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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BC807-40LWX Nexperia USA Inc. BC807-40LWX 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC807 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 80MHz
BUK9Y7R6-40E/DMANX Nexperia USA Inc. buk9y7r6-40e/dmanx -
RFQ
 ECAD 1290 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-buk9y7r6-40e/dmanx 귀 99 8541.29.0095 1
BUK763R1-40B Nexperia USA Inc. BUK763R1-40B -
RFQ
 ECAD 8671 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PMEG2010EA-QZ Nexperia USA Inc. PMEG2010EA-QZ 0.0736
RFQ
 ECAD 3731 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 PMEG2010 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PMEG2010EA-QZTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 1 a 50 µa @ 15 v 125 ° C 1A 19pf @ 5V, 1MHz
PHPT60406PYX Nexperia USA Inc. phpt60406pyx 0.6700
RFQ
 ECAD 566 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PHPT60406 1.35 w LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500 40 v 6 a 100NA PNP 540mv @ 300ma, 6a 210 @ 500ma, 2V 110MHz
2PB1219AR,115 Nexperia USA Inc. 2PB1219AR, 115 0.0509
RFQ
 ECAD 9277 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2PB1219 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 30ma, 300ma 120 @ 150ma, 10V 120MHz
BZX38450-C4V7-QX Nexperia USA Inc. BZX38450-C4V7-QX 0.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX38450-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX38450 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 4.7 v 80 옴
PSMN016-100PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN016-100PS, 127 2.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMN016 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 57A (TJ) 10V 16mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 49 NC @ 10 v ± 20V 2404 pf @ 50 v - 148W (TC)
BUK9832-55A/CUX Nexperia USA Inc. BUK9832-55A/CUX 0.9100
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BUK9832 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 12A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 8a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 1594 pf @ 25 v - 8W (TC)
PMN40UPEAX Nexperia USA Inc. pmn40upeax -
RFQ
 ECAD 9070 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN40 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068549115 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.7A (TA) 1.8V, 4.5V 43mohm @ 3a, 4.5v 950MV @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 8V 1820 pf @ 10 v - 500MW (TA), 8.33W (TC)
BZT52-B6V2J Nexperia USA Inc. BZT52-B6V2J 0.2400
RFQ
 ECAD 363 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.94% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
BUK6C3R3-75C,118 Nexperia USA Inc. BUK6C3R3-75C, 118 -
RFQ
 ECAD 5798 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 181A (TC) 10V 3.4mohm @ 90a, 10V 2.8V @ 1MA 253 NC @ 10 v ± 16V 15800 pf @ 25 v - 300W (TC)
PSMN040-100MSEX Nexperia USA Inc. psmn040-100msex 0.9800
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) PSMN040 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 30A (TJ) 10V 36.6MOHM @ 10A, 10V 4V @ 1MA 30 nc @ 10 v ± 20V 1470 pf @ 50 v - 91W (TC)
BCX56,115 Nexperia USA Inc. BCX56,115 0.4700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX56 1.25 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
PDZ13B-QF Nexperia USA Inc. PDZ13B-QF 0.0310
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PDZ13B-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 10 v 13 v 10 옴
BZT52-C8V2X Nexperia USA Inc. BZT52-C8V2X 0.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.1% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 10 옴
BZV55-C30,115 Nexperia USA Inc. BZV55-C30,115 0.2200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C30 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
BC857RAZ Nexperia USA Inc. BC857RAZ 0.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 BC857 325MW DFN1412-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PZU12B1,115 Nexperia USA Inc. PZU12B1,115 0.0654
RFQ
 ECAD 7605 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU12 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 9 v 12 v 10 옴
PMXB350UPEZ Nexperia USA Inc. pmxb350upez 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 PMXB350 MOSFET (금속 (() DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 20 v 1.2A (TA) 1.2V, 4.5V 447mohm @ 1.2a, 4.5v 950MV @ 250µA 2.3 NC @ 4.5 v ± 8V 116 pf @ 10 v - 360MW (TA), 5.68W (TC)
BZX84J-C5V1,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-C5V1,115 0.3000
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-C5V1 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
PSMN6R0-25YLDX Nexperia USA Inc. psmn6r0-25yldx 0.7800
RFQ
 ECAD 5517 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn6r0 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 61A (TC) 4.5V, 10V 6.75mohm @ 15a, 10V 2.2v @ 1ma 10.5 nc @ 10 v ± 20V 705 pf @ 12 v Schottky Diode (Body) 43W (TC)
BZT52-C47X Nexperia USA Inc. BZT52-C47X 0.0391
RFQ
 ECAD 9141 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934071123115 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 32.9 v 47 v 90 옴
BAS2521X Nexperia USA Inc. BAS2521X -
RFQ
 ECAD 5632 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 BAS2521 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-BAS2521X 쓸모없는 1
BZX384-C43-QX Nexperia USA Inc. BZX384-C43-QX 0.0390
RFQ
 ECAD 6742 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-C43-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 30.1 v 43 v 150 옴
BZX585-C11,135 Nexperia USA Inc. BZX585-C11,135 0.3300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C11 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 100 µa @ 8 v 11 v 10 옴
BZX84W-C39-QF Nexperia USA Inc. BZX84W-C39-QF 0.0263
RFQ
 ECAD 9509 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.13% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-C39-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
BUK7620-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK7620-55A, 118 -
RFQ
 ECAD 2680 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 54A (TC) 10V 20mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1592 pf @ 25 v - 118W (TC)
BF622,115 Nexperia USA Inc. BF622,115 0.4700
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BF622 1.1 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 250 v 50 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
PMBT2907AMYL Nexperia USA Inc. PMBT2907AMYL 0.2800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMBT