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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PSMN2R5-30YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R5-30YL, 115 1.1700
RFQ
ECAD 2186 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn2r5 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 57 NC @ 10 v ± 20V 3468 pf @ 12 v - 88W (TC)
BZX58550-C5V6X Nexperia USA Inc. BZX58550-C5V6X 0.3500
RFQ
ECAD 323 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 5.6 v 40
PSMN8R5-100ESFQ Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100ESFQ -
RFQ
ECAD 3646 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-PSMN8R5-100ESFQ-1727 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 97A (TA) 7V, 10V 8.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 44.5 nc @ 10 v ± 20V 3181 pf @ 50 v - 183W (TA)
BZX79-B11,143 Nexperia USA Inc. BZX79-B11,143 0.0321
RFQ
ECAD 2288 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B11 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 933166880143 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
PBSS4420D-QX Nexperia USA Inc. PBSS4420D-QX 0.1988
RFQ
ECAD 1424 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS4420 360 MW 6TSOP - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS4420D-QXTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 20 v 4 a 100NA NPN 420mv @ 600ma, 6a 300 @ 1a, 2v 100MHz
PIMC31F Nexperia USA Inc. PIMC31F 0.4000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 PIMC31 420MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 500ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V - 1kohms 10kohms
PMV32UP/MIR Nexperia USA Inc. pmv32up/mir -
RFQ
ECAD 5258 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068502215 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 20 v 4A (TA) 1.8V, 4.5V 36mohm @ 2.4a, 4.5v 950MV @ 250µA 15.5 nc @ 4.5 v ± 8V 1890 pf @ 10 v - 510MW (TA), 4.15W (TC)
BC817DPNF Nexperia USA Inc. BC817DPNF 0.4800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 BC817 370MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45V 500ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz, 80MHz
BZX8850S-C8V2-QYL Nexperia USA Inc. BZX8850S-C8V2-QYL 0.3800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX8850S-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-882 BZX8850S 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 6.2 v 8.2 v 15 옴
PMEG3020EGW-QJ Nexperia USA Inc. PMEG3020EGW-QJ 0.0700
RFQ
ECAD 7895 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 Schottky SOD-123 다운로드 1727-PMEG3020EGW-QJTR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 620 MV @ 2 a 1 ma @ 30 v 150 ° C 2A 60pf @ 1v, 1MHz
BZB84-C56,215 Nexperia USA Inc. BZB84-C56,215 0.0469
RFQ
ECAD 3827 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-C56 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934063342215 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 39.2 v 56 v 200 옴
PMV130ENEAR Nexperia USA Inc. PMV130ENEAR 0.4500
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV130 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 2.1A (TA) 4.5V, 10V 120mohm @ 1.5a, 10V 2.5V @ 250µA 3.6 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 20 v - 460MW (TA), 5W (TC)
PUMB17/ZLX Nexperia USA Inc. pumb17/zlx -
RFQ
ECAD 5277 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumb17 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V - 47kohms 22kohms
PMEG050T150EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG050T150EPDZ 0.9900
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG050 Schottky CFP15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 550 mV @ 15 a 60 ns 100 µa @ 50 v 175 ° C (°) 15a 800pf @ 10V, 1MHz
NZX4V3D,133 Nexperia USA Inc. NZX4V3D, 133 0.2000
RFQ
ECAD 530 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX4V3 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 3 µa @ 1 v 4.4 v 100 옴
BUK7513-75B,127 Nexperia USA Inc. BUK7513-75B, 127 -
RFQ
ECAD 6355 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 13mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 2644 pf @ 25 v - 157W (TC)
BC858W-QF Nexperia USA Inc. BC858W-QF 0.0252
RFQ
ECAD 3088 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1727-BC858W-QFTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN1R6-40YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R6-40YLC, 115 -
RFQ
ECAD 4522 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK MOSFET (금속 (() LFPAK56; Power-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.55mohm @ 25a, 10V 1.95v @ 1ma 126 NC @ 10 v ± 20V 7790 pf @ 20 v - 288W (TC)
PBSS4240T-QR Nexperia USA Inc. PBSS4240T-QR 0.1062
RFQ
ECAD 2359 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS4240T-QRTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 320mv @ 200ma, 2a 350 @ 100MA, 2V 230MHz
BZX884S-B4V7YL Nexperia USA Inc. BZX884S-B4V7YL 0.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.91% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 BZX884S-B4V7 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.7 v 80 옴
BUK6Y14-40PX Nexperia USA Inc. buk6y14-40px 1.2400
RFQ
ECAD 5515 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk6y14 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 40 v 64A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 10.8a, 10V 3V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 20 v - 110W (TA)
BUK7Y2R0-40H,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y2R0-40H, 115 -
RFQ
ECAD 6732 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BZX384-C62-QX Nexperia USA Inc. BZX384-C62-QX 0.0390
RFQ
ECAD 7497 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-C62-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 43.4 v 62 v 215 옴
PZU3.9BL,315 Nexperia USA Inc. PZU3.9BL, 315 0.2900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 PZU3.9 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
PZU8.2B1,115 Nexperia USA Inc. PZU8.2B1,115 0.0654
RFQ
ECAD 2347 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU8.2 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 5 v 8.2 v 10 옴
PMEG4010EH-QX Nexperia USA Inc. PMEG4010EH-QX 0.0728
RFQ
ECAD 1294 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F PMEG4010 Schottky SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PMEG4010EH-QXTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 640 mV @ 1 a 100 µa @ 40 v 150 ° C 1A 43pf @ 1v, 1MHz
BAV70S,115 Nexperia USA Inc. BAV70S, 115 0.3900
RFQ
ECAD 175 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 bav70 기준 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 음극 음극 공통 100 v 250MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
BZX84-A18,235 Nexperia USA Inc. BZX84-A18,235 0.5100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-A18 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 700 mV 18 v 45 옴
BZX384-B6V2,115 Nexperia USA Inc. BZX384-B6V2,115 0.2300
RFQ
ECAD 60 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
BZX884S-C5V6YL Nexperia USA Inc. BZX884S-C5V6YL -
RFQ
ECAD 5413 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 7.14% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 BZX884S-C5V6 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고