5T1GX Nexperia USA Inc. MM3Z7V5T1GX 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM3Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 4 v 7.5 v 10 옴
BZX384-B4V3,115 Nexperia USA Inc. BZX384-B4V3,115 0.2300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
PDTC124TT Nexperia USA Inc. PDTC124TT -
RFQ
 ECAD 1101 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BZX84-C20-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-C20-QVL 0.0250
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C20-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
BZX384-C20/DG/B3X Nexperia USA Inc. BZX384-C20/DG/B3X -
RFQ
 ECAD 6246 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934067354115 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
PSMN6R0-25YLB115 Nexperia USA Inc. PSMN6R0-25YLB115 -
RFQ
 ECAD 3509 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
BC817-40W/ZLF Nexperia USA Inc. BC817-40W/ZLF -
RFQ
 ECAD 8089 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000
BC857AQCZ Nexperia USA Inc. BC857AQCZ 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC857XQC 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC857 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 850mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
PMEG3010BEA/6X Nexperia USA Inc. PMEG3010BEA/6X -
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-76, SOD-323 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 560 mV @ 1 a 150 µa @ 30 v 150 ° C 1A 55pf @ 1v, 1MHz
BZX884S-C7V5-QYL Nexperia USA Inc. BZX884S-C7V5-QYL 0.3300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
NXV40UNR Nexperia USA Inc. NXV40UNR 0.4400
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 2.5A (TA) 1.5V, 4.5V 50mohm @ 2.5a, 4.5v 950MV @ 250µA 9 NC @ 4.5 v ± 8V 347 pf @ 10 v - 340MW (TA), 2.1W (TC)
BAS16VY-QZ Nexperia USA Inc. BAS16VY-QZ 0.0633
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS16 기준 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BAS16VY-QZTR 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3 독립 100 v 200ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C
BZX84-A3V3-QR Nexperia USA Inc. BZX84-A3V3-QR 0.1443
RFQ
 ECAD 4423 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-A3V3-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
BZX84-C22/DG/B4R Nexperia USA Inc. BZX84-C22/DG/B4R -
RFQ
 ECAD 8475 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070244215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 15.4 v 22.05 v 55 옴
BZT52-B11X Nexperia USA Inc. BZT52-B11X 0.0417
RFQ
 ECAD 6376 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.82% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 10 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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