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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BAS321Z Nexperia USA Inc. BAS321Z 0.1900
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAS321 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C (°) 250ma 2pf @ 0V, 1MHz
BAS416Z Nexperia USA Inc. BAS416Z 0.3600
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAS416 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v 150 ° C (°) 200ma 2pf @ 0V, 1MHz
BAV23CVL Nexperia USA Inc. BAV23CVL 0.3900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV23 기준 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 225MA (DC) 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C (°)
BZX384-B62Z Nexperia USA Inc. BZX384-B62Z 0.2300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 na @ 43.4 v 62 v 215 옴
BZX384-C16F Nexperia USA Inc. BZX384-C16F 0.2100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 5 na @ 11.2 v 16 v 40
PDZ10BF Nexperia USA Inc. PDZ10BF 0.2100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ10 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 7 v 10.21 v 60 옴
PDZ10BZ Nexperia USA Inc. PDZ10BZ 0.2100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ10 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 7 v 10.21 v 60 옴
PDZ18BZ Nexperia USA Inc. PDZ18BZ 0.2100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ18 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 13 v 18.35 v 80 옴
PDZ24BZ Nexperia USA Inc. PDZ24BZ 0.2100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ24 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 19 v 24.25 v 30 옴
PDZ3.9BZ Nexperia USA Inc. PDZ3.9BZ 0.2100
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ3.9 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.16 v 500 옴
PDZ33BF Nexperia USA Inc. PDZ33BF 0.2100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ33 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 25 v 32.97 v 40
PDZ33BZ Nexperia USA Inc. PDZ33BZ 0.2100
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ33 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 25 v 32.97 v 40
PMEG4010CEAX Nexperia USA Inc. PMEG4010CEAX 0.4100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 PMEG4010 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 840 mV @ 1 a 1.8 ns 8 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A 24pf @ 1v, 1MHz
PSMN2R8-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN2R8-80BS, 118 3.7700
RFQ
ECAD 9156 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn2r8 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 120A (TC) 10V 3MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 139 NC @ 10 v ± 20V 9961 pf @ 40 v - 306W (TC)
PSMN4R6-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN4R6-60BS, 118 2.0400
RFQ
ECAD 7346 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn4r6 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 4.4mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 70.8 nc @ 10 v ± 20V 4426 pf @ 30 v - 211W (TC)
PSMN5R6-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN5R6-100BS, 118 2.8300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn5r6 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 100A (TC) 10V 5.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 141 NC @ 10 v ± 20V 8061 pf @ 50 v - 306W (TC)
PMG85XP,115 Nexperia USA Inc. PMG85XP, 115 0.4300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMG85 MOSFET (금속 (() 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TJ) 2.5V, 4.5V 115mohm @ 2a, 4.5v 1.15V @ 250µA 7.2 NC @ 4.5 v ± 12V 560 pf @ 10 v - 375MW (TA), 2.4W (TC)
TDZ12J,115 Nexperia USA Inc. TDZ12J, 115 0.3500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TDZXJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F TDZ12 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 8 v 12 v 10 옴
TDZ3V9J,115 Nexperia USA Inc. TDZ3V9J, 115 0.3400
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TDZXJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F TDZ3V9 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BZT52H-B62,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-B62,115 0.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 43.4 v 62 v 140 옴
NX2301P,215 Nexperia USA Inc. NX2301P, 215 0.4400
RFQ
ECAD 191 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NX2301 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 120mohm @ 1a, 4.5v 1.1V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 8V 380 pf @ 6 v - 400MW (TA), 2.8W (TC)
PSMN013-100ES,127 Nexperia USA Inc. PSMN013-100ES, 127 -
RFQ
ECAD 9801 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 68A (TC) 10V 13.9mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 59 NC @ 10 v ± 20V 3195 pf @ 50 v - 170W (TC)
PSMN7R0-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN7R0-30MLC, 115 0.6700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn7r0 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 67A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 17.9 NC @ 10 v ± 20V 1076 pf @ 15 v - 57W (TC)
BUK9K29-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K29-100E, 115 1.9400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk9k29 MOSFET (금속 (() 68W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 100V 30A 27mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 54NC @ 10V 3491pf @ 25v 논리 논리 게이트
BFS19,235 Nexperia USA Inc. BFS19,235 0.4200
RFQ
ECAD 2225 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFS19 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 20 v 30 MA 100NA (ICBO) NPN - 65 @ 1ma, 10V 260MHz
BZX84-B68,215 Nexperia USA Inc. BZX84-B68,215 0.2100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-B68 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
BZX84-C36,215 Nexperia USA Inc. BZX84-C36,215 0.1600
RFQ
ECAD 46 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C36 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
BZX84-C9V1,215 Nexperia USA Inc. BZX84-C9V1,215 0.1600
RFQ
ECAD 134 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C9V1 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
BZX884-B36,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B36,315 0.3200
RFQ
ECAD 4122 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B36 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
BZX884-B6V8,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B6V8,315 0.3200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B6V8 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고