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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | BZV49-C51,115 | 0.6200 | ![]() | 8313 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-243AA | BZV49-C51 | 1 W. | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1 V @ 50 ma | 50 na @ 35.7 v | 51 v | 180 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | pumb9,115 | 0.3700 | ![]() | 590 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | pumb9 | 300MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 1µA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 100MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 5ma, 5V | - | 10kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | szmm3z20vt1gx | 0.2700 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | 300MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 50 na @ 15 v | 20 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMH14,115 | 0.4700 | ![]() | 4547 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | PEMH14 | 300MW | SOT-666 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100ma | 1µA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 150mv @ 500µa, 10ma | 100 @ 1ma, 5V | - | 47kohms | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT60410PY, 115 | 1.0000 | ![]() | 5459 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK765R0-100E, 118 | 4.0500 | ![]() | 4640 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK765 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 120A (TC) | 10V | 5MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 11810 pf @ 25 v | - | 357W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PZU9.1B2L, 315 | 0.0431 | ![]() | 6973 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-882 | PZU9.1 | 250 MW | DFN1006-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 v @ 100 ma | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 10 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16J/ZLF | - | ![]() | 1800 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, BAS16 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | BAS16 | 기준 | SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934070443135 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 v | 150 ° C (°) | 250ma | 1.5pf @ 0v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C7V5,133 | 0.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | BZX79-C7V5 | 400MW | ALF2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 1 µa @ 5 v | 7.5 v | 15 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PH3230S, 115 | - | ![]() | 1715 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 3.2mohm @ 25a, 10V | 3V @ 1mA | 42 NC @ 5 v | 4100 pf @ 10 v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
NX3020NAK, 215 | 0.2400 | ![]() | 101 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NX3020 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 200MA (TA) | 2.5V, 10V | 4.5ohm @ 100ma, 10V | 1.5V @ 250µA | 0.44 nc @ 4.5 v | ± 20V | 13 pf @ 10 v | - | 300MW (TA), 1.06W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7520-100A, 127 | - | ![]() | 1587 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 63A (TC) | 10V | 20mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 4373 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
PDTC144ET, 215 | 0.1700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC144 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 1µA | npn-사전- | 150mv @ 500µa, 10ma | 80 @ 5ma, 5V | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG60T30ELP-QX | 0.2323 | ![]() | 1268 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-128 | Schottky | SOD-128/CFP5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 620 MV @ 3 a | 16 ns | 1.8 µa @ 60 v | 175 ° C | 3A | 560pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
BZX84-C5V1/DG/B4VL | - | ![]() | 8259 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934070258235 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 2 µa @ 2 v | 5.1 v | 60 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B15,115 | 0.2400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZV55-B15 | 500MW | llds; 최소한 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 900 mV @ 10 ma | 50 na @ 10.5 v | 15 v | 30 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
BZX8450-C2V7-QVL | 0.0262 | ![]() | 3430 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, BZX8450-Q | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX8450 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 1 µa @ 1 v | 2.7 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847BQBZ | 0.2400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BC847XQB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 3-xdfn d 패드 | BC847 | 340 MW | DFN1110D-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU15B3,115 | 0.0654 | ![]() | 9235 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | PZU15 | 310 MW | SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 50 na @ 11 v | 15 v | 15 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP56-10,115 | 0.4700 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP56 | 960 MW | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 63 @ 150ma, 2V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMH1200UPEH | 0.3500 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | PMH1200 | MOSFET (금속 (() | DFN0606-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | p 채널 | 30 v | 520MA (TC) | 1.5V, 4.5V | 1.6ohm @ 410ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 1 nc @ 5 v | ± 10V | 33 pf @ 15 v | - | 380MW (TA), 2.8W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG3010AESBZ | - | ![]() | 7971 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 2-xdfn | Schottky | DSN1006-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934068753314 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 9,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 480 mV @ 1 a | 3.5 ns | 1.25 ma @ 30 v | 150 ° C (°) | 1A | 32pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-A11-QX | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 8 v | 11 v | 10 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA144TU, 115 | 0.0349 | ![]() | 2871 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | PDTA144 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 1µA | pnp- 사전- | 150mv @ 500µa, 10ma | 100 @ 1ma, 5V | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9M7R2-40EX | 1.0700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) | buk9m7 | MOSFET (금속 (() | LFPAK33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 70A (TC) | 5V | 5.8mohm @ 20a, 10V | 2.1v @ 1ma | 19.7 NC @ 5 v | ± 10V | 2567 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B20,113 | 0.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | BZX79-B20 | 400MW | ALF2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 na @ 14 v | 20 v | 55 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMZB670UPE, 315 | 0.4700 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | PMZB670 | MOSFET (금속 (() | DFN1006B-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | p 채널 | 20 v | 680MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 850mohm @ 400ma, 4.5v | 1.3V @ 250µA | 1.14 NC @ 4.5 v | ± 8V | 87 pf @ 10 v | - | 360MW (TA), 2.7W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z5V6T5GF | 0.2900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | MM5Z | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | 300MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 1 µa @ 2 v | 5.6 v | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG6030ELPX | 0.5000 | ![]() | 102 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-128 | PMEG6030 | Schottky | SOD-128/CFP5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 670 mV @ 3 a | 12 ns | 1 µa @ 60 v | 175 ° C (°) | 3A | 315pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG200G20ELRX | 0.4700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123W | PMEG200 | 시기 (게르마늄 실리콘) | SOD-123W | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 880 mv @ 2 a | 32 ns | 30 na @ 200 v | 175 ° C | 2A | 58pf @ 1v, 1MHz |
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