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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	빈도	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 현재 (amp)	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	노이즈 노이즈	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
BUK9640-100A/C1,118	0.4300	RFQ	40	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인										다운로드						0000.00.0000	1
pmv160upvl	0.0789	RFQ	2722	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMV160		MOSFET (금속 (()		TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000			p 채널				20 v	1.2A (TA)	1.8V, 4.5V	210mohm @ 1.2a, 4.5v	950MV @ 250µA	4 NC @ 4.5 v	± 8V	365 pf @ 10 v	-	335MW (TA)
PSMN1R0-30YLC, 115	2.2300	RFQ	16	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	PSMN1R0		MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널				30 v	100A (TC)	4.5V, 10V	1.15mohm @ 25a, 10V	1.95v @ 1ma	103.5 nc @ 10 v	± 20V	6645 pf @ 15 v	-	272W (TC)
BAV23-QR	0.0687	RFQ	9761	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-253-4, TO-253AA	BAV23		기준		SOT-143B	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-BAV23-QRTR	귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																2 독립	200 v	225MA	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	150 ° C
on5233,118	0.2000	RFQ	30	Nexperia USA Inc.	-	대부분	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		-	-		DPAK	-					귀 99	8541.29.0095	1	-			-	-	-											-
BZX84W-C36X	0.0313	RFQ	4575	Nexperia USA Inc.	BZX84W	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BZX84W			275 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																					900 mV @ 10 ma		50 na @ 25.2 v					36 v	90 옴
PSMN011-80ys, 115	1.2500	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	PSMN011		MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널				80 v	67A (TC)	10V	11mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA	45 NC @ 10 v	± 20V	2800 pf @ 40 v	-	117W (TC)
BCP55-16,115	0.4700	RFQ	28	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	BCP55			1.35 w	SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000																									60 v	1 a	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	180MHz
HPZR-C56-QX	0.4200	RFQ	3408	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, HPZR-Q	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123W				682 MW	SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																					1 v @ 100 ma		100 na @ 48 v					56 v	65.72 옴
PMPB15XPZ	0.1711	RFQ	7002	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	PMPB15		MOSFET (금속 (()		DFN2020MD-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934066615184	귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널				12 v	8.2A (TA)	1.8V, 4.5V	19mohm @ 8.2a, 4.5v	900MV @ 250µA	100 nc @ 4.5 v	± 12V	2875 pf @ 6 v	-	1.7W (TA), 12.5W (TC)
BC857W-QX	0.0322	RFQ	9871	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC857			200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	1727-BC857W-QXTR	귀 99	8541.21.0095	3,000																									45 v	100 MA	15NA (ICBO)			PNP	600mv @ 5ma, 100ma	125 @ 2MA, 5V	100MHz
PDTC114ET-QVL	0.0247	RFQ	40	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTC114			250 MW	TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000																									50 v	100 MA	1µA			npn-사전-	150mv @ 500µa, 10ma	30 @ 5MA, 5V	230MHz	10 KOHMS	10 KOHMS
PSMN033-100HLX	1.9000	RFQ	9394	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-1205, 8-LFPAK56	PSMN033		MOSFET (금속 (()	64W (TA)	LFPAK56D	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500	2 n 채널 (채널)						100V	26A (TA)		31mohm @ 5a, 10V	2.1v @ 1ma	27.3NC @ 5V		3168pf @ 25v	논리 논리 게이트
buk7e1r8-40e, 127	-	RFQ	2414	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()		i2pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널				40 v	120A (TC)	10V	1.8mohm @ 25a, 10V	4V @ 1MA	145 NC @ 10 v	± 20V	11340 pf @ 25 v	-	349W (TC)
phkd3nq10t, 518	-	RFQ	6186	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	phkd3		MOSFET (금속 (()	2W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	934055906518	귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)						100V	3A		90mohm @ 1.5a, 10V	4V @ 1MA	21NC @ 10V		633pf @ 20V	논리 논리 게이트
