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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZX79-C43,113 Nexperia USA Inc. BZX79-C43,113 0.1600
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C43 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 700 mV 43 v 150 옴
BC847AW-QX Nexperia USA Inc. BC847AW-QX 0.0221
RFQ
 ECAD 7675 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC847XW-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BZV55-B4V3,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B4V3,115 0.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B4V3 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
PDZ20B-QZ Nexperia USA Inc. PDZ20B-QZ 0.0279
RFQ
 ECAD 7662 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PDZ20B-QZTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 15 v 20 v 20 옴
BAW56SRA-QZ Nexperia USA Inc. BAW56SRA-QZ 0.0558
RFQ
 ECAD 8148 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 baw56 기준 DFN1412-6 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BAW56SRA-QZTR 귀 99 8541.10.0070 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 양극 양극 공통 90 v 375ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C
BZX384-A39X Nexperia USA Inc. BZX384-A39X 0.1463
RFQ
 ECAD 2133 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384-A 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-A39XTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 75 옴
BZX84-A3V6,215 Nexperia USA Inc. BZX84-A3V6,215 0.5100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-A3V6 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
BUK7S2R0-40HJ Nexperia USA Inc. BUK7S2R0-40HJ 2.6500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 190a (TA) 10V 2MOHM @ 25A, 10V 3.6v @ 1ma 70 nc @ 10 v +20V, -10V 5075 pf @ 25 v - 183W (TA)
BZT52H-A36X Nexperia USA Inc. BZT52H-A36X 0.1463
RFQ
 ECAD 6501 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZT52H-A 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-A36XTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 25.2 v 36 v 60 옴
BZX884S-C2V7-QYL Nexperia USA Inc. BZX884S-C2V7-QYL 0.0426
RFQ
 ECAD 6271 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.41% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BZX84-B10-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-B10-QVL 0.0314
RFQ
 ECAD 1448 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-B10-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
PBHV9115T-QR Nexperia USA Inc. PBHV9115T-QR 0.1351
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBHV9115T-QRTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 150 v 1 a 100NA PNP 300mv @ 100ma, 500ma 100 @ 100ma, 10V 115MHz
BZX384-C5V1-QX Nexperia USA Inc. BZX384-C5V1-QX 0.0390
RFQ
 ECAD 8539 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-C5V1-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BUK6D230-80EX Nexperia USA Inc. BUK6D230-80EX 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 buk6d230 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 1.9A (TA), 5.1A (TC) 4.5V, 10V 230mohm @ 1.9a, 10V 2.7V @ 250µA 7.2 NC @ 10 v ± 20V 215 pf @ 40 v - 2W (TA), 15W (TC)
BZT52H-B7V5-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-B7V5-QX 0.0434
RFQ
 ECAD 4609 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-B7V5-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 10 옴
BZT52-B3V9J Nexperia USA Inc. BZT52-B3V9J 0.2400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.05% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 95 옴
PMV100XPEA,215 Nexperia USA Inc. PM100XPEA, 215 -
RFQ
 ECAD 9595 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 20 v 2.4A (TA) 128mohm @ 2.4a, 4.5v 1.25V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 12V 386 pf @ 10 v - 463MW (TA), 4.45W (TC)
PMEG060T100CLPE-QZ Nexperia USA Inc. PMEG060T100CLPE-QZ 0.7900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG060 Schottky CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 5a 690 mV @ 5 a 17 ns 1.8 µa @ 60 v 175 ° C
BZX884S-B3V3-QYL Nexperia USA Inc. BZX884S-B3V3-QYL 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.12% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
BUK7620-100A,118 Nexperia USA Inc. BUK7620-100A, 118 -
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 63A (TC) 10V 20mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 4373 pf @ 25 v - 200W (TC)
PSMN4R8-100YSEX Nexperia USA Inc. psmn4r8-100ysex 3.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 120A (TA) 10V 4.8mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 120 nc @ 10 v ± 20V 8290 pf @ 50 v - 294W (TA)
BZT52-B20J Nexperia USA Inc. BZT52-B20J 0.2400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 14 v 20 v 20 옴
BC847C-QVL Nexperia USA Inc. BC847C-QVL 0.0163
RFQ
 ECAD 1597 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC847X-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BAS321-QZ Nexperia USA Inc. BAS321-QZ 0.0263
RFQ
 ECAD 6668 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BAS321-QZTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C 250ma 2pf @ 0V, 1MHz
BZX884-B43,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B43,315 0.3200
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B43 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 30.1 v 43 v 150 옴
NHUMB9X Nexperia USA Inc. nhumb9x 0.3900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumb9 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80V 100ma 100NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 100 @ 10ma, 5V 150MHz 10kohms 47kohms
PMEG10020AELP-QX Nexperia USA Inc. PMEG10020P-QX 0.4300
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 mv @ 2 a 5 ns 300 NA @ 100 v 175 ° C 2A 50pf @ 10V, 1MHz
BUK6217-55C,118 Nexperia USA Inc. BUK6217-55C, 118 -
RFQ
 ECAD 2425 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 44A (TC) 10V 19mohm @ 12a, 10V 2.8V @ 1MA 33.8 nc @ 10 v ± 16V 1950 pf @ 25 v - 80W (TC)
BZX384-A36X Nexperia USA Inc. BZX384-A36X 0.1463
RFQ
 ECAD 8682 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384-A 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-A36XTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 25.2 v 36 v 60 옴
BZX884D-B10YL Nexperia USA Inc. BZX884D-B10YL 0.0600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BZX884D-B10YL-1727 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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