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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PEMH14,115 Nexperia USA Inc. PEMH14,115 0.4700
RFQ
 ECAD 4547 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMH14 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V - 47kohms -
MM5Z3V3T5GF Nexperia USA Inc. MM5Z3V3T5GF 0.2900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM5Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
BCX55-10,115 Nexperia USA Inc. BCX55-10,115 0.4700
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX55 1.25 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BZX8450-C2V7-QVL Nexperia USA Inc. BZX8450-C2V7-QVL 0.0262
RFQ
 ECAD 3430 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX8450-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX8450 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
PZU15B3,115 Nexperia USA Inc. PZU15B3,115 0.0654
RFQ
 ECAD 9235 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU15 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 11 v 15 v 15 옴
BZX884S-B13-QYL Nexperia USA Inc. BZX884S-B13-QYL 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.31% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
PMEG120G10ELRX Nexperia USA Inc. PMEG120G10ELRX 0.4800
RFQ
 ECAD 133 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W PMEG120 시기 (게르마늄 실리콘) SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 840 mV @ 1 a 12 ns 30 na @ 120 v 175 ° C (°) 1A 36pf @ 1v, 1MHz
PMEG4005AEA/ZLX Nexperia USA Inc. PMEG4005AEA/ZLX -
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PMEG4005 Schottky 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068672115 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 470 mV @ 500 mA 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 500ma 43pf @ 1v, 1MHz
BUK765R0-100E,118 Nexperia USA Inc. BUK765R0-100E, 118 4.0500
RFQ
 ECAD 4640 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK765 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 180 NC @ 10 v ± 20V 11810 pf @ 25 v - 357W (TC)
BZX84-C5V1/DG/B4VL Nexperia USA Inc. BZX84-C5V1/DG/B4VL -
RFQ
 ECAD 8259 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070258235 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BUK6213-30A,118 Nexperia USA Inc. BUK6213-30A, 118 -
RFQ
 ECAD 8956 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 55A (TC) 10V 13mohm @ 10a, 10V 3V @ 1mA 44 NC @ 10 v ± 16V 1986 pf @ 25 v - 102W (TC)
BZV49-C51,115 Nexperia USA Inc. BZV49-C51,115 0.6200
RFQ
 ECAD 8313 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-243AA BZV49-C51 1 W. SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1 V @ 50 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
BUK4D72-30X Nexperia USA Inc. BUK4D72-30X -
RFQ
 ECAD 5142 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 마지막으로 마지막으로 buk4d - 1727-BUK4D72-30X 1
PHPT60410PY,115 Nexperia USA Inc. PHPT60410PY, 115 1.0000
RFQ
 ECAD 5459 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
BCP56-10,115 Nexperia USA Inc. BCP56-10,115 0.4700
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 960 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BAS16J/ZLF Nexperia USA Inc. BAS16J/ZLF -
RFQ
 ECAD 1800 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BAS16 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F BAS16 기준 SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070443135 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
PMEG60T30ELP-QX Nexperia USA Inc. PMEG60T30ELP-QX 0.2323
RFQ
 ECAD 1268 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 620 MV @ 3 a 16 ns 1.8 µa @ 60 v 175 ° C 3A 560pf @ 1v, 1MHz
PBSS9110X,135 Nexperia USA Inc. PBSS9110X, 135 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS9110 2 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 100 v 1 a 100NA PNP 320mv @ 100ma, 1a 150 @ 500ma, 5V 100MHz
BUK7520-100A,127 Nexperia USA Inc. BUK7520-100A, 127 -
RFQ
 ECAD 1587 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 63A (TC) 10V 20mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 4373 pf @ 25 v - 200W (TC)
BZV55-B15,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B15,115 0.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B15 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
PH3230S,115 Nexperia USA Inc. PH3230S, 115 -
RFQ
 ECAD 1715 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 3.2mohm @ 25a, 10V 3V @ 1mA 42 NC @ 5 v 4100 pf @ 10 v -
BZT52H-A11-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-A11-QX 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 10 옴
BF820W,135 Nexperia USA Inc. BF820W, 135 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BF820 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 300 v 50 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
BZX79-C7V5,133 Nexperia USA Inc. BZX79-C7V5,133 0.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C7V5 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
PMH1200UPEH Nexperia USA Inc. PMH1200UPEH 0.3500
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMH1200 MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 30 v 520MA (TC) 1.5V, 4.5V 1.6ohm @ 410ma, 4.5v 950MV @ 250µA 1 nc @ 5 v ± 10V 33 pf @ 15 v - 380MW (TA), 2.8W (TC)
PDTA144TU,115 Nexperia USA Inc. PDTA144TU, 115 0.0349
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTA144 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V 47 Kohms
PMEG3010AESBZ Nexperia USA Inc. PMEG3010AESBZ -
RFQ
 ECAD 7971 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 2-xdfn Schottky DSN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068753314 귀 99 8541.10.0080 9,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 480 mV @ 1 a 3.5 ns 1.25 ma @ 30 v 150 ° C (°) 1A 32pf @ 10V, 1MHz
PDTC144ET,215 Nexperia USA Inc. PDTC144ET, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC144 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 80 @ 5ma, 5V 47 Kohms 47 Kohms
BC857AQAZ Nexperia USA Inc. BC857AQAZ 0.3100
RFQ
 ECAD 3677 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 BC857 280 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BC847BQBZ Nexperia USA Inc. BC847BQBZ 0.2400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC847XQB 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC847 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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