BUK9107-40ATC, 118	-	RFQ	1270	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB			MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널				40 v	75A (TC)	4.5V, 10V	6.2mohm @ 50a, 10V	2V @ 1mA		± 15V	5836 pf @ 25 v	온도 온도 다이오드	272W (TC)
MMBTA42-QR	0.0463	RFQ	8099	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW	TO-236AB	다운로드					귀 99	8541.21.0095	3,000																									300 v	100 MA	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 2ma, 20ma	40 @ 30MA, 10V	50MHz
PMCM440VNE/S500Z	-	RFQ	1377	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-XFBGA, WLCSP			MOSFET (금속 (()		4-WLCSP (0.78x0.78)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934069563084	귀 99	8541.29.0095	9,000			n 채널				12 v	5A (TA)	1.5V, 4.5V	67mohm @ 3a, 4.5v	900MV @ 250µA	8.2 NC @ 4.5 v	± 8V	360 pf @ 6 v	-	12.5W (TC)
ph1330al, 115	-	RFQ	3712	Nexperia USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-	표면 표면	SOT-1023, 4-LFPAK	PH1330		MOSFET (금속 (()		LFPAK56; Power-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934064142115	귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널				30 v	100A (TC)		1.3mohm @ 15a, 10V	2.15v @ 1ma	100 nc @ 10 v		6227 pf @ 12 v	-	-
BZX384-A6V2X	0.1463	RFQ	2433	Nexperia USA Inc.	BZX384-A	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384			300MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-BZX384-A6V2XTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																					1.1 v @ 100 ma		3 µa @ 4 v					6.2 v	10 옴
pmpb10xneax	0.1676	RFQ	2484	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	PMPB10		MOSFET (금속 (()		DFN2020MD-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934070922115	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널				20 v	9A (TA)	1.8V, 4.5V	14mohm @ 9a, 4.5v	900MV @ 250µA	34 NC @ 4.5 v	± 12V	2175 pf @ 10 v	-	1.7W (TA), 12.5W (TC)
BUK6226-75C, 118	-	RFQ	2566	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널				75 v	33A (TC)	10V	29mohm @ 12a, 10V	2.8V @ 1MA	34 NC @ 10 v	± 16V	2000 pf @ 25 v	-	80W (TC)
psmn2r4-30mldx	1.1200	RFQ	21	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드)	psmn2r4		MOSFET (금속 (()		LFPAK33	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널				30 v	70A (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 25a, 10V	2.2v @ 1ma	51 NC @ 10 v	± 20V	3264 pf @ 15 v	-	91W (TC)
psmn2r0-25yldx	1.2700	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	PSMN2R0		MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널				25 v	100A (TC)	4.5V, 10V	2.09mohm @ 25a, 10V	2.2v @ 1ma	34.1 NC @ 10 v	± 20V	2485 pf @ 12 v	Schottky Diode (Body)	115W (TC)
BUK6246-75C, 118	-	RFQ	2649	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널				75 v	22A (TC)	4.5V, 10V	46mohm @ 10a, 10V	2.8V @ 1MA	21.4 NC @ 10 v	± 16V	1280 pf @ 25 v	-	60W (TC)
on5258,215	-	RFQ	8899	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	on5258	-	-		TO-236AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934058041215	귀 99	8541.29.0095	3,000	-			-	-	-											-
BZT52-B3V6J	0.2400	RFQ	6840	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.94%	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면	SOD-123	BZT52			590 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v					3.6 v	95 옴
PDZ4.7BGWX	0.2200	RFQ	2185	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, PDZ-GW	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.13%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	PDZ4.7			365 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																					1.1 v @ 100 ma		2 µa @ 1 v					4.7 v	90 옴
BZX84-C11-QR	0.0319	RFQ	4419	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW	TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-BZX84-C11-QRTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v					11 v	20 옴
NHUMH13X	0.3900	RFQ	100	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	nhumh13			350MW	6-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																									80V	100ma	100NA			2 npn--바이어스 (듀얼)	100mv @ 500µa, 10ma	100 @ 10ma, 5V	170MHz	4.7kohms	47kohms

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (9943)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²