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불연속 불연속 제품 (9943)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BC847QAPN147 Nexperia USA Inc. BC847QAPN147 -
RFQ
 ECAD 2988 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BC847QAPN147-1727 1
NXV65UPR Nexperia USA Inc. NXV65UPR 0.4400
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.1A (TA) 1.8V, 4.5V 70mohm @ 2.1a, 4.5v 1V @ 250µA 8.7 NC @ 4.5 v ± 8V 458 pf @ 10 v - 340MW (TA), 2.1W (TC)
PUMH9/ZLZ Nexperia USA Inc. pumh9/zlz -
RFQ
 ECAD 4517 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumh9 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 50V 100ma 100NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 230MHz 10kohms 47kohms
BC856BSHF Nexperia USA Inc. BC856BSHF -
RFQ
 ECAD 7839 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC856 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 270MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1727-BC856BSHF 쓸모없는 1 65V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BUK9880-55,135 Nexperia USA Inc. BUK9880-55,135 -
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 55 v 7.5A (TC) 5V 80mohm @ 5a, 5V 2V @ 1mA ± 10V 650 pf @ 25 v - 8.3W (TC)
PSMN8R7-100YSFX Nexperia USA Inc. psmn8r7-100ysfx 2.5100
RFQ
 ECAD 8930 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 psmn8r7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 90A (TJ)
PMDXB550UNEZ Nexperia USA Inc. PMDXB550UNZ 0.4200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMDXB550 MOSFET (금속 (() 285MW DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 30V 590ma 670mohm @ 590ma, 4.5v 950MV @ 250µA 1.05NC @ 4.5V 30.3pf @ 15V -
BZX8850S-C2V0YL Nexperia USA Inc. BZX8850S-C2V0YL 0.3500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 7 µa @ 1 v 2 v 100 옴
PBSS301PD/SG,125 Nexperia USA Inc. PBSS301PD/SG, 125 0.1200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PSMN2R4-30YLDX Nexperia USA Inc. psmn2r4-30yldx 1.0800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn2r4 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 31.3 NC @ 10 v ± 20V 2256 pf @ 15 v - 106W (TC)
BZX585-C10,135 Nexperia USA Inc. BZX585-C10,135 0.0431
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C10 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 200 na @ 7 v 10 v 10 옴
PZU4.7B2A-QX Nexperia USA Inc. PZU4.7B2A-QX 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 1 v 4.65 v 80 옴
BZT52-C33,115 Nexperia USA Inc. BZT52-C33,115 -
RFQ
 ECAD 1647 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 0000.00.0000 1
PMEG3020EGW,115 Nexperia USA Inc. PMEG3020EGW, 115 0.0500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1
BAT54CY-QX Nexperia USA Inc. BAT54CY-QX 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Schottky 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 음극 음극 공통 30 v 200ma 800 mv @ 100 ma 2 µa @ 25 v 150 ° C
PHP225,118 Nexperia USA Inc. PHP225,118 -
RFQ
 ECAD 4864 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PHP225 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 2.3a 250mohm @ 1a, 10V 2.8V @ 1MA 25NC @ 10V 250pf @ 20V 논리 논리 게이트
BZX384-A39-QX Nexperia USA Inc. BZX384-A39-QX 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
BAT32LS-QYL Nexperia USA Inc. BAT32LS-QYL 0.0464
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-882 Schottky DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mv @ 200 ma 2 µa @ 30 v 150 ° C 200ma 20pf @ 1v, 1MHz
PMEG4020ER,115 Nexperia USA Inc. PMEG4020ER, 115 0.3800
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W PMEG4020 Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 490 mV @ 2 a 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 2A 95pf @ 10V, 1MHz
BZX84-C3V0,235 Nexperia USA Inc. BZX84-C3V0,235 0.1600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C3V0 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
BAS316-QZ Nexperia USA Inc. BAS316-QZ 0.0171
RFQ
 ECAD 9077 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAS316 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
BZT52-C3V9,118 Nexperia USA Inc. BZT52-C3V9,118 1.0000
RFQ
 ECAD 1518 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 0000.00.0000 1
PMEG100T120ELPEZ Nexperia USA Inc. PMEG100T120ELPEZ 0.9100
RFQ
 ECAD 886 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG100 Schottky CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 840 mV @ 12 a 28 ns 6 µa @ 100 v 175 ° C 12a 1050pf @ 1v, 1MHz
BZX84J-B5V1,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-B5V1,115 0.3600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-B5V1 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
PSMN3R2-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN3R2-30YLC, 115 -
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 25a, 10V 1.95v @ 1ma 29.5 nc @ 10 v ± 20V 2081 pf @ 15 v - 92W (TC)
BUK9620-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK9620-55A, 118 -
RFQ
 ECAD 4948 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 54A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 2210 pf @ 25 v - 118W (TC)
PUMD4-QX Nexperia USA Inc. PUMD4-QX 0.0544
RFQ
 ECAD 7065 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD4 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-pumd4-qxtr 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V - 10kohms -
PIMH9,115 Nexperia USA Inc. PIMH9,115 0.3700
RFQ
 ECAD 7060 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 PIMH9 600MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V - 10kohms 47kohms
BZX8450-C9V1R Nexperia USA Inc. BZX8450-C9V1R 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 6.9 v 9.1 v 15 옴
BC846BSH-QX Nexperia USA Inc. BC846BSH-QX 0.0305
RFQ
 ECAD 4125 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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