전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | PDZ33BZ | 0.2100 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | PDZ33 | 400MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 50 na @ 25 v | 32.97 v | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG4010CEAX | 0.4100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | PMEG4010 | Schottky | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 840 mV @ 1 a | 1.8 ns | 8 µa @ 40 v | 150 ° C (°) | 1A | 24pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PSMN4R6-60BS, 118 | 2.0400 | ![]() | 7346 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | psmn4r6 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 100A (TC) | 10V | 4.4mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 70.8 nc @ 10 v | ± 20V | 4426 pf @ 30 v | - | 211W (TC) | |||||||||||||||||||||||
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![]() | BZT52H-B62,115 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 43.4 v | 62 v | 140 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
NX2301P, 215 | 0.4400 | ![]() | 191 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NX2301 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2A (TA) | 2.5V, 4.5V | 120mohm @ 1a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 8V | 380 pf @ 6 v | - | 400MW (TA), 2.8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN013-100ES, 127 | - | ![]() | 9801 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 68A (TC) | 10V | 13.9mohm @ 15a, 10V | 4V @ 1MA | 59 NC @ 10 v | ± 20V | 3195 pf @ 50 v | - | 170W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN7R0-30MLC, 115 | 0.6700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) | psmn7r0 | MOSFET (금속 (() | LFPAK33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 67A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 15a, 10V | 2.15v @ 1ma | 17.9 NC @ 10 v | ± 20V | 1076 pf @ 15 v | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9K29-100E, 115 | 1.9400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | buk9k29 | MOSFET (금속 (() | 68W | LFPAK56D | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 채널 (채널) | 100V | 30A | 27mohm @ 10a, 10V | 2.1v @ 1ma | 54NC @ 10V | 3491pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | BZX884-B6V8,315 | 0.3200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-882 | BZX884-B6V8 | 250 MW | DFN1006-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 2 µa @ 4 v | 6.8 v | 15 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고