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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PDTC124ET-QVL Nexperia USA Inc. PDTC124ET-QVL 0.0254
RFQ
 ECAD 4581 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC124 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PDTC124ET-QVLTR 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V 230MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
PZU5.1B2,115 Nexperia USA Inc. PZU5.1B2,115 0.3700
RFQ
 ECAD 7182 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU5.1 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 1.5 v 5.1 v 60 옴
BZX84-B43,215 Nexperia USA Inc. BZX84-B43,215 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-B43 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 30.1 v 43 v 150 옴
BZX58550-C9V1X Nexperia USA Inc. BZX58550-C9V1X 0.3500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 6.9 v 9.1 v 15 옴
BC857BS-QX Nexperia USA Inc. BC857BS-QX 0.0353
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC857 200 MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BZX884-B3V9,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B3V9,315 0.3200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B3V9 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BZV85-C15,113 Nexperia USA Inc. BZV85-C15,113 0.3900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C15 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 15 옴
PMN35EN,125 Nexperia USA Inc. PMN35EN, 125 -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 5.1A (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 5.1a, 10V 2.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 v ± 20V 334 pf @ 15 v - 500MW (TA)
BAT42LS-QYL Nexperia USA Inc. BAT42LS-QYL 0.0454
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-882 Schottky DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 600 mv @ 200 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C 200ma 20pf @ 1v, 1MHz
BZX79-C51,143 Nexperia USA Inc. BZX79-C51,143 0.0258
RFQ
 ECAD 1680 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C51 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 933117960143 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
BZB84-B24,215 Nexperia USA Inc. BZB84-B24,215 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B24 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
BZX84-A6V8,215 Nexperia USA Inc. BZX84-A6V8,215 0.5100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-A6V8 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
PMCB60XNEZ Nexperia USA Inc. PMCB60XNEZ 0.5300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn MOSFET (금속 (() DSN1006-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 3.5A (TA) 1.8V, 4.5V 55mohm @ 3.5a, 4.5v 1.1V @ 250µA 7.5 NC @ 4.5 v ± 12V 420 pf @ 15 v - 480MW (TA), 7W (TC)
MM5Z4V3T5GF Nexperia USA Inc. MM5Z4V3T5GF 0.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM5Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
BUK6D125-60EX Nexperia USA Inc. BUK6D125-60EX 0.5100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 BUK6D125 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 2.7A (TA), 7.4A (TC) 4.5V, 10V 125mohm @ 2.7a, 10V 2.7V @ 250µA 6 nc @ 10 v ± 20V 196 pf @ 30 v - 2W (TA), 15W (TC)
PMEG2010ER-QX Nexperia USA Inc. PMEG2010ER-QX 0.4400
RFQ
 ECAD 3978 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W Schottky SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 340 mV @ 1 a 1 ma @ 20 v 150 ° C 1A 175pf @ 1v, 1MHz
BZV49-C16,115 Nexperia USA Inc. BZV49-C16,115 0.6200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-243AA BZV49-C16 1 W. SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1 V @ 50 ma 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
BZV55-C20,115 Nexperia USA Inc. BZV55-C20,115 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C20 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
2PD602ASL-QR Nexperia USA Inc. 2PD602ASL-QR 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 500 MA 10NA (ICBO) NPN 600V @ 30MA, 300MA 170 @ 150ma, 10V 180MHz
BZX84-B10/DG/B3,21 Nexperia USA Inc. BZX84-B10/DG/B3,21 -
RFQ
 ECAD 2009 년 년 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065249215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
BZT52-C47115 Nexperia USA Inc. BZT52-C47115 1.0000
RFQ
 ECAD 6849 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
BZT52-B51X Nexperia USA Inc. BZT52-B51X 0.0417
RFQ
 ECAD 5700 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.96% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 100 옴
BZX384-B9V1,115 Nexperia USA Inc. BZX384-B9V1,115 0.2300
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
BZT52-C2V7-QX Nexperia USA Inc. BZT52-C2V7-QX 0.0370
RFQ
 ECAD 9490 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.41% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1727-BZT52-C2V7-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 83 옴
BZX84-B15-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-B15-QVL 0.0314
RFQ
 ECAD 3930 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-B15-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
NX7002AKAR Nexperia USA Inc. NX7002AKAR 0.0264
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 190ma (TA) 4.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.43 nc @ 4.5 v 17 pf @ 10 v - 265MW (TA), 1.33W (TC)
BZV49-C6V2,115 Nexperia USA Inc. BZV49-C6V2,115 0.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-243AA BZV49-C6V2 1 W. SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1 V @ 50 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
BZX38450-C4V7-QF Nexperia USA Inc. BZX38450-C4V7-QF 0.2400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX38450-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX38450 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 4.7 v 80 옴
BZV85-C5V1,133 Nexperia USA Inc. BZV85-C5V1,133 0.3900
RFQ
 ECAD 893 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C5V1 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 3 µa @ 2 v 5.1 v 10 옴
BZX79-C47,143 Nexperia USA Inc. BZX79-C47,143 0.1600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C47 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 700 mV 47 v 170 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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