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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 전류에 전류에 된 결합 결합 - 리버스 누출 @ vr 전압에 전압에 - 결합 (vf) (max) @ if
NX3008NBKS,115 Nexperia USA Inc. NX3008NBKS, 115 0.5000
RFQ
 ECAD 937 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NX3008 MOSFET (금속 (() 445MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 350ma 1.4ohm @ 350ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.68NC @ 4.5V 50pf @ 15V 논리 논리 게이트
PMBTA13,215 Nexperia USA Inc. PMBTA13,215 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBTA13 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 125MHz
PBSS4041PZ,115 Nexperia USA Inc. PBSS4041PZ, 115 0.8100
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBSS4041 2.6 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 5.7 a 100NA PNP 285MV @ 300MA, 6A 200 @ 2a, 2v 110MHz
NZX24A,133 Nexperia USA Inc. NZX24A, 133 0.0263
RFQ
 ECAD 4306 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX24 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934062002133 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 50 NA @ 16.8 v 23.45 v 70 옴
BZX84J-C27,135 Nexperia USA Inc. BZX84J-C27,135 0.2400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-C27 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 40
BUK7D25-40EX Nexperia USA Inc. BUK7D25-40EX 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 buk7d25 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 8A (TA) 10V 25mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 460 pf @ 20 v - 15W (TC)
BUK7Y59-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y59-60E, 115 -
RFQ
 ECAD 3962 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PMEG4010EPK/HWYL Nexperia USA Inc. PMEG4010EPK/HWYL -
RFQ
 ECAD 1256 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-PMEG4010EPK/HWYL-1727 1
PEMB18,115 Nexperia USA Inc. PEMB18,115 -
RFQ
 ECAD 6519 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMB18 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V - 4.7kohms 10kohms
2PD601ART-QR Nexperia USA Inc. 2pd601art-qr 0.0336
RFQ
 ECAD 2562 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-2pd601art-qrtr 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 10NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 210 @ 2MA, 10V 100MHz
BC856,215 Nexperia USA Inc. BC856,215 0.1400
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BZV85-C4V7,113 Nexperia USA Inc. BZV85-C4V7,113 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C4V7 1.3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 3 µa @ 1 v 4.7 v 13 옴
BUK9Y25-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y25-60E, 115 0.9800
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y25 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 34A (TC) 5V 21.5mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 12 nc @ 5 v ± 10V 1500 pf @ 25 v - 65W (TC)
PDTD123YUF Nexperia USA Inc. PDTD123YUF 0.0503
RFQ
 ECAD 1299 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTD123 300MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068343135 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 225 MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
PUMD4-QX Nexperia USA Inc. PUMD4-QX 0.0544
RFQ
 ECAD 7065 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD4 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-pumd4-qxtr 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V - 10kohms -
PMEG100T50ELP-QX Nexperia USA Inc. PMEG100T50ELP-QX 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 895 MV @ 5 a 12.5 ns 1.75 µa @ 100 v 175 ° C 5a 300pf @ 1v, 1MHz
PBLS2001D,115 Nexperia USA Inc. PBLS2001D, 115 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBLS2001 600MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V, 20V 100ma, 1a 1µA, 100NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 150mv @ 500µa, 10ma / 280mv @ 100ma, 1a 30 @ 20ma, 5v / 220 @ 500ma, 2v 185MHz 2.2kohms 2.2kohms
BZX79-C33,143 Nexperia USA Inc. BZX79-C33,143 0.0258
RFQ
 ECAD 9363 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C33 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 700 mV 33 v 80 옴
PXT4401,115 Nexperia USA Inc. PXT4401,115 0.4200
RFQ
 ECAD 730 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PXT4401 1.1 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
BC806-16HR Nexperia USA Inc. BC806-16HR 0.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC806 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 80MHz
BZX79-C43,143 Nexperia USA Inc. BZX79-C43,143 0.0258
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C43 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 933117940143 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 700 mV 43 v 150 옴
BZT52-B20X Nexperia USA Inc. BZT52-B20X 0.0417
RFQ
 ECAD 9049 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934071178115 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 14 v 20 v 20 옴
BAS40,235 Nexperia USA Inc. BAS40,235 0.2500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 v @ 40 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C (°) 120ma 5pf @ 0V, 1MHz
PIMH9,115 Nexperia USA Inc. PIMH9,115 0.3700
RFQ
 ECAD 7060 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 PIMH9 600MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V - 10kohms 47kohms
NZX6V2D,133 Nexperia USA Inc. NZX6V2D, 133 0.0258
RFQ
 ECAD 6577 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX6V2 ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934062035133 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 3 4 200
PMEG2010ET,215 Nexperia USA Inc. PMEG2010ET, 215 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMEG2010 Schottky TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 20 v 150 ° C (°) 1A 80pf @ 1v, 1MHz
PMEG4005AEA,115 Nexperia USA Inc. PMEG4005AEA, 115 0.4400
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 PMEG4005 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 470 mV @ 500 mA 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 500ma 50pf @ 1v, 1MHz
2PB709ARL,235 Nexperia USA Inc. 2PB709ARL, 235 0.1800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2PB709 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 100 MA 10NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 210 @ 2MA, 10V 70MHz
BC847BM,315 Nexperia USA Inc. BC847BM, 315 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BC847 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BAV99W/MIX Nexperia USA Inc. bav99W/9 -
RFQ
 ECAD 1149 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BAV99 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 bav99 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068908115 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 100 v 150MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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