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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZT52H-A11-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-A11-QX 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 10 옴
BF820W,135 Nexperia USA Inc. BF820W, 135 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BF820 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 300 v 50 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
BZX79-C7V5,133 Nexperia USA Inc. BZX79-C7V5,133 0.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C7V5 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
BC69PASX Nexperia USA Inc. BC69PASX 0.3700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC69 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 200ma, 2a 85 @ 500ma, 1V 140MHz
PMH1200UPEH Nexperia USA Inc. PMH1200UPEH 0.3500
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMH1200 MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 30 v 520MA (TC) 1.5V, 4.5V 1.6ohm @ 410ma, 4.5v 950MV @ 250µA 1 nc @ 5 v ± 10V 33 pf @ 15 v - 380MW (TA), 2.8W (TC)
PDTA144TU,115 Nexperia USA Inc. PDTA144TU, 115 0.0349
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTA144 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V 47 Kohms
PMEG3010AESBZ Nexperia USA Inc. PMEG3010AESBZ -
RFQ
 ECAD 7971 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 2-xdfn Schottky DSN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068753314 귀 99 8541.10.0080 9,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 480 mV @ 1 a 3.5 ns 1.25 ma @ 30 v 150 ° C (°) 1A 32pf @ 10V, 1MHz
PDTC144ET,215 Nexperia USA Inc. PDTC144ET, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC144 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 47 Kohms 47 Kohms
BC857AQAZ Nexperia USA Inc. BC857AQAZ 0.3100
RFQ
 ECAD 3677 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 BC857 280 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BC847BQBZ Nexperia USA Inc. BC847BQBZ 0.2400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC847XQB 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC847 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
NX3020NAK,215 Nexperia USA Inc. NX3020NAK, 215 0.2400
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NX3020 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 200MA (TA) 2.5V, 10V 4.5ohm @ 100ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.44 nc @ 4.5 v ± 20V 13 pf @ 10 v - 300MW (TA), 1.06W (TC)
PHB45NQ15T,118 Nexperia USA Inc. PHB45NQ15T, 118 2.0000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB45NQ15 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 45.1A (TC) 10V 42MOHM @ 20A, 10V 4V @ 1MA 32 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 230W (TC)
PZU9.1B2L,315 Nexperia USA Inc. PZU9.1B2L, 315 0.0431
RFQ
 ECAD 6973 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 PZU9.1 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 10 옴
PUMB9,115 Nexperia USA Inc. pumb9,115 0.3700
RFQ
 ECAD 590 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumb9 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V - 10kohms 47kohms
BC857AW,135 Nexperia USA Inc. BC857AW, 135 0.0240
RFQ
 ECAD 9302 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BZX84W-C20X Nexperia USA Inc. BZX84W-C20X 0.0313
RFQ
 ECAD 5832 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
PDTB143ETR Nexperia USA Inc. pdtb143etr 0.3200
RFQ
 ECAD 761 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTB143 320 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 60 @ 50MA, 5V 140MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
BSN20,235 Nexperia USA Inc. BSN20,235 -
RFQ
 ECAD 9881 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 50 v 173MA (TA) 5V, 10V 15ohm @ 100ma, 10V 1V @ 1mA ± 20V 25 pf @ 10 v - 830MW (TC)
BZX84-A12,215 Nexperia USA Inc. BZX84-A12,215 0.5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-A12 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
PZU6.8B2A-QX Nexperia USA Inc. PZU6.8B2A-QX 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 µa @ 3.5 v 6.79 v 20 옴
PDTB113ZUF Nexperia USA Inc. PDTB113ZUF 0.0503
RFQ
 ECAD 8845 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTB113 300MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 140MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
BC55PASX Nexperia USA Inc. BC55PASX 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC55 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BZX384-B3V3F Nexperia USA Inc. BZX384-B3V3F 0.2300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
PDTA114YU/ZLX Nexperia USA Inc. PDTA114YU/ZLX -
RFQ
 ECAD 8134 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTA114 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 180MHz 10 KOHMS 47 Kohms
BZX8450-C3V3VL Nexperia USA Inc. BZX8450-C3V3VL 0.2000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX8450 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 7.5 µa @ 1.5 v 3.3 v 100 옴
BSS138BKW,115 Nexperia USA Inc. BSS138BKW, 115 0.3500
RFQ
 ECAD 304 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 320MA (TA) 10V 1.6ohm @ 320ma, 10V 1.6V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 20V 56 pf @ 10 v - 260MW (TA), 830MW (TC)
PBSS4160XF Nexperia USA Inc. PBSS4160XF 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4160 1.35 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 200mv @ 50ma, 500ma 170 @ 500ma, 10V 180MHz
PSMN7R6-60PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN7R6-60PS, 127 2.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn7r6 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 92A (TC) 10V 7.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 38.7 NC @ 10 v ± 20V 2651 pf @ 30 v - 149W (TC)
BZV90-C4V7,115 Nexperia USA Inc. BZV90-C4V7,115 0.6000
RFQ
 ECAD 236 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BZV90-C4V7 1.5 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1 V @ 50 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
BZX79-C3V9,113 Nexperia USA Inc. BZX79-C3V9,113 0.1600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C3V9 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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