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불연속 불연속 제품 (9943)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
1N4749A,113 Nexperia USA Inc. 1N4749A, 113 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4749 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 18.2 v 24 v 25 옴
BC856W,115 Nexperia USA Inc. BC856W, 115 0.1700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC856 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BZX84-A3V6 Nexperia USA Inc. BZX84-A3V6 -
RFQ
 ECAD 9997 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PDTC143ZT,235 Nexperia USA Inc. PDTC143ZT, 235 0.1700
RFQ
 ECAD 194 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC143 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 230MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
BZX84W-C16F Nexperia USA Inc. BZX84W-C16F 0.0245
RFQ
 ECAD 3418 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
PSMN5R0-80BS118 Nexperia USA Inc. PSMN5R0-80BS118 -
RFQ
 ECAD 6301 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
BCW68FVL Nexperia USA Inc. BCW68FVL 0.2000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW68 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 800 MA 5µA (ICBO) PNP 450MV @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 1V 80MHz
BZX884-B68,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B68,315 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B68 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
PH3030AL,115 Nexperia USA Inc. ph3030al, 115 -
RFQ
 ECAD 7243 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 SC-100, SOT-669 pH3030 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934063085115 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 3MOHM @ 15A, 10V 2.15v @ 1ma 45.8 nc @ 10 v 2822 pf @ 12 v - -
PMPB100XPEAX Nexperia USA Inc. PMPB100XPEAX 0.4100
RFQ
 ECAD 8474 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB100 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.2A (TA) 3V, 4.5V 122mohm @ 3.2a, 4.5v 1.25V @ 250µA 5 nc @ 4.5 v +8V, -10V 388 pf @ 10 v - 550MW (TA)
BZV49-C4V7,115 Nexperia USA Inc. BZV49-C4V7,115 0.6200
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-243AA BZV49-C4V7 1 W. SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1 V @ 50 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
BZT52H-A75-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-A75-QX 0.4100
RFQ
 ECAD 7135 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 52.5 v 75 v 175 옴
BSR41-QF Nexperia USA Inc. BSR41-QF 0.2505
RFQ
 ECAD 4487 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1.35 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BSR41-QFTR 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 5V 100MHz
BAS31,235 Nexperia USA Inc. BAS31,235 0.3700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS31 눈사태 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 90 v 250MA (DC) 1 v @ 200 ma 50 ns 100 na @ 90 v 150 ° C (°)
BUK9MJJ-55PTT,518 Nexperia USA Inc. buk9mjj-55ptt, 518 -
RFQ
 ECAD 3578 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934061944518 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
BC807-25LWX Nexperia USA Inc. BC807-25LWX 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC807 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 80MHz
BAV70W/MIX Nexperia USA Inc. bav70w/0 -
RFQ
 ECAD 3298 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 bav70 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068909115 귀 99 8541.10.0070 1 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 100 v 175MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
BSN20,235 Nexperia USA Inc. BSN20,235 -
RFQ
 ECAD 9881 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 50 v 173MA (TA) 5V, 10V 15ohm @ 100ma, 10V 1V @ 1mA ± 20V 25 pf @ 10 v - 830MW (TC)
BZX8450-C3V3VL Nexperia USA Inc. BZX8450-C3V3VL 0.2000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX8450 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 7.5 µa @ 1.5 v 3.3 v 100 옴
BZX84W-C15-QF Nexperia USA Inc. BZX84W-C15-QF 0.0263
RFQ
 ECAD 2094 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-C15-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.29 v 14.7 v 30 옴
BC857AW,135 Nexperia USA Inc. BC857AW, 135 0.0240
RFQ
 ECAD 9302 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BSS138BKW,115 Nexperia USA Inc. BSS138BKW, 115 0.3500
RFQ
 ECAD 304 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 320MA (TA) 10V 1.6ohm @ 320ma, 10V 1.6V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 20V 56 pf @ 10 v - 260MW (TA), 830MW (TC)
BZX84W-C20X Nexperia USA Inc. BZX84W-C20X 0.0313
RFQ
 ECAD 5832 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
PBSS4160XF Nexperia USA Inc. PBSS4160XF 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4160 1.35 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 200mv @ 50ma, 500ma 170 @ 500ma, 10V 180MHz
PDTA114YU/ZLX Nexperia USA Inc. PDTA114YU/ZLX -
RFQ
 ECAD 8134 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTA114 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 180MHz 10 KOHMS 47 Kohms
BC55PASX Nexperia USA Inc. BC55PASX 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC55 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BUK9515-100A,127 Nexperia USA Inc. BUK9515-100A, 127 -
RFQ
 ECAD 9637 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 75A (TC) 4.5V, 10V 14.4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 8600 pf @ 25 v - 230W (TC)
PDTC123JT-QR Nexperia USA Inc. PDTC123JT-QR 0.0324
RFQ
 ECAD 1179 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PDTC123JT-QRTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 230MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
PDTB143ETR Nexperia USA Inc. pdtb143etr 0.3200
RFQ
 ECAD 761 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTB143 320 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 60 @ 50MA, 5V 140MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
PMEG4010CEGW,115 Nexperia USA Inc. PMEG4010CEGW, 115 -
RFQ
 ECAD 6432 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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