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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BZX84-A33-QR Nexperia USA Inc. BZX84-A33-QR 0.1443
RFQ
 ECAD 2604 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-A33-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 80 옴
PBSM5240PF,115 Nexperia USA Inc. PBSM5240pf, 115 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 40V PNP, 30V N- 채널 로드로드 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 PBSM5240 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 1.8A PNP, 660MA N- 채널 PNP, N-,
PMPB19R0UPEX Nexperia USA Inc. pmpb19r0upex 0.4600
RFQ
 ECAD 3512 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB19 MOSFET (금속 (() DFN2020M-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.6A (TA) 1.5V, 4.5V 21mohm @ 7.6a, 4.5v 900MV @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 10V 1275 pf @ 10 v - 1.8W (TA), 12.5W (TC)
MM3Z12VT1GX Nexperia USA Inc. MM3Z12VT1GX 0.2200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM3Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 9 v 12 v 10 옴
PMBT3906VS,115 Nexperia USA Inc. PMBT3906VS, 115 0.4200
RFQ
 ECAD 1617 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PMBT3906 360MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 40V 200ma 50NA (ICBO) 2 PNP (() 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
BUK7Y3R0-40HX Nexperia USA Inc. BUK7Y3R0-40HX 2.0500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y3 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 120A (TA) 10V 3MOHM @ 25A, 10V 3.6v @ 1ma 59 NC @ 10 v +20V, -10V 5449 pf @ 25 v - 172W (TA)
TDZ7V5J,115 Nexperia USA Inc. TDZ7V5J, 115 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TDZXJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F TDZ7V5 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 10 옴
BZV55-C18,115 Nexperia USA Inc. BZV55-C18,115 0.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C18 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
BZX84W-C33-QX Nexperia USA Inc. BZX84W-C33-QX 0.0335
RFQ
 ECAD 6151 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-C33-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 80 옴
PMV27UPEA,215 Nexperia USA Inc. PMV27UPEA, 215 -
RFQ
 ECAD 9374 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PMV27 - 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1 -
PMV50EPEA,215 Nexperia USA Inc. PMV50epea, 215 -
RFQ
 ECAD 4296 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PMV50 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
2PD602AQL,215 Nexperia USA Inc. 2pd602aql, 215 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2pd602 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 30ma, 300ma 85 @ 150ma, 10V 140MHz
BZV90-C51,115 Nexperia USA Inc. BZV90-C51,115 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BZV90-C51 1.5 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1 V @ 50 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
NZH9V1B,115 Nexperia USA Inc. NZH9V1B, 115 0.2600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F NZH9V1 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 8 옴
BAS40-07,215 Nexperia USA Inc. BAS40-07,215 0.3400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BAS40 Schottky SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 40 v 120MA (DC) 1 v @ 40 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C (°)
BUK9637-100E,118 Nexperia USA Inc. BUK9637-100E, 118 1.0800
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK9637 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 31A (TC) 5V, 10V 36mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 22.8 nc @ 5 v ± 10V 2681 pf @ 25 v - 96W (TC)
BZX79-B30,143 Nexperia USA Inc. BZX79-B30,143 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B30 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
PNU65030EP-QX Nexperia USA Inc. PNU65030EP-QX 0.1926
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 PNU65030 기준 SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 650 v 1.2 v @ 3 a 85 ns 1 µa @ 650 v 175 ° C 3A 32pf @ 4v, 1MHz
BAS16J/ZLX Nexperia USA Inc. BAS16J/ZLX -
RFQ
 ECAD 6027 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BAS16 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F BAS16 기준 SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
BZT52-B4V3-QX Nexperia USA Inc. BZT52-B4V3-QX 0.0438
RFQ
 ECAD 3212 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 95 옴
BZX84-C3V9-QR Nexperia USA Inc. BZX84-C3V9-QR 0.0319
RFQ
 ECAD 2767 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C3V9-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BZX585-C8V2,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C8V2,115 0.3300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C8V2 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 10 옴
BAT54SW-QX Nexperia USA Inc. BAT54SW-QX 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Bat54 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 30 v 200ma 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C
BC846A-QVL Nexperia USA Inc. BC846A-QVL 0.0163
RFQ
 ECAD 8791 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC846X-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BUK7Y13-40B,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y13-40B, 115 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y13 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 58A (TC) 10V 13mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 19 NC @ 10 v ± 20V 1311 PF @ 25 v - 85W (TC)
PSMN3R5-30YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN3R5-30YL, 115 1.2000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn3r5 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 41 NC @ 10 v ± 20V 2458 pf @ 12 v - 74W (TC)
BUK7Y72-80EX Nexperia USA Inc. BUK7Y72-80EX 0.7000
RFQ
 ECAD 7111 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y72 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 16A (TC) 10V 72mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 9.8 nc @ 10 v ± 20V 633 pf @ 25 v - 45W (TC)
SZMM5Z30VT5GF Nexperia USA Inc. szmm5z30vt5gf 0.3100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
BZX585-C3V6,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C3V6,115 0.3300
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C3V6 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
BZX384-A24-QX Nexperia USA Inc. BZX384-A24-QX 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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