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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PZU13BL,315 Nexperia USA Inc. PZU13BL, 315 0.0382
RFQ
 ECAD 8431 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 PZU13 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934061596315 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 10 v 13 v 10 옴
PMEG6010CEJ-QX Nexperia USA Inc. PMEG6010CEJ-QX 0.0956
RFQ
 ECAD 3761 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PMEG6010CEJ-QXTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 660 mV @ 1 a 50 µa @ 60 v 150 ° C 1A 60pf @ 1v, 1MHz
BZT52H-C3V3-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-C3V3-QX 0.0378
RFQ
 ECAD 4216 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-C3V3-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
BZT52-C33-QX Nexperia USA Inc. BZT52-C33-QX 0.0370
RFQ
 ECAD 1375 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1727-BZT52-C33-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 40
PZU6.2B3A-QX Nexperia USA Inc. PZU6.2B3A-QX 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 µa @ 3 v 6.4 v 30 옴
BUK9C10-55BIT/A,11 Nexperia USA Inc. BUK9C10-55 비트/a, 11 -
RFQ
 ECAD 5757 0.00000000 Nexperia USA Inc. 트렌치 트렌치 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 75A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA 51 NC @ 5 v ± 15V 4667 pf @ 25 v - 194W (TA)
BZX84W-B8V2F Nexperia USA Inc. BZX84W-B8V2F 0.2200
RFQ
 ECAD 558 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
2N7002CK Nexperia USA Inc. 2N7002CK -
RFQ
 ECAD 5429 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 2N7002 다운로드 0000.00.0000 1
BZX84-A51,215 Nexperia USA Inc. BZX84-A51,215 0.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-A51 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
BZX84-C4V7/DG/B3:2 Nexperia USA Inc. BZX84-C4V7/DG/B3 : 2 -
RFQ
 ECAD 6382 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065281235 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
PDTC114EU/ZLX Nexperia USA Inc. PDTC114EU/ZLX -
RFQ
 ECAD 2074 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 쓸모없는 PDTC114 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
BZX84-A10-QR Nexperia USA Inc. BZX84-A10-QR 0.1443
RFQ
 ECAD 4738 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-A10-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
BUK9K35-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K35-60E, 115 0.8400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK9K35 MOSFET (금속 (() 38W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 22A 32mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 14.2NC @ 10V 1081pf @ 25v 논리 논리 게이트
PSMN8R7-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN8R7-80BS, 118 1.8200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn8r7 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 90A (TC) 10V 8.7mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 v ± 20V 3346 pf @ 40 v - 170W (TC)
BCX56-QF Nexperia USA Inc. BCX56-QF 0.1118
RFQ
 ECAD 4715 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BCX56-QFTR 귀 99 8541.21.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
PXN9R0-30QLJ Nexperia USA Inc. PXN9R0-30QLJ 0.5400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11.4A (TA), 41.8A (TC) 4.5V, 10V 9.1MOHM @ 11.4A, 10V 2.5V @ 250µA 20.7 NC @ 10 v ± 20V 865 pf @ 15 v - 1.9W (TA), 26W (TC)
PZU5.6BA,115 Nexperia USA Inc. PZU5.6BA, 115 0.2800
RFQ
 ECAD 8354 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU5.6 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 1 µa @ 2.5 v 5.6 v 40
BZX84-B22-QVL Nexperia USA Inc. BZX84-B22-QVL 0.0314
RFQ
 ECAD 7021 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-B22-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 15.4 v 22 v 55 옴
BAS40-05-QR Nexperia USA Inc. BAS40-05-QR 0.0478
RFQ
 ECAD 9195 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BAS40-05-QRTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 120ma 1 v @ 40 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C
BZX384-B12-QX Nexperia USA Inc. BZX384-B12-QX 0.0436
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-B12-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
BZX884S-C24-QYL Nexperia USA Inc. BZX884S-C24-QYL 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.08% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
BZX8850S-C4V3-QYL Nexperia USA Inc. BZX8850S-C4V3-QYL 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 4 µa @ 2 v 4.3 v 95 옴
BZT52H-B2V4,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-B2V4,115 0.2300
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
BC806-25HR Nexperia USA Inc. BC806-25HR 0.2800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC806 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 80MHz
PSMN1R0-30YLEX Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLEX 2.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 275A (TA) 7V, 10V 1.11mohm @ 25a, 10V 2.2V @ 2MA 119 NC @ 10 v ± 20V 7389 pf @ 15 v - 224W (TA)
BZX84W-C75-QF Nexperia USA Inc. BZX84W-C75-QF 0.0263
RFQ
 ECAD 3911 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-C75-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 52.15 v 74.5 v 255 옴
PBLS4005Y-QX Nexperia USA Inc. PBLS4005Y-QX 0.1055
RFQ
 ECAD 3174 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PBLS4005 200MW 6-TSSOP - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBLS4005Y-QXTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V, 40V 100ma, 500ma 1µA, 100NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 150MV @ 500µA, 10V / 350MV @ 50MA, 500ma 80 @ 5ma, 5v / 200 @ 10ma, 2v 300MHz 47kohms 47kohms
BUK9M20-60ELX Nexperia USA Inc. BUK9M20-60ELX 1.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 40A (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 56 NC @ 10 v ± 10V 2941 pf @ 25 v - 79.4W (TC)
BZT52-B68-QX Nexperia USA Inc. BZT52-B68-QX 0.0438
RFQ
 ECAD 7177 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 47.6 v 68 v 160 옴
PMX700ENZ Nexperia USA Inc. pmx700enz 0.4300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0201 (0603 메트릭) MOSFET (금속 (() DFN0603-3 (SOT8013) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 800mohm @ 400ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.1 NC @ 10 v ± 20V 39 pf @ 30 v - 300MW (TA), 4.7W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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