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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | BUK9Y25-60E, 115 | 0.9800 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk9y25 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 34A (TC) | 5V | 21.5mohm @ 10a, 10V | 2.1v @ 1ma | 12 nc @ 5 v | ± 10V | 1500 pf @ 25 v | - | 65W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
BZX84-B2V7-QR | 0.0400 | ![]() | 1849 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-BZX84-B2V7-QRTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 20 µa @ 1 v | 2.7 v | 100 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BUK9Y11-30B, 115 | - | ![]() | 8410 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk9y11 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 59A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 16.5 nc @ 5 v | ± 15V | 1614 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
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![]() | BC857BS-QX | 0.0353 | ![]() | 9131 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC857 | 200 MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BAT42LS-QYL | 0.0454 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-882 | Schottky | DFN1006BD-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 40 v | 600 mv @ 200 ma | 10 µa @ 40 v | 150 ° C | 200ma | 20pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMGD370XN, 115 | - | ![]() | 7077 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PMGD370 | MOSFET (금속 (() | 410MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 740ma | 440mohm @ 200ma, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 0.65NC @ 4.5V | 37pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BUK9M52-40EX | 0.6100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) | BUK9M52 | MOSFET (금속 (() | LFPAK33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 17.6A (TJ) | 5V, 10V | 40mohm @ 5a, 10V | 2.1v @ 1ma | 4.5 nc @ 5 v | ± 10V | 407 pf @ 25 v | - | 31W | ||||||||||||||||||||||||
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![]() | BZX84J-C68,115 | 0.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | BZX84J-C68 | 550 MW | SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 50 NA @ 47.6 v | 68 v | 160 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PIMZ2,125 | 0.0782 | ![]() | 2249 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | pimz2 | 300MW | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934057906125 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 250mv @ 5ma, 50ma / 500mv @ 5ma, 50ma | 120 @ 1ma, 6V | 100MHz, 190MHz | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | PZU30B, 115 | 0.0616 | ![]() | 3178 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | PZU30 | 310 MW | SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 v @ 100 ma | 50 na @ 23 v | 30 v | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NHUMB13X | 0.3900 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NHUMB13 | 350MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80V | 100ma | 100NA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 100mv @ 500µa, 10ma | 100 @ 10ma, 5V | 150MHz | 4.7kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C4V7,115 | 0.2100 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZV55-C4V7 | 500MW | llds; 최소한 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 2 v | 4.7 v | 80 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C22,133 | 0.1600 | ![]() | 749 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | BZX79-C22 | 400MW | ALF2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 15.4 v | 22 v | 55 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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재고 창고