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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BC856,215 Nexperia USA Inc. BC856,215 0.1400
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
PZU10B1,115 Nexperia USA Inc. PZU10B1,115 0.0654
RFQ
 ECAD 1942 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU10 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 7 v 10 v 10 옴
BZX884S-C22YL Nexperia USA Inc. BZX884S-C22YL -
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5.67% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 15.4 v 22.05 v 55 옴
BZX585-B11,115 Nexperia USA Inc. BZX585-B11,115 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-B11 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 8 v 11 v 10 옴
NHDTA124ETVL Nexperia USA Inc. NHDTA124ETVL 0.2200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NHDTA124 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 70 @ 10ma, 5V 150MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
NHUMD2F Nexperia USA Inc. nhumd2f 0.3900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumd2 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100mv @ 500µa, 10ma 70 @ 10ma, 5V 170MHz, 150MHz 22kohms 22kohms
PBHV8515QAZ Nexperia USA Inc. PBHV8515QAZ 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 PBHV8515 325 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 150 v 500 MA 100NA NPN 60mv @ 5ma, 50ma 100 @ 200ma, 10V 75MHz
PMEG4005CEJX Nexperia USA Inc. PMEG4005CEJX 0.4400
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F PMEG4005 Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 640 mV @ 500 mA 1.8 ns 8 µa @ 40 v 150 ° C (°) 500ma 24pf @ 1v, 1MHz
PXP020-20QXJ Nexperia USA Inc. PXP020-20QXJ 0.5500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TA), 23.5A (TC) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 7.7a, 4.5v 1.25V @ 250µA 29.1 NC @ 4.5 v ± 12V 1900 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 15W (TC)
BZX585-B2V4,135 Nexperia USA Inc. BZX585-B2V4,135 0.0496
RFQ
 ECAD 5871 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-B2V4 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
BZT52-B3V3,115 Nexperia USA Inc. BZT52-B3V3,115 0.0200
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
BZX585-C36,135 Nexperia USA Inc. BZX585-C36,135 1.0000
RFQ
 ECAD 4629 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
BZX84-C15,215 Nexperia USA Inc. BZX84-C15,215 0.1600
RFQ
 ECAD 348 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C15 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
BUK98180-100A/CUX Nexperia USA Inc. BUK98180-100A/CUX 0.6300
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BUK98180 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 4.6A (TC) 4.5V, 10V 173mohm @ 5a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 619 pf @ 25 v - 8W (TC)
PMEG6002ELDYL Nexperia USA Inc. PMEG6002ELDYL 0.3800
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 2-xdfn PMEG6002 Schottky DFN1006D-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 60 v 600 mv @ 200 ma 4.5 ns 100 µa @ 60 v 150 ° C (°) 200ma 20pf @ 1v, 1MHz
PMEG10020AELPX Nexperia USA Inc. PMEG10020ALEALPX 0.5400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 PMEG10020 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 mv @ 2 a 5 ns 300 NA @ 100 v 175 ° C (°) 2A 135pf @ 1v, 1MHz
PDTC144VMB,315 Nexperia USA Inc. PDTC144VMB, 315 0.2800
RFQ
 ECAD 7940 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xfdfn PDTC144 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 40 @ 5MA, 5V 230MHz 47 Kohms 10 KOHMS
BZT52-C3V3J Nexperia USA Inc. BZT52-C3V3J 0.2200
RFQ
 ECAD 5293 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.1% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
2PB1219AR,135 Nexperia USA Inc. 2PB1219AR, 135 0.0377
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2PB1219 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 30ma, 300ma 120 @ 150ma, 10V 120MHz
PMEG6030EP,115 Nexperia USA Inc. PMEG6030EP, 115 0.5600
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 PMEG6030 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 530 mV @ 3 a 200 µa @ 60 v 150 ° C (°) 3A 360pf @ 1v, 1MHz
MM5Z6V8T5GF Nexperia USA Inc. MM5Z6V8T5GF 0.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM5Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
BUK964R7-80E,118 Nexperia USA Inc. BUK964R7-80E, 118 3.4900
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK964 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 120A (TC) 5V 4.5mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 92.1 NC @ 5 v ± 10V 15340 pf @ 25 v - 324W (TC)
BUK9508-55B,127 Nexperia USA Inc. BUK9508-55B, 127 -
RFQ
 ECAD 5619 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 45 NC @ 5 v ± 15V 5280 pf @ 25 v - 203W (TC)
BAV70SRAZ Nexperia USA Inc. bav70sraz 0.3900
RFQ
 ECAD 245 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 bav70 기준 DFN1412-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 음극 음극 공통 100 v 355MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
BZT52-B47X Nexperia USA Inc. BZT52-B47X 0.0417
RFQ
 ECAD 1329 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.91% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934071167115 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 32.9 v 47 v 90 옴
BZX84J-B3V0,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-B3V0,115 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-B3V0 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
BC846B/SNR Nexperia USA Inc. BC846B/SNR -
RFQ
 ECAD 9630 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC846X 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660338215 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BZT52-C7V5,115 Nexperia USA Inc. BZT52-C7V5,115 0.0200
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
PSMP033-60YEX Nexperia USA Inc. PSMP033-60YEX 1.1900
RFQ
 ECAD 1728 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMP033 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 60 v 30A (TA) 4.5V, 10V 33mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 20V 2590 pf @ 30 v - 110W (TA)
PMZB550UNE/S500YL Nexperia USA Inc. PMZB550UN/S500YL 0.0500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 - 2156-PMZB550UN/S500YL 7,400 n 채널 30 v 590MA (TA) 1.5V, 4.5V 670mohm @ 590ma, 4.5v 0.95V @ 250µA 1.1 NC @ 4.5 v ± 8V 30.3 pf @ 15 v - 310MW (TA), 1.67W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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