SIC
close

불연속 불연속 제품 (9943)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BC53-10PASX Nexperia USA Inc. BC53-10PASX 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC53 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 145MHz
PBSS8110T-QVL Nexperia USA Inc. PBSS8110T-QVL 0.0896
RFQ
 ECAD 4113 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS8110T-QVLTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 100 v 1 a 100NA NPN 200mv @ 100ma, 1a 150 @ 250ma, 10V 100MHz
PMEG3020BEP-QX Nexperia USA Inc. PMEG3020BEP-QX 0.1426
RFQ
 ECAD 2005 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 2 a 100 µa @ 30 v 150 ° C 2A 340pf @ 1v, 1MHz
PDTC144EU/DG/B3115 Nexperia USA Inc. PDTC144EU/DG/B3115 -
RFQ
 ECAD 2033 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-PDTC144EU/DG/B3115-1727 1
PMBT3904MB315 Nexperia USA Inc. PMBT3904MB315 -
RFQ
 ECAD 9930 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn 250 MW DFN1006B-3 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 40 v 200 MA 500NA (ICBO) NPN 200mv @ 1ma, 10ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
PMEG045T150EPDAZ Nexperia USA Inc. PMEG045T150EPDAZ 0.9900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG045 Schottky CFP15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 550 mV @ 15 a 20 ns 100 µa @ 45 v 175 ° C (°) 15a 800pf @ 10V, 1MHz
BZT52-C22-QX Nexperia USA Inc. BZT52-C22-QX 0.0370
RFQ
 ECAD 8486 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.68% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1727-BZT52-C22-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 15.4 v 22 v 25 옴
PMDT290UNE,115 Nexperia USA Inc. PMDT290Unue, 115 0.5100
RFQ
 ECAD 191 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PMDT290 MOSFET (금속 (() 500MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 800ma 380mohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.68NC @ 4.5V 83pf @ 10V 논리 논리 게이트
BAS16,215 Nexperia USA Inc. BAS16,215 0.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BAS16 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 기준 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°) 215MA 1.5pf @ 0v, 1MHz
BAW56W/ZLX Nexperia USA Inc. BAW56W/ZLX -
RFQ
 ECAD 9645 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 baw56 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 짐 1 양극 양극 공통 90 v 150MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
PMEG060V050EPEZ Nexperia USA Inc. PMEG060V050EPEZ 0.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 560 mV @ 5 a 14 ns 400 µa @ 60 v 175 ° C 5a 429pf @ 1v, 1MHz
BC817-25W/MIX Nexperia USA Inc. BC817-25W/믹스 -
RFQ
 ECAD 4549 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069653115 귀 99 8541.21.0075 1 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
PDTC144EU/ZLF Nexperia USA Inc. PDTC144EU/ZLF -
RFQ
 ECAD 7180 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 쓸모없는 PDTC144 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
BC846S/DG/B2F Nexperia USA Inc. BC846S/DG/B2F -
RFQ
 ECAD 7103 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934062454135 귀 99 8541.21.0075 10,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PBSS4130PAN,115 Nexperia USA Inc. PBSS4130PAN, 115 0.5200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 PBSS4130 510MW 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30V 1A 100NA (ICBO) 2 NPN (() 100mv @ 50ma, 500ma 210 @ 500ma, 2V 165MHz
BAS40-06WF Nexperia USA Inc. BAS40-06WF 0.0403
RFQ
 ECAD 9327 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS40 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934044310135 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 40 v 120MA (DC) 1 v @ 40 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C (°)
BZX84-B9V1,215 Nexperia USA Inc. BZX84-B9V1,215 0.2100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-B9V1 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
PDZ3.3B-QZ Nexperia USA Inc. PDZ3.3B-QZ 0.0279
RFQ
 ECAD 3064 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PDZ3.3B-QZTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
BZX58550-C5V1X Nexperia USA Inc. BZX58550-C5V1X 0.3500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 5.1 v 60 옴
NHUMH11F Nexperia USA Inc. nhumh11f 0.3900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumh11 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80V 100ma 100NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 170MHz 10kohms 10kohms
BAS70-05-QVL Nexperia USA Inc. BAS70-05-QVL 0.0353
RFQ
 ECAD 6867 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 Schottky TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BAS70-05-QVLTR 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 70 v 70ma 1 V @ 15 ma 10 µa @ 70 v 150 ° C
PSMN1R1-40BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN1R1-40BS, 118 3.4700
RFQ
 ECAD 869 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN1R1 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 1.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 136 NC @ 10 v ± 20V 9710 pf @ 20 v - 306W (TC)
BUK6215-75C,118 Nexperia USA Inc. BUK6215-75C, 118 -
RFQ
 ECAD 1279 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 75 v 57A (TC) 10V 15mohm @ 15a, 10V 2.8V @ 1MA 61.8 nc @ 10 v ± 16V 3900 pf @ 25 v - 128W (TC)
PH4840S,115 Nexperia USA Inc. PH4840S, 115 -
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 94.5A (TC) 7V, 10V 4.1mohm @ 25a, 10V 3V @ 1mA 67 NC @ 10 v ± 20V 3660 pf @ 10 v - 62.5W (TC)
HPZR-C7V6X Nexperia USA Inc. HPZR-C7V6X 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. HPZR 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123W 962 MW SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 v @ 100 ma 250 µa @ 6.5 v 7.6 v 11.6 옴
BZX38450-C6V2X Nexperia USA Inc. BZX38450-C6V2X 0.2300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 6.2 v 10 옴
PSMN1R9-40PL,127 Nexperia USA Inc. PSMN1R9-40PL, 127 1.6700
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 psmn1r9 다운로드 0000.00.0000 194
BZV55-B75,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B75,115 0.2500
RFQ
 ECAD 9039 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B75 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 52.5 v 75 v 255 옴
PSMN057-200B,118 Nexperia USA Inc. PSMN057-200B, 118 2.9300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN057 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 39A (TC) 10V 57mohm @ 17a, 10V 4V @ 1MA 96 NC @ 10 v ± 20V 3750 pf @ 25 v - 250W (TC)
PSMN5R0-80PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN5R0-80PS, 127 3.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn5r0 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 100A (TC) 10V 4.7mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 101 NC @ 10 v ± 20V 6793 pf @ 12 v - 270W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다