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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | BUK7M33-60EX | 0.7400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) | buk7m33 | MOSFET (금속 (() | LFPAK33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 24A (TC) | 10V | 33mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 10.9 NC @ 10 v | ± 20V | 628 pf @ 25 v | - | 44W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | nhumh1x | 0.3900 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | nhumh1 | 350MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80V | 100ma | 100NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 100mv @ 500µa, 10ma | 70 @ 10ma, 5V | 170MHz | 22kohms | 22kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
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BZX84-B2V7-QR | 0.0400 | ![]() | 1849 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-BZX84-B2V7-QRTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 20 µa @ 1 v | 2.7 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BUK954R4-40B, 127 | - | ![]() | 3285 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 64 NC @ 5 v | ± 15V | 7124 pf @ 25 v | - | 254W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB27EP, 115 | 0.5400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB27 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 6.1A (TA) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 6.1a, 10V | 2.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1570 pf @ 15 v | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | PZU5.1B2,115 | 0.3700 | ![]() | 7182 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | PZU5.1 | 310 MW | SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 2 µa @ 1.5 v | 5.1 v | 60 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BZX58550-C9V1X | 0.3500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | 300MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 6.9 v | 9.1 v | 15 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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