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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | BC857BW, 135 | 0.1700 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC857 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5ma, 100ma | 220 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
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BC817-25-QVL | 0.0204 | ![]() | 3492 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, BC817-Q | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50ma, 500ma | 160 @ 100MA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PMEG4015EPK, 315 | 0.4700 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 2-xdfn | PMEG4015 | Schottky | DFN1608D-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 610 MV @ 1.5 a | 4 ns | 5 µa @ 10 v | 150 ° C (°) | 1.5A | 90pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PDTC114EU/MIF | - | ![]() | 5799 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | PDTC114 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934069647135 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 MA | 1µA | npn-사전- | 150mv @ 500µa, 10ma | 30 @ 5MA, 5V | 230MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | phd38n02lt, 118 | - | ![]() | 8688 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PhD38N02 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 44.7A (TC) | 5V | 16mohm @ 25a, 5V | 1.5V @ 250µA | 15.1 NC @ 5 v | ± 12V | 800 pf @ 20 v | - | 57.6W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | PSMN1R0-40ULDX | 1.3346 | ![]() | 7203 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1023, 4-LFPAK | PSMN1R0 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934660146115 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 280A (TA) | - | - | - | 127 NC @ 10 v | ± 20V | - | 164W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | pumd2/dg/b4x | - | ![]() | 7968 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | pumd2 | 300MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934069964115 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 100NA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 150mv @ 500µa, 10ma | 60 @ 5MA, 5V | 230MHz, 180MHz | 22kohms | 22kohms |
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