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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BZX84-C7V5/DG/B3,2 Nexperia USA Inc. BZX84-C7V5/DG/B3,2 -
RFQ
 ECAD 2509 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065286215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.45 v 15 옴
BAV99S-QF Nexperia USA Inc. BAV99S-QF 0.0553
RFQ
 ECAD 4516 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 bav99 기준 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BAV99S-QFTR 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 연결 연결 시리즈 100 v 200ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C
BZX884S-B2V7-QYL Nexperia USA Inc. BZX884S-B2V7-QYL 0.0478
RFQ
 ECAD 7157 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.85% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BZX384-B6V2-QX Nexperia USA Inc. BZX384-B6V2-QX 0.0436
RFQ
 ECAD 8384 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-B6V2-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
NZH20C,115 Nexperia USA Inc. NZH20C, 115 0.2600
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F NZH20 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 40 na @ 15 v 20 v 28 옴
PSMN5R0-100ES,127 Nexperia USA Inc. PSMN5R0-100ES, 127 -
RFQ
 ECAD 7513 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA psmn5r0 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 170 nc @ 10 v ± 20V 9900 pf @ 50 v - 338W (TC)
TDZ2V7J,115 Nexperia USA Inc. TDZ2V7J, 115 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TDZXJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F TDZ2V7 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
PZU13B3,115 Nexperia USA Inc. PZU13B3,115 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU13 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 10 v 13 v 10 옴
BZV90-C27,115 Nexperia USA Inc. BZV90-C27,115 0.6000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BZV90-C27 1.5 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1 V @ 50 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
PZU6.8B2A115 Nexperia USA Inc. PZU6.8B2A115 -
RFQ
 ECAD 4596 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 100 ma 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 20 옴
BZX84J-C47,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-C47,115 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-C47 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 32.9 v 47 v 90 옴
BZX84J-C27,135 Nexperia USA Inc. BZX84J-C27,135 0.2400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-C27 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 40
BZX84-C18,235 Nexperia USA Inc. BZX84-C18,235 0.1600
RFQ
 ECAD 302 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C18 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
PHK5NQ15T,518 Nexperia USA Inc. phk5nq15t, 518 -
RFQ
 ECAD 3911 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 5A (TC) 5V, 10V 75mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 29 NC @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 25 v - 6.25W (TC)
BC847BSHX Nexperia USA Inc. BC847BSHX -
RFQ
 ECAD 4403 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC847 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 270MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1727-BC847BSHX 쓸모없는 1 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BZV55-C2V7,115 Nexperia USA Inc. BZV55-C2V7,115 0.2100
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C2V7 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BZX84-C5V1/DG/B3R Nexperia USA Inc. BZX84-C5V1/DG/B3R -
RFQ
 ECAD 6026 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065282215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
PDTC114YU/ZLX Nexperia USA Inc. PDTC114YU/ZLX -
RFQ
 ECAD 2908 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 쓸모없는 PDTC114 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
BZX585-C2V7,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C2V7,115 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C2V7 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BZX79-C6V2,113 Nexperia USA Inc. BZX79-C6V2,113 0.1600
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C6V2 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
PMEG2010EAZ Nexperia USA Inc. PMEG2010EAZ 0.3800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 PMEG2010 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 1 a 50 µa @ 15 v 125 ° C (°) 1A 19pf @ 5V, 1MHz
PMEG4020EPK,315 Nexperia USA Inc. PMEG4020EPK, 315 0.4100
RFQ
 ECAD 314 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-xdfn PMEG4020 Schottky DFN1608D-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 660 mV @ 2 a 4 ns 5 µa @ 10 v 150 ° C (°) 2A 90pf @ 1v, 1MHz
BZX84W-C3V9-QX Nexperia USA Inc. BZX84W-C3V9-QX 0.0335
RFQ
 ECAD 8973 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.13% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-C3V9-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BZX84-A10,215 Nexperia USA Inc. BZX84-A10,215 0.5100
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-A10 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
PMEG6010CPA,115 Nexperia USA Inc. PMEG6010CPA, 115 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-powerudfn PMEG6010 Schottky 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 1A 540 mV @ 1 a 40 ns 100 µa @ 60 v 150 ° C (°)
PDTB123YU115 Nexperia USA Inc. PDTB123YU115 0.0300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-PDTB123YU115-1727 1
BUK6209-30C-NEX Nexperia USA Inc. BUK6209-30C-NEX -
RFQ
 ECAD 7843 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BUK6209 - 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 -
MM5Z10VT5GF Nexperia USA Inc. MM5Z10VT5GF 0.2900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM5Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 200 na @ 7 v 10 v 10 옴
BAV170/ZL215 Nexperia USA Inc. BAV170/ZL215 0.0200
RFQ
 ECAD 186 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0070 3,000
BZX84-A13,215 Nexperia USA Inc. BZX84-A13,215 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-A13 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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