SIC
close

불연속 불연속 제품 (9943)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BUK9M24-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M24-60EX 0.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M24 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 32A (TC) 5V 21mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 12.4 NC @ 5 v ± 10V 1469 pf @ 25 v - 55W (TC)
BAT760F Nexperia USA Inc. BAT760F 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAT760 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 1 a 50 µa @ 15 v 125 ° C (°) 1A 25pf @ 5V, 1MHz
NZX22A,133 Nexperia USA Inc. NZX22A, 133 0.2000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX22 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 50 NA @ 15.4 v 21.4 v 65 옴
PDTA114ET-QVL Nexperia USA Inc. PDTA114ET-QVL 0.0254
RFQ
 ECAD 5226 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PDTA114ET-QVLTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 5MA, 5V 180MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
PMEG150G10ELR-QX Nexperia USA Inc. PMEG150G10ELR-QX 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W PMEG150 시기 (게르마늄 실리콘) SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mv @ 1 a 15 ns 30 na @ 150 v 175 ° C 1A 34pf @ 1v, 1MHz
PBSS4041NT-QR Nexperia USA Inc. PBSS4041NT-QR 0.1740
RFQ
 ECAD 4080 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 390 MW TO-236AB - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBSS4041NT-QRTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 3.8 a 100NA NPN 200mv @ 300ma, 3a 300 @ 500ma, 2V 175MHz
BZX384-C4V3,115 Nexperia USA Inc. BZX384-C4V3,115 0.2100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
2N7002CK,215 Nexperia USA Inc. 2N7002CK, 215 -
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 10V 1.6ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.3 NC @ 4.5 v ± 20V 55 pf @ 25 v - 350MW (TA)
BZX384-B33F Nexperia USA Inc. BZX384-B33F 0.2300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 80 옴
BZX384-C18,115 Nexperia USA Inc. BZX384-C18,115 0.2100
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 12.6 v 18 v 45 옴
PDZ20B/ZL115 Nexperia USA Inc. PDZ20B/ZL115 0.0200
RFQ
 ECAD 6508 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0050 3,000
BZT52-C39-QX Nexperia USA Inc. BZT52-C39-QX 0.0370
RFQ
 ECAD 6851 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.13% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1727-BZT52-C39-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 75 옴
BZX79-C15,143 Nexperia USA Inc. BZX79-C15,143 0.1600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C15 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
PMEG3020EH-QX Nexperia USA Inc. PMEG3020EH-QX 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 620 MV @ 2 a 1 ma @ 30 v 150 ° C 2A 60pf @ 1v, 1MHz
BZX38450-C10F Nexperia USA Inc. BZX38450-C10F 0.2300
RFQ
 ECAD 8742 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX38450 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 7.6 v 10 v 20 옴
2N7002E,215 Nexperia USA Inc. 2N7002E, 215 -
RFQ
 ECAD 6746 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 385MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.69 nc @ 10 v ± 30V 50 pf @ 10 v - 830MW (TA)
BUK7618-55,118 Nexperia USA Inc. BUK7618-55,118 -
RFQ
 ECAD 2856 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 57A (TC) 10V 18mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 16V 2000 pf @ 25 v - 125W (TC)
BZX84-C39-QR Nexperia USA Inc. BZX84-C39-QR 0.0319
RFQ
 ECAD 4493 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C39-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
BC856BQB-QZ Nexperia USA Inc. BC856BQB-QZ 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC856 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BZB984-C4V3,115 Nexperia USA Inc. BZB984-C4V3,115 0.0700
RFQ
 ECAD 8131 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SOT-663 BZB984-C4V3 265 MW SOT-663 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 80 옴
BZX84-A2V4-QR Nexperia USA Inc. BZX84-A2V4-QR 0.1443
RFQ
 ECAD 3405 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-A2V4-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
BAT54-QR Nexperia USA Inc. BAT54-QR 0.0328
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
BZT52H-C15-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-C15-QX 0.0378
RFQ
 ECAD 3317 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.12% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-C15-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 14.7 v 15 옴
BZX79-C39,113 Nexperia USA Inc. BZX79-C39,113 0.1600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C39 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
NZX6V2B,133 Nexperia USA Inc. NZX6V2B, 133 0.2000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX6V2 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 3 µa @ 4 v 5.95 v 15 옴
BZT52-C5V6X Nexperia USA Inc. BZT52-C5V6X 0.2200
RFQ
 ECAD 9277 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.1% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
BZT52-B15J Nexperia USA Inc. BZT52-B15J 0.2400
RFQ
 ECAD 3060 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 15 옴
BZX79-B5V6,133 Nexperia USA Inc. BZX79-B5V6,133 0.2100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-B5V6 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
BZV55-B5V1,135 Nexperia USA Inc. BZV55-B5V1,135 0.2400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B5V1 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
PBHV9050Z,115 Nexperia USA Inc. PBHV9050Z, 115 0.5600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBHV9050 700 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 500 v 250 MA 100NA PNP 350MV @ 20ma, 100ma 80 @ 50MA, 10V 50MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다