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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PMEG10030ELPX Nexperia USA Inc. PMEG10030ELPX 0.5800
RFQ
 ECAD 384 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 PMEG10030 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 MV @ 3 a 8 ns 450 na @ 100 v 175 ° C (°) 3A 200pf @ 1v, 1MHz
PDTC124TMB,315 Nexperia USA Inc. PDTC124TMB, 315 0.0361
RFQ
 ECAD 8133 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xfdfn PDTC124 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934066527315 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V 230MHz 22 KOHMS
PMEG6010ELRX Nexperia USA Inc. PMEG6010ELRX 0.4600
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W PMEG6010 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 660 mV @ 1 a 4.5 ns 300 NA @ 60 v 150 ° C (°) 1A 110pf @ 1v, 1MHz
PHPT61010PYX Nexperia USA Inc. phpt61010pyx 0.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PHPT61010 1.5 w LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500 100 v 10 a 100NA PNP 800mv @ 1a, 10a 180 @ 500ma, 2V 90MHz
BZX84J-C51,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-C51,115 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-C51 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 110 옴
PMEG045T030EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG045T030EPDZ 0.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG045 Schottky CFP15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 420 MV @ 3 a 24 ns 44 µa @ 45 v 175 ° C (°) 3A 830pf @ 1v, 1MHz
BCX52TF Nexperia USA Inc. BCX52TF 0.4000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX52 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V -
PZU4.7B1A-QX Nexperia USA Inc. PZU4.7B1A-QX 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 1 v 4.52 v 80 옴
PDTC123YT,215 Nexperia USA Inc. PDTC123YT, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 35 @ 5MA, 5V 2.2 Kohms 10 KOHMS
BZV55-C3V3,115 Nexperia USA Inc. BZV55-C3V3,115 0.2100
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C3V3 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
PDTB114EUF Nexperia USA Inc. PDTB114EUF 0.0503
RFQ
 ECAD 8295 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTB114 300MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068339135 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 140MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BAS16VY,115 Nexperia USA Inc. BAS16VY, 115 0.3900
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS16 기준 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 3 독립 100 v 200MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX384-B2V7,115 Nexperia USA Inc. BZX384-B2V7,115 0.2400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
PDTA143ZM,315 Nexperia USA Inc. PDTA143ZM, 315 0.3000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTA143 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 4.7 Kohms 47 Kohms
PSMN3R5-25MLDX Nexperia USA Inc. psmn3r5-25mldx 0.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn3r5 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 70A (TC) 4.5V, 10V 3.72mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 18.9 NC @ 10 v ± 20V 1334 pf @ 12 v Schottky Diode (Body) 65W (TC)
PMEG4002EB,115 Nexperia USA Inc. PMEG4002EB, 115 0.4300
RFQ
 ECAD 202 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 PMEG4002 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 600 mv @ 200 ma 500 na @ 25 v 150 ° C (°) 200ma 20pf @ 1v, 1MHz
BC807RA147 Nexperia USA Inc. BC807RA147 0.0400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 5,000
BZX84-C51-QR Nexperia USA Inc. BZX84-C51-QR 0.0319
RFQ
 ECAD 1324 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C51-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
BC856AQBZ Nexperia USA Inc. BC856AQBZ 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC856XQB 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC856 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
PMBS3904,215 Nexperia USA Inc. PMBS3904,215 0.1300
RFQ
 ECAD 106 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBS3904 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 100 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 180MHz
NHUMB1F Nexperia USA Inc. nhumb1f 0.3900
RFQ
 ECAD 3486 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumb1 235MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80V 100ma 100NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 70 @ 10ma, 5V 150MHz 22kohms 22kohms
BZX84-B7V5/DG/B3:2 Nexperia USA Inc. BZX84-B7V5/DG/B3 : 2 -
RFQ
 ECAD 7335 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065245235 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
PDTA115ET,215 Nexperia USA Inc. PDTA115ET, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA115 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 20 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 80 @ 5ma, 5V 100 KOHMS 100 KOHMS
PSMN1R1-30YLEX Nexperia USA Inc. PSMN1R1-30YLEX 2.4200
RFQ
 ECAD 1692 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 265A (TA) 7V, 10V 1.26mohm @ 25a, 10V 2.2V @ 2MA 102 NC @ 10 v ± 20V 6317 pf @ 15 v - 192W (TA)
BZX8850S-C5V6-QYL Nexperia USA Inc. BZX8850S-C5V6-QYL 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX8850S-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-882 BZX8850S 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 5.6 v 40
PDZ30B-QZ Nexperia USA Inc. PDZ30B-QZ 0.0279
RFQ
 ECAD 9774 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PDZ30B-QZTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 23 v 30 v 40
PZU24B,115 Nexperia USA Inc. PZU24B, 115 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU24 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 19 v 24 v 30 옴
BUK9Y2R4-40H,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y2R4-40H, 115 -
RFQ
 ECAD 3384 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BZX84J-B10,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-B10,115 0.3600
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-B10 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 200 na @ 7 v 10 v 10 옴
BUK9875-100A/CUX Nexperia USA Inc. BUK9875-100A/CUX 0.8900
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BUK9875 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 7A (TC) 4.5V, 10V 72mohm @ 8a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 1690 pf @ 25 v - 8W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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