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불연속 불연속 제품 (9943)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PDZ36B-QZ Nexperia USA Inc. PDZ36B-QZ 0.0279
RFQ
 ECAD 5632 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PDZ36B-QZTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 27 v 36 v 60 옴
BC857AQB-QZ Nexperia USA Inc. BC857AQB-QZ 0.0381
RFQ
 ECAD 9991 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC857 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BZV85-C5V1,113 Nexperia USA Inc. BZV85-C5V1,113 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C5V1 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 3 µa @ 2 v 5.1 v 10 옴
MM3Z33VT1GX Nexperia USA Inc. MM3Z33VT1GX 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM3Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 80 옴
PBSS4041SPN,115 Nexperia USA Inc. PBSS4041SPN, 115 -
RFQ
 ECAD 5250 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PBSS4041SPN 2.3W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60V 6.7a, 5.9a 100NA NPN, PNP 350MV @ 350MA, 7A / 275MV @ 400MA, 4A 150 @ 4a, 2v / 150 @ 2a, 2v 130MHz, 110MHz
NZX13A,133 Nexperia USA Inc. NZX13A, 133 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX13 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 8 v 12.65 v 35 옴
BZX84W-C2V4F Nexperia USA Inc. BZX84W-C2V4F 0.1800
RFQ
 ECAD 9409 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
PNE200100CPEZ Nexperia USA Inc. PNE200100cpez 0.9900
RFQ
 ECAD 489 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PNE200100 기준 CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 950 MV @ 5 a 30 ns 1 µa @ 200 v 175 ° C (°)
BZX8850S-C2V2-QYL Nexperia USA Inc. BZX8850S-C2V2-QYL 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 4 µa @ 1 v 2.2 v 100 옴
NX138AKSF Nexperia USA Inc. NX138AKSF 0.0511
RFQ
 ECAD 3960 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NX138 MOSFET (금속 (() 1.33W 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070155135 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 60V 170ma (TA) 4.5ohm @ 170ma, 10V 1.5V @ 250µA 1.4NC @ 10V 20pf @ 30V -
BZX84-C39/DG/B2,21 Nexperia USA Inc. BZX84-C39/DG/B2,21 -
RFQ
 ECAD 5263 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934062556215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
BZV55-B13,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B13,115 0.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B13 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
BSH111,235 Nexperia USA Inc. BSH111,235 -
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 55 v 335MA (TA) 1.8V, 4.5V 4ohm @ 500ma, 4.5v 1.3v @ 1ma 1 nc @ 8 v ± 10V 40 pf @ 10 v - 830MW (TC)
BZX8850S-C3V6-QYL Nexperia USA Inc. BZX8850S-C3V6-QYL 0.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 7.5 µa @ 2 v 3.6 v 95 옴
PMEG3030EP,115 Nexperia USA Inc. PMEG3030EP, 115 0.5900
RFQ
 ECAD 275 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 PMEG3030 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 360 MV @ 3 a 5 ma @ 30 v 150 ° C (°) 3A 470pf @ 1v, 1MHz
BAS70XY-QX Nexperia USA Inc. BAS70XY-QX 0.0858
RFQ
 ECAD 6095 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS70 Schottky 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BAS70XY-QXTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 연결 연결 시리즈 70 v 70ma 1 V @ 15 ma 10 µa @ 70 v 150 ° C
BZX8450-C6V2R Nexperia USA Inc. BZX8450-C6V2R 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 6.2 v 10 옴
BZT52-C4V3J Nexperia USA Inc. BZT52-C4V3J 0.2200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 95 옴
PSMN3R7-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN3R7-100BSEJ 4.9400
RFQ
 ECAD 7135 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN3R7 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 120A (TA) 10V 3.95mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 246 NC @ 10 v ± 20V 16370 pf @ 50 v - 405W (TA)
BC846B-QVL Nexperia USA Inc. BC846B-QVL 0.1500
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC846X-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
NHUMD9X Nexperia USA Inc. nhumd9x 0.3900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumd9 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80V 100ma 100NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 170MHz, 150MHz 10kohms 47kohms
BZV55-B47,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B47,115 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B47 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 32.9 v 47 v 170 옴
BAS16VY/ZL,135 Nexperia USA Inc. BAS16VY/ZL, 135 -
RFQ
 ECAD 6864 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BAS16 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BAS16VY/ZL, 135-1727 1
BZX384-C12,115 Nexperia USA Inc. BZX384-C12,115 0.2100
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
PBLS6023D,115 Nexperia USA Inc. PBLS6023D, 115 0.4300
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBLS6023 760MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V, 60V 100ma, 1.5a 1µA, 100NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 150mv @ 500µa, 10ma / 260mv @ 100ma, 1.5a 30 @ 5ma, 5v / 140 @ 1a, 2v 150MHz 10kohms 10kohms
PMBTA06-QR Nexperia USA Inc. PMBTA06-QR 0.0293
RFQ
 ECAD 2227 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBTA06 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 500 MA 50NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
BZX79-B8V2,133 Nexperia USA Inc. BZX79-B8V2,133 0.0268
RFQ
 ECAD 6812 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B8V2 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
PZU6.2B1A,115 Nexperia USA Inc. PZU6.2B1A, 115 0.2800
RFQ
 ECAD 9932 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU6.2 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 3 v 6.2 v 30 옴
BZX84J-C2V7,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-C2V7,115 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-C2V7 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
PSMN3R0-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN3R0-30MLC, 115 0.9600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) PSMN3R0 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 3.15mohm @ 25a, 10V 2.15v @ 1ma 34.8 nc @ 10 v ± 20V 2330 pf @ 15 v - 88W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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