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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
BZX84J-C15,115	0.3000	RFQ	37	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-90, SOD-323F	BZX84J-C15		550 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															1.1 v @ 100 ma	50 na @ 10.5 v							15 v	15 옴
BC817-25/DG/B2215	0.0200	RFQ	93	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인					BC817				다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	3,000
BZT52H-B47-QX	0.0434	RFQ	8602	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.91%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-BZT52H-B47-QXTR	귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma	50 NA @ 32.9 v							47 v	90 옴
BZX84W-B56-QF	0.0312	RFQ	7383	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.96%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BZX84W		275 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-BZX84W-B56-QFTR	귀 99	8541.10.0050	10,000															900 mV @ 10 ma	50 NA @ 39.2 v							56 v	200 옴
PZU9.1B1,115	0.0654	RFQ	1087	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-90, SOD-323F	PZU9.1		310 MW	SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															1.1 v @ 100 ma	500 na @ 6 v							9.1 v	10 옴
BZB84-C36,215	0.2700	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-C36		300MW	TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000	1 양극 양극 공통														900 mV @ 10 ma	50 na @ 25.2 v							36 v	90 옴
PBRN113ZT-QR	0.0687	RFQ	1404	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PBRN113		250 MW	TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-PBRN113ZT-QRTR	귀 99	8541.21.0095	3,000																				40 v	600 MA	500NA			npn-사전-	1.15v @ 8ma, 800ma	500 @ 600ma, 5V		1 KOHMS	10 KOHMS
ph3030al, 115	-	RFQ	7243	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-	표면 표면	SC-100, SOT-669	pH3030	MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934063085115	귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널	30 v	100A (TC)		3MOHM @ 15A, 10V	2.15v @ 1ma	45.8 nc @ 10 v		2822 pf @ 12 v	-	-
buk9y6r0-60e, 115	1.6500	RFQ	3760	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	buk9y6	MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널	60 v	100A (TC)	5V	5.2MOHM @ 25A, 10V	2.1v @ 1ma	39.4 NC @ 5 v	± 10V	6319 pf @ 25 v	-	195W (TC)
BZT52-B5V1,118	-	RFQ	1941	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인					BZT52				다운로드						0000.00.0000	1
BZX8450-C2V2-QR	0.2200	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, BZX8450-Q	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX8450		250 MW	TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma	4 µa @ 1 v							2.2 v	100 옴
PUMH9/ZL115	0.0300	RFQ	5533	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인									다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0095	3,000
BCM856BSH-QF	0.0852	RFQ	8341	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BCM856		200MW	6-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1727-BCM856BSH-QF	귀 99	8541.21.0095	10,000																				65V	100ma	15NA (ICBO)			2 PNP (()	400mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	175MHz
PMEG3020CEP-QX	0.5000	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128		Schottky		SOD-128/CFP5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												30 v	420 MV @ 2 a	1.5 ma @ 30 v	150 ° C	2A	170pf @ 1v, 1MHz
BZT52H-A3V6X	0.1463	RFQ	9095	Nexperia USA Inc.	BZT52H-A	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-BZT52H-A3V6XTR	귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma	5 µa @ 1 v							3.6 v	95 옴
BZX79-C24,143	0.1600	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	컷 컷 (CT)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79-C24		400MW	ALF2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000															900 mV @ 10 ma	50 NA @ 16.8 v							24 v	70 옴
BCM847QASZ	0.4300	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	6-xfdfn 노출 패드	BCM847		350MW	DFN1010B-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	5,000																				45V	100ma	15NA (ICBO)			NPN, PNP	400mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	100MHz
PDZ15BGW, 115	0.0200	RFQ	15	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인									다운로드					귀 99	8541.10.0050	15,000
BZX384-C5V1,115	0.2100	RFQ	396	Nexperia USA Inc.	BZX384	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384		300MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															1.1 v @ 100 ma	2 µa @ 2 v							5.1 v	60 옴
1N4749A, 113	0.3900	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4749		1 W.	DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000															1.2 v @ 200 ma	5 µa @ 18.2 v							24 v	25 옴
BZT52-C6V8,118	-	RFQ	4865	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인					BZT52				다운로드						0000.00.0000	1
buk9mjj-55ptt, 518	-	RFQ	3578	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-	-	-		-		-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934061944518	귀 99	8541.29.0095	1			-		-	-	-	-		-		-	-
PMPB100XPEAX	0.4100	RFQ	8474	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	PMPB100	MOSFET (금속 (()		DFN2020MD-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널	20 v	3.2A (TA)	3V, 4.5V	122mohm @ 3.2a, 4.5v	1.25V @ 250µA	5 nc @ 4.5 v	+8V, -10V	388 pf @ 10 v	-	550MW (TA)
PSMN012-80PS, 127	1.9100	RFQ	5606	Nexperia USA Inc.	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	PSMN012	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널	80 v	74A (TC)	10V	11mohm @ 15a, 10V	4V @ 1MA	43 NC @ 10 v	± 20V	2782 pf @ 12 v	-	148W (TC)
BZX84-C3V6/DG/B3 : 2	-	RFQ	1401	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934065277215	귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma	5 µa @ 1 v							3.6 v	90 옴
BZX84-A3V6	-	RFQ	9997	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인									다운로드						0000.00.0000	1
BZT52H-A75-QX	0.4100	RFQ	7135	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000															900 mV @ 10 ma	50 NA @ 52.5 v							75 v	175 옴
PSMN017-80PS, 127	1.6300	RFQ	6	Nexperia USA Inc.	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	PSMN017	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널	80 v	50A (TC)	10V	17mohm @ 10a, 10V	4V @ 1MA	26 NC @ 10 v	± 20V	1573 pf @ 40 v	-	103W (TC)
BUK7626-100B, 118	1.5200	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	BUK7626	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널	100 v	49A (TC)	10V	26mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA	38 NC @ 10 v	± 20V	2891 pf @ 25 v	-	157W (TC)
PDZ5.6BGW, 118	1.0000	RFQ	6868	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인									다운로드					귀 99	8541.10.0050	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (9943)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²