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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PZU2.7B2A-QX Nexperia USA Inc. PZU2.7B2A-QX 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.78 v 100 옴
BZT52H-C6V2,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-C6V2,115 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
BC817-16,215 Nexperia USA Inc. BC817-16,215 0.1800
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
BZX585-C4V7,135 Nexperia USA Inc. BZX585-C4V7,135 0.0431
RFQ
 ECAD 3990 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C4V7 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
SZMM3Z3V3T1GX Nexperia USA Inc. szmm3z3v3t1gx 0.2700
RFQ
 ECAD 181 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
BZX79-C7V5,143 Nexperia USA Inc. BZX79-C7V5,143 0.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C7V5 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
PMEG060V100EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG060V100EPDZ 0.7700
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG060 Schottky CFP15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 560 mV @ 10 a 33 ns 700 µa @ 60 v 175 ° C (°) 10A 350pf @ 10V, 1MHz
PSMN025-100HSX Nexperia USA Inc. PSMN025-100HSX 2.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 PSMN025 MOSFET (금속 (() 68W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 100V 29.5A (TA) 24.5mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 38.1NC @ 10V 2436pf @ 25v -
BZX384-C51,115 Nexperia USA Inc. BZX384-C51,115 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
PZU6.8BA115 Nexperia USA Inc. PZU6.8BA115 1.0000
RFQ
 ECAD 2909 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BAT46WJ/ZLF Nexperia USA Inc. BAT46WJ/ZLF -
RFQ
 ECAD 5784 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070446135 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 250 mA 5.9 ns 9 µa @ 100 v 150 ° C (°) 250ma 39pf @ 0v, 1MHz
PSMN4R2-80YSEX Nexperia USA Inc. psmn4r2-80ysex 3.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 170A (TA) 10V 4.2MOHM @ 25A, 10V 3.6v @ 1ma 110 NC @ 10 v ± 20V 8000 pf @ 40 v - 294W (TA)
PMBT4401,235 Nexperia USA Inc. PMBT4401,235 0.1400
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT4401 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
HPZR-C75X Nexperia USA Inc. HPZR-C75X 0.3900
RFQ
 ECAD 5118 0.00000000 Nexperia USA Inc. HPZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W 962 MW SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 100 ma 100 na @ 64 v 75 v 77.38 8
PZU24B3A,115 Nexperia USA Inc. PZU24B3A, 115 0.3800
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU24 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 19 v 24 v 30 옴
BZX38450-C2V7X Nexperia USA Inc. BZX38450-C2V7X 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BCX19,215 Nexperia USA Inc. BCX19,215 0.2900
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX19 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 620mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
BZX84W-C39F Nexperia USA Inc. BZX84W-C39F 0.1800
RFQ
 ECAD 2962 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
PMEG2015EJ,115 Nexperia USA Inc. PMEG2015EJ, 115 0.4700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F PMEG2015 Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 660 MV @ 1.5 a 70 µa @ 20 v 150 ° C (°) 1.5A 50pf @ 1v, 1MHz
MM3Z7V5T1GX Nexperia USA Inc. MM3Z7V5T1GX 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM3Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 4 v 7.5 v 10 옴
PDTC114ET/DG/B4,21 Nexperia USA Inc. PDTC114ET/DG/B4,21 -
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934066949215 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 230MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
PMV48XP/MIR Nexperia USA Inc. pmv48xp/mir -
RFQ
 ECAD 8109 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068503215 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 2.4a, 4.5v 1.25V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 12V 1000 pf @ 10 v - 510MW (TA), 4.15W (TC)
NHDTA114YTVL Nexperia USA Inc. NHDTA114YTVL 0.0274
RFQ
 ECAD 3489 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NHDTA114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 150MHz 10 KOHMS 47 Kohms
BZX84-C27/DG/B2,23 Nexperia USA Inc. BZX84-C27/DG/B2,23 -
RFQ
 ECAD 1832 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934062551235 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
BZX79-B3V6,133 Nexperia USA Inc. BZX79-B3V6,133 0.2100
RFQ
 ECAD 341 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B3V6 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
BZX38450-C5V1F Nexperia USA Inc. BZX38450-C5V1F 0.2300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX38450 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 5.1 v 60 옴
PBSS5580PA,115 Nexperia USA Inc. PBSS5580PA, 115 0.5400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn PBSS5580 2.1 w 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 80 v 4 a 100NA PNP 420mv @ 200ma, 4a 140 @ 2A, 2V 110MHz
BC857AQCZ Nexperia USA Inc. BC857AQCZ 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC857XQC 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC857 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 850mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
PMV40UN2R Nexperia USA Inc. pmv40un2r 0.4900
RFQ
 ECAD 494 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv40un2 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 3.7A (TA) 1.8V, 4.5V 44mohm @ 3.7a, 4.5v 900MV @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 12V 635 pf @ 15 v - 490MW (TA)
PDTC124TT Nexperia USA Inc. PDTC124TT -
RFQ
 ECAD 1101 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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