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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BC846A/SNVL Nexperia USA Inc. BC846A/SNVL -
RFQ
 ECAD 3453 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC846X 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660337235 귀 99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BSN20,215 Nexperia USA Inc. BSN20,215 -
RFQ
 ECAD 3309 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 173MA (TA) 5V, 10V 15ohm @ 100ma, 10V 1V @ 1mA ± 20V 25 pf @ 10 v - 830MW (TC)
PUMD12,115 Nexperia USA Inc. PUMD12,115 0.2900
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD12 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 230MHz, 180MHz 47kohms 47kohms
BZB84-B51,215 Nexperia USA Inc. BZB84-B51,215 0.0531
RFQ
 ECAD 5245 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B51 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
BZX79-B15,143 Nexperia USA Inc. BZX79-B15,143 0.0321
RFQ
 ECAD 7146 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B15 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 933166910143 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
BZT52-C4V7X Nexperia USA Inc. BZT52-C4V7X 0.2200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 78 옴
BZX79-C10,133 Nexperia USA Inc. BZX79-C10,133 0.1600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C10 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
BZX585-C18,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C18,115 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C18 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
BZV55-C5V6,135 Nexperia USA Inc. BZV55-C5V6,135 0.2100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C5V6 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
BUK6Y10-30PX Nexperia USA Inc. buk6y10-30px 1.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk6y10 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 30 v 80A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 13.5a, 10V 3V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 2360 pf @ 15 v - 110W (TA)
PMLL4153,115 Nexperia USA Inc. PMLL4153,115 0.2000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 PMLL4153 기준 llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 50 v 880 mV @ 50 mA 4 ns 50 Na @ 50 v 200 ° C (() 200ma 2pf @ 0V, 1MHz
PH1330AL,115 Nexperia USA Inc. ph1330al, 115 -
RFQ
 ECAD 3712 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK PH1330 MOSFET (금속 (() LFPAK56; Power-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934064142115 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 1.3mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 100 nc @ 10 v 6227 pf @ 12 v - -
BUK762R0-40E,118 Nexperia USA Inc. BUK762R0-40E, 118 -
RFQ
 ECAD 1005 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 109.2 NC @ 10 v ± 20V 8500 pf @ 25 v - 293W (TC)
PDTA144ET Nexperia USA Inc. PDTA144ET -
RFQ
 ECAD 8052 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BZX384-B7V5,115 Nexperia USA Inc. BZX384-B7V5,115 0.2300
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
BUK9840-55/CUX Nexperia USA Inc. BUK9840-55/CUX -
RFQ
 ECAD 2336 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 5A (TA), 10.7A (TC) 5V 40mohm @ 5a, 5V 2V @ 1mA ± 10V 1400 pf @ 25 v - 8.3W (TC)
BCX56-10TX Nexperia USA Inc. BCX56-10TX 0.4000
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX56 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 155MHz
PSMN2R5-30YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R5-30YL, 115 1.1700
RFQ
 ECAD 2186 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn2r5 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 57 NC @ 10 v ± 20V 3468 pf @ 12 v - 88W (TC)
PMEG4010CEJ-QX Nexperia USA Inc. PMEG4010CEJ-QX 0.0925
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PMEG4010CEJ-QXTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 570 mV @ 1 a 50 µa @ 40 v 150 ° C 1A 69pf @ 1v, 1MHz
MM3Z3V6T1GX Nexperia USA Inc. MM3Z3V6T1GX 0.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM3Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
BC856AW-QX Nexperia USA Inc. BC856AW-QX 0.0322
RFQ
 ECAD 3679 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC856 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1727-BC856AW-QXTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
PDZ12B,115 Nexperia USA Inc. PDZ12B, 115 0.2100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ12 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 9 v 12 v 10 옴
BAT854AW-QX Nexperia USA Inc. BAT854AW-QX 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAT854 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 40 v 200MA (DC) 550 mV @ 100 ma 500 na @ 25 v 150 ° C
BAS716,115 Nexperia USA Inc. BAS716,115 0.3000
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 BAS716 기준 SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v 150 ° C (°) 200ma 2pf @ 0V, 1MHz
PEMZ1,115 Nexperia USA Inc. PEMZ1,115 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMZ1 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 40V 100ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 200mv @ 5ma, 50ma 120 @ 1ma, 6V 100MHz
BCX56-10,135 Nexperia USA Inc. BCX56-10,135 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX56 1.25 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BC69-16PASX Nexperia USA Inc. BC69-16PASX 0.1038
RFQ
 ECAD 6388 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC69 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 200ma, 2a 85 @ 500ma, 1V 140MHz
BAT46WJF Nexperia USA Inc. BAT46WJF 0.3600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F BAT46 Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 250 mA 5.9 ns 9 µa @ 100 v 150 ° C (°) 250ma 21pf @ 0V, 1MHz
PUMH15-QX Nexperia USA Inc. PUMH15-QX 0.0544
RFQ
 ECAD 8064 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMH15 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-pumh15-qxtr 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V 230MHz 4.7kohms 4.7kohms
PHPT61003PY,115 Nexperia USA Inc. PHPT61003PY, 115 1.0000
RFQ
 ECAD 4426 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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