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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PDTA124XU,115 Nexperia USA Inc. PDTA124XU, 115 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTA124 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 22 KOHMS 47 Kohms
BZX84-C27-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-C27-QVL 0.0250
RFQ
 ECAD 7861 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C27-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
NX3008CBKV,115 Nexperia USA Inc. NX3008CBKV, 115 0.4300
RFQ
 ECAD 225 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NX3008 MOSFET (금속 (() 500MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 및 p 채널 30V 400ma, 220ma 1.4ohm @ 350ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.68NC @ 4.5V 50pf @ 15V 논리 논리 게이트
PMPB16XNEAX Nexperia USA Inc. pmpb16xneax -
RFQ
 ECAD 3279 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB16 - DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070698115 귀 99 8541.29.0095 3,000 - - - - - ± 12V - -
PZU33BL,315 Nexperia USA Inc. PZU33BL, 315 0.2900
RFQ
 ECAD 6906 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 PZU33 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 25 v 33 v 40
BZT52H-B68-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-B68-QX 0.0434
RFQ
 ECAD 2824 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-B68-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 47.6 v 68 v 160 옴
BZX585-C9V1,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C9V1,115 0.3300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C9V1 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 10 옴
BZX79-C36143 Nexperia USA Inc. BZX79-C36143 -
RFQ
 ECAD 9148 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 400MW ALF2 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-BZX79-C36143-1727 1 900 mV @ 10 ma 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
BZB84-B75,215 Nexperia USA Inc. BZB84-B75,215 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B75 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 52.5 v 75 v 255 옴
BC857C/DG/B3,215 Nexperia USA Inc. BC857C/DG/B3,215 -
RFQ
 ECAD 3706 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934066603215 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BZX84-C75-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-C75-QVL 0.0250
RFQ
 ECAD 1894 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C75-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 52.15 v 74.5 v 255 옴
PMEG3010BEA,115 Nexperia USA Inc. PMEG3010BEA, 115 0.4400
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 PMEG3010 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 560 mV @ 1 a 150 µa @ 30 v 150 ° C (°) 1A 70pf @ 1v, 1MHz
PZU4.3BL,315 Nexperia USA Inc. PZU4.3BL, 315 0.2900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 PZU4.3 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
PMEG060V050EPE-QZ Nexperia USA Inc. PMEG060V050EPE-QZ 0.6100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 560 mV @ 5 a 14 ns 400 µa @ 60 v 175 ° C 5a 429pf @ 1v, 1MHz
1N4739A,113 Nexperia USA Inc. 1N4739A, 113 0.3900
RFQ
 ECAD 355 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4739 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
BZX79-B8V2,113 Nexperia USA Inc. BZX79-B8V2,113 0.2100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B8V2 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
BCX53,115 Nexperia USA Inc. BCX53,115 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX53 1.3 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
PBSS4520X,146 Nexperia USA Inc. PBSS4520X, 146 -
RFQ
 ECAD 5148 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4520 550 MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 20 v 5 a 100NA NPN 220MV @ 500MA, 5A 250 @ 2A, 2V 125MHz
BZX384-B62Z Nexperia USA Inc. BZX384-B62Z 0.2300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 na @ 43.4 v 62 v 215 옴
PSMN2R2-40BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN2R2-40BS, 118 1.3004
RFQ
 ECAD 7365 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn2r2 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 v ± 20V 8423 pf @ 20 v - 306W (TC)
RB521S30,115 Nexperia USA Inc. RB521S30,115 0.2400
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 RB521S30 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 500 mV @ 200 mA 30 µa @ 10 v 150 ° C (°) 200ma 25pf @ 1v, 1MHz
PUMD3-QF Nexperia USA Inc. PUMD3-QF 0.0402
RFQ
 ECAD 4024 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD3 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-pumd3-qftr 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz, 180MHz 10kohms 10kohms
PBSS5255PAPS Nexperia USA Inc. PBSS5255PAPS 1.0000
RFQ
 ECAD 8125 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1
PMEG060V100EPE-QZ Nexperia USA Inc. PMEG060V100EPE-QZ 0.7500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 560 mV @ 10 a 27 ns 700 µa @ 60 v 175 ° C 10A 833pf @ 1v, 1MHz
BUK98150-55/CU135 Nexperia USA Inc. BUK98150-55/CU135 -
RFQ
 ECAD 2618 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 4,000
BZX84-B7V5/DG/B4VL Nexperia USA Inc. BZX84-B7V5/DG/B4VL -
RFQ
 ECAD 5418 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070233235 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
BUK7Y1R7-40HX Nexperia USA Inc. BUK7Y1R7-40HX 3.0200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y1 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 120A (TA) 10V 1.7mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 96 NC @ 10 v +20V, -10V 6142 pf @ 25 v - 294W (TC)
BZX84W-B20-QX Nexperia USA Inc. BZX84W-B20-QX 0.0422
RFQ
 ECAD 1850 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-B20-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
PMEG4010CEJ,115 Nexperia USA Inc. PMEG4010CEJ, 115 0.3900
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F PMEG4010 Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 570 mV @ 1 a 50 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A 77pf @ 1v, 1MHz
BC817K-25VL Nexperia USA Inc. BC817K-25VL 0.0342
RFQ
 ECAD 2327 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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