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불연속 불연속 제품 (9943)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BC817-40,235 Nexperia USA Inc. BC817-40,235 0.1800
RFQ
 ECAD 568 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
BCV61B,235 Nexperia USA Inc. BCV61B, 235 0.4100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 30V 현재 현재 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV61 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 100ma 2 npn (() 현재 미러
PDTC123JQBZ Nexperia USA Inc. PDTC123JQBZ 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC123 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 180MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
BC846S/ZLX Nexperia USA Inc. BC846S/ZLX -
RFQ
 ECAD 3818 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
BZX84-B15,215 Nexperia USA Inc. BZX84-B15,215 0.2100
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-B15 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
NHUMH11X Nexperia USA Inc. nhumh11x 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumh11 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80V 100ma 100NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 170MHz 10kohms 10kohms
BAT46WJ,115 Nexperia USA Inc. BAT46WJ, 115 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F BAT46 Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 250 mA 5.9 ns 9 µa @ 100 v 150 ° C (°) 250ma 39pf @ 0v, 1MHz
BUK7509-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK7509-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 1959 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 9mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 62 NC @ 0 v ± 20V 3271 pf @ 25 v - 211W (TC)
PSMN4R0-25YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN4R0-25YLC, 115 0.7000
RFQ
 ECAD 1870 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn4r0 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 84A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 20a, 10V 1.95v @ 1ma 22.8 nc @ 10 v ± 20V 1407 pf @ 12 v - 61W (TC)
PZU20B1,115 Nexperia USA Inc. PZU20B1,115 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU20 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 15 v 20 v 20 옴
BCW61D,215 Nexperia USA Inc. BCW61D, 215 0.2700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW61 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 380 @ 2MA, 5V 100MHz
BAS316/DG/B4X Nexperia USA Inc. BAS316/DG/B4X -
RFQ
 ECAD 9331 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BAS16 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 BAS316 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068484115 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
BZT52-C3V3X Nexperia USA Inc. BZT52-C3V3X 0.2200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.1% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
PZU5.1BL,315 Nexperia USA Inc. PZU5.1BL, 315 0.2900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 PZU5.1 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 1.5 v 5.1 v 60 옴
MM3Z13VT1GX Nexperia USA Inc. MM3Z13VT1GX 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM3Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 10 v 13 v 10 옴
PZU6.2B3,115 Nexperia USA Inc. PZU6.2B3,115 0.0654
RFQ
 ECAD 2937 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU6.2 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 3 v 6.2 v 30 옴
SZMM3Z18VT1G-QX Nexperia USA Inc. szmm3z18vt1g-qx 0.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.81% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 szmm3z18 300MW SOD-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 13 v 18 v 20 옴
PMCM650CUNEZ Nexperia USA Inc. PMCM650CUNEZ 0.5900
RFQ
 ECAD 9543 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFBGA, WLCSP PMCM650 MOSFET (금속 (() 556MW (TA) 6-WLCSP (1.48x0.98) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,500 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 - - - 900MV @ 250µA 13NC @ 4.5V - -
PZU7.5B3,115 Nexperia USA Inc. PZU7.5B3,115 0.0654
RFQ
 ECAD 5680 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU7.5 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 4 v 7.5 v 10 옴
NX7002AKVL Nexperia USA Inc. NX7002AKVL 0.1900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NX7002 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 190ma (TA) 5V, 10V 4.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.43 nc @ 4.5 v ± 20V 20 pf @ 10 v - 265MW (TA)
BZT52-B39X Nexperia USA Inc. BZT52-B39X 0.2400
RFQ
 ECAD 655 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.05% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 75 옴
BZX585-C39,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C39,115 0.2600
RFQ
 ECAD 2457 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C39 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
PMEG120G20ELRX Nexperia USA Inc. PMEG120G20ELRX 0.4400
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W PMEG120 시기 (게르마늄 실리콘) SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 840 MV @ 2 a 11 ns 30 na @ 120 v 175 ° C (°) 2A 75pf @ 1v, 1MHz
PLVA659A-QR Nexperia USA Inc. PLVA659A-QR 0.0920
RFQ
 ECAD 6983 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3.39% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PLVA659A 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PLVA659A-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 0.9 NA @ 2.95 v 5.9 v 100 옴
BCP55,135 Nexperia USA Inc. BCP55,135 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP55 1.35 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BC807-25QB-QZ Nexperia USA Inc. BC807-25QB-QZ 0.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 350 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 80MHz
BC847CW/MIF Nexperia USA Inc. BC847CW/MIF -
RFQ
 ECAD 9128 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068904135 귀 99 8541.21.0075 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BZX84-B43-QR Nexperia USA Inc. BZX84-B43-QR 0.0400
RFQ
 ECAD 5470 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-B43-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 30.1 v 43 v 150 옴
BZT52H-A11X Nexperia USA Inc. BZT52H-A11X 0.1463
RFQ
 ECAD 3348 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZT52H-A 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-A11XTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 10 옴
PUMB11,135 Nexperia USA Inc. Pumb11,135 0.2900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumb11 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V - 10kohms 10kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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