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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NZX24B, 133 | 0.0263 |  | 4185 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | NZX | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | NZX24 | 500MW | ALF2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 50 NA @ 16.8 v | 24.15 v | 70 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
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 | BZV55-C62,115 | 0.1700 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZV55-C62 | 500MW | llds; 최소한 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 43.4 v | 62 v | 215 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002BKVL | 0.2800 | | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 60 v | 350MA (TA) | 10V | 1.6ohm @ 500ma, 10V | 2.1V @ 250µA | 0.6 nc @ 4.5 v | ± 20V | 50 pf @ 10 v | - | 370MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
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 | NX3008PBKV, 115 | 0.4200 | | 6218 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | NX3008 | MOSFET (금속 (() | 500MW | SOT-666 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 220MA | 4.1ohm @ 200ma, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 0.72NC @ 4.5V | 46pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||
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 | PMDPB70XPE, 115 | 0.5400 | | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-ufdfn 노출 패드 | PMDPB70 | MOSFET (금속 (() | 515MW | 6- 휴슨 (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 3A | 79mohm @ 2a, 4.5v | 1.25V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | 600pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9880-55,135 | - | | 3973 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 55 v | 7.5A (TC) | 5V | 80mohm @ 5a, 5V | 2V @ 1mA | ± 10V | 650 pf @ 25 v | - | 8.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BC847QAPN147 | - | | 2988 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BC847QAPN147-1727 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS116H, 115 | 0.2900 | | 73 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | BAS116 | 기준 | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 짐 | 75 v | 1.25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 na @ 75 v | 150 ° C (°) | 215MA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7275-100A, 118 | 1.2000 | | 62 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | BUK7275 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 21.7A (TC) | 10V | 75mohm @ 13a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 1210 pf @ 25 v | - | 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
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 | pmpb8xnx | 0.4400 | | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB8 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 10.1A (TA) | 1.5V, 4.5V | 12mohm @ 10.1a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 30 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1696 pf @ 10 v | - | 1.9W (TA), 12.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | PMEG4005aeaz | 0.4400 | | 137 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | PMEG4005 | Schottky | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 470 mV @ 500 mA | 100 µa @ 40 v | 150 ° C (°) | 500ma | 43pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
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| PMEG040V030EPEZ | 0.5100 | | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | Schottky | CFP15B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 490 mV @ 3 a | 12 ns | 120 µa @ 40 v | 175 ° C | 3A | 370pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| NZX9V1D, 133 | 0.2000 | | 3288 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | NZX | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | NZX9V1 | 500MW | ALF2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 500 na @ 6 v | 9.3 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZ27B-QZ | 0.0241 | | 2943 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, PDZ-BQ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | PDZ27B | 400MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 50 na @ 21 v | 27 v | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||
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| BZB84-B16,215 | 0.3000 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | - | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-B16 | 300MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 양극 양극 공통 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 11.2 v | 16 v | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||
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 | BZV49-C56,115 | 0.6200 | | 34 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-243AA | BZV49-C56 | 1 W. | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1 V @ 50 ma | 50 NA @ 39.2 v | 56 v | 200 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
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2000+
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2800+
전 세계 제조업체
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