SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PHN203,518 Nexperia USA Inc. PHN203,518 -
RFQ
ECAD 1781 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PHN203 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6.3A 30mohm @ 7a, 10V 2V @ 1mA 14.6NC @ 10V 560pf @ 20V 논리 논리 게이트
PH7630DLX Nexperia USA Inc. ph7630dlx -
RFQ
ECAD 1833 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 - pH7630 MOSFET (금속 (() - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v - - - - -
BUK762R4-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK762R4-60E, 118 1.8586
RFQ
ECAD 2179 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK762 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 2.4mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 158 NC @ 10 v ± 20V 11180 pf @ 25 v - 357W (TC)
PSMN2R0-60PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN2R0-60PS, 127 4.2000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMN2R0 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 2.2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 137 NC @ 10 v ± 20V 9997 pf @ 30 v - 338W (TC)
BAW56S-QX Nexperia USA Inc. BAW56S-QX 0.0504
RFQ
ECAD 2999 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 baw56 기준 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 양극 양극 공통 90 v 250MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C
PMV35EPER Nexperia USA Inc. pmv35eper 0.5900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV35 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 4.2a, 10V 3V @ 250µA 19.2 NC @ 10 v ± 20V 793 pf @ 15 v - 480MW (TA), 1.2W (TC)
BUK7535-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK7535-55A, 127 -
RFQ
ECAD 9302 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 35A (TC) 10V 35mohm @ 20a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 872 pf @ 25 v - 85W (TC)
PSMN5R0-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN5R0-80BS, 118 2.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn5r0 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 100A (TC) 10V 5.1mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 101 NC @ 10 v ± 20V 6793 pf @ 40 v - 270W (TC)
BZX384-B56F Nexperia USA Inc. BZX384-B56F 0.2300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 5 na @ 39.2 v 56 v 200 옴
PZU18B,115 Nexperia USA Inc. PZU18B, 115 0.2200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU18 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 13 v 18 v 20 옴
PMST5550,135 Nexperia USA Inc. PMST5550,135 0.0426
RFQ
ECAD 5846 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMST5550 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 140 v 300 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
BST82,235 Nexperia USA Inc. BST82,235 0.4000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BST82 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 100 v 190ma (TA) 5V 10ohm @ 150ma, 5V 2V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 10 v - 830MW (TC)
PMPB43XPE,115 Nexperia USA Inc. PMPB43XPE, 115 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB43 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5A (TA) 1.8V, 4.5V 48mohm @ 5a, 4.5v 900MV @ 250µA 23.4 NC @ 4.5 v ± 12V 1550 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
PUMD15/ZLX Nexperia USA Inc. PUMD15/ZLX -
RFQ
ECAD 1189 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD15 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V 230MHz, 180MHz 4.7kohms 4.7kohms
BUK7907-55AIE,127 Nexperia USA Inc. BUK7907-55AIE, 127 -
RFQ
ECAD 4760 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 116 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 272W (TC)
PLVA659A/DG/B2215 Nexperia USA Inc. PLVA659A/DG/B2215 0.0800
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PLVA659 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0050 3,000
BUK9K12-60EX Nexperia USA Inc. BUK9K12-60EX 2.0200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK9K12 MOSFET (금속 (() 68W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 60V 35a 10.7mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 24.5NC @ 5V 3470pf @ 25v 논리 논리 게이트
NZX13C,133 Nexperia USA Inc. NZX13C, 133 0.0263
RFQ
ECAD 9981 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX13 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 8 v 13.15 v 35 옴
BZX84-B4V7-QR Nexperia USA Inc. BZX84-B4V7-QR 0.0393
RFQ
ECAD 4720 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-B4V7-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
BZX84W-C3V6X Nexperia USA Inc. BZX84W-C3V6X 0.0313
RFQ
ECAD 5135 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
PZU9.1DB2,115 Nexperia USA Inc. PZU9.1DB2,115 -
RFQ
ECAD 8945 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 250 MW 5-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 10 옴
SZMM3Z51VT1GX Nexperia USA Inc. szmm3z51vt1gx 0.2700
RFQ
ECAD 80 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
BZT52H-B75-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-B75-QX 0.0434
RFQ
ECAD 2882 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-B75-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 52.5 v 75 v 175 옴
BZX585-C36F Nexperia USA Inc. BZX585-C36F 0.0431
RFQ
ECAD 2019 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C36 SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934057429135 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
PSMN4R0-30YLDX Nexperia USA Inc. psmn4r0-30yldx 0.9000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn4r0 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 95A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 19.4 NC @ 10 v ± 20V 1272 pf @ 15 v - 64W (TC)
BSS123/LF1R Nexperia USA Inc. BSS123/LF1R -
RFQ
ECAD 8359 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069493215 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 150MA (TA) 10V 6ohm @ 120ma, 10V 2.8V @ 1MA ± 20V 40 pf @ 25 v - 250MW (TA)
BC847,235 Nexperia USA Inc. BC847,235 0.1400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BZT52H-A3V9-QX Nexperia USA Inc. BZT52H-A3V9-QX 0.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.03% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 95 옴
BZX384-A6V8-QX Nexperia USA Inc. BZX384-A6V8-QX 0.4100
RFQ
ECAD 2317 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
BZX84-A13-QR Nexperia USA Inc. BZX84-A13-QR 0.4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고