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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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BZX84-C2V7-QVL | 0.0250 | ![]() | 7958 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-BZX84-C2V7-QVLTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 20 µa @ 1 v | 2.7 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PDZ4.7B-QF | 0.0310 | ![]() | 2897 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | 400MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1727-PDZ4.7B-QFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 v @ 100 ma | 2 µa @ 1 v | 4.7 v | 90 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
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BZX84-B33-QR | 0.0400 | ![]() | 8835 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-BZX84-B33-QRTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 23.1 v | 33 v | 80 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BZX84W-C10-QF | 0.0263 | ![]() | 8195 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-BZX84W-C10-QFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 200 na @ 7 v | 10 v | 20 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BZT52-C3V3-QX | 0.0370 | ![]() | 7829 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.06% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 350 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1727-BZT52-C3V3-QXTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 1 v | 3.3 v | 95 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS138BKW/DG/B2X | 0.0400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | - | 2156-BSS138BKW/DG/B2X | 7,212 | n 채널 | 60 v | 320MA (TA) | 2.5V, 10V | 1.6ohm @ 320ma, 10V | 1.6V @ 250µA | 0.7 nc @ 4.5 v | ± 20V | 56 pf @ 10 v | - | 260MW (TA), 830MW (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PMPB10XNE/S500Z | 0.1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | - | 2156-PMPB10XNE/S500Z | 2,451 | n 채널 | 20 v | 9A (TA) | 1.8V, 4.5V | 14mohm @ 9a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 34 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2175 pf @ 10 v | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB15XP/S500H | 0.1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | - | 2156-PMPB15XP/S500H | 2,520 | p 채널 | 12 v | 8.2A (TA) | 1.8V, 4.5V | 19mohm @ 8.2a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 100 nc @ 4.5 v | ± 12V | 2875 pf @ 6 v | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC817DS-QX | 0.3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | BC817 | 370MW | 6TSOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45V | 500ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN | 700mv @ 50ma, 500ma | 160 @ 100MA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52-C3V9-QX | 0.2100 | ![]() | 6754 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.13% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 350 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 1 v | 3.9 v | 95 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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