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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZX384-A20-QX Nexperia USA Inc. BZX384-A20-QX 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
BZT52H-C4V3,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-C4V3,115 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 95 옴
BCX52-16,135 Nexperia USA Inc. BCX52-16,135 0.4700
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX52 1.3 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 145MHz
BZX84-C18-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-C18-QVL 0.0250
RFQ
 ECAD 1187 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C18-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 12.565 v 17.95 v 45 옴
BUK78150-55A/CUF Nexperia USA Inc. BUK78150-55A/CUF 0.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BUK78150 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 55 v 5.5A (TC) 10V 150mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 230 pf @ 25 v - 8W (TC)
BAV99/8,215 Nexperia USA Inc. BAV99/8,215 -
RFQ
 ECAD 9517 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav99 기준 TO-236AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 100 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
BZV55-B5V6,135 Nexperia USA Inc. BZV55-B5V6,135 0.2400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B5V6 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
PMEG4010ETP-QX Nexperia USA Inc. PMEG4010ETP-QX 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 490 mV @ 1 a 50 µa @ 40 v 175 ° C 1A 1V @ 1V, 1MHz
BUK7V4R2-40HX Nexperia USA Inc. BUK7V4R2-40HX 3.1100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 buk7v4 MOSFET (금속 (() 85W (TA) LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널 교량) 40V 98A (TA) 4.2MOHM @ 20A, 10V 3.6v @ 1ma 37NC @ 10V 2590pf @ 25v -
PMEG3010ET,215 Nexperia USA Inc. PMEG3010ET, 215 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMEG3010 Schottky TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 560 mV @ 1 a 150 µa @ 30 v 150 ° C (°) 1A 70pf @ 1v, 1MHz
BUK6Y33-60PX Nexperia USA Inc. buk6y33-60px 1.2900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk6y33 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 60 v 30A (TA) 4.5V, 10V 33mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 20V 2590 pf @ 30 v - 110W (TA)
PMEG045V100EIPEZ Nexperia USA Inc. PMEG045V100EIPEZ 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 540 mV @ 10 a 22 ns 500 µa @ 45 v 175 ° C 10A 700pf @ 1v, 1MHz
PMEG60T10ELR Nexperia USA Inc. PMEG60T10ELR 1.0000
RFQ
 ECAD 5135 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PMEG60 다운로드 0000.00.0000 1
BZV90-C33,115 Nexperia USA Inc. BZV90-C33,115 0.6000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BZV90-C33 1.5 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1 V @ 50 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 80 옴
BC860CW,115 Nexperia USA Inc. BC860CW, 115 0.2200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC860 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BAS16J,135 Nexperia USA Inc. BAS16J, 135 0.2100
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BAS16 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F BAS16 기준 SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
BZX384-C51F Nexperia USA Inc. BZX384-C51F 0.2100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 5 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
PMV160UP,215 Nexperia USA Inc. PMV160UP, 215 0.4100
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV160 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 1.2A (TA) 1.8V, 4.5V 210mohm @ 1.2a, 4.5v 950MV @ 250µA 4 NC @ 4.5 v ± 8V 365 pf @ 10 v - 335MW (TA), 2.17W (TC)
PBSS4041SN,115 Nexperia USA Inc. PBSS4041SN, 115 -
RFQ
 ECAD 6974 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PBSS4041SN 2.3W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60V 6.7a 100NA 2 NPN (() 350MV @ 350MA, 7A 150 @ 4a, 2v 130MHz
PBSS4330PAS-QX Nexperia USA Inc. PBSS4330PAS-QX 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 600MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 30 v 3 a 100NA NPN 220MV @ 100MA, 2A 300 @ 500ma, 2V 210MHz
BAT120A,115 Nexperia USA Inc. BAT120A, 115 0.6500
RFQ
 ECAD 9708 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BAT120 Schottky SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 25 v 1A (DC) 450 mV @ 1 a 1 ma @ 25 v 125 ° C (°)
PBSS4140T-QVL Nexperia USA Inc. PBSS4140T-QVL 0.0861
RFQ
 ECAD 7909 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS4140T-QVLTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V 150MHz
PZU3.9B1A,115 Nexperia USA Inc. PZU3.9B1A, 115 0.3800
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU3.9 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BUK7Y7R6-40EX Nexperia USA Inc. buk7y7r6-40ex 1.2000
RFQ
 ECAD 9445 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y7 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 79A (TC) 10V 7.6MOHM @ 20A, 10V 4V @ 1MA 26.2 NC @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 94.3W (TC)
NHDTA114YUF Nexperia USA Inc. NHDTA114YUF 0.0310
RFQ
 ECAD 2955 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 NHDTA114 235 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 150MHz 10 KOHMS 47 Kohms
PBSS4350T-QR Nexperia USA Inc. PBSS4350T-QR 0.0864
RFQ
 ECAD 2246 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 1.2 w TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS4350T-QRTR 귀 99 8541.29.0075 3,000 50 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 370mv @ 300ma, 3a 300 @ 1a, 2v 100MHz
BAS35,215 Nexperia USA Inc. BAS35,215 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS35 눈사태 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 90 v 250MA (DC) 1 v @ 200 ma 50 ns 100 na @ 90 v 150 ° C (°)
PMEG4010EPK/HWYL Nexperia USA Inc. PMEG4010EPK/HWYL -
RFQ
 ECAD 1256 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-PMEG4010EPK/HWYL-1727 1
BC856AW-QF Nexperia USA Inc. BC856AW-QF 0.0252
RFQ
 ECAD 1848 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC856 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1727-BC856AW-QFTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
PMEG4030EP-QX Nexperia USA Inc. PMEG4030EP-QX 0.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 490 mV @ 3 a 200 µa @ 40 v 150 ° C 3A 350pf @ 1v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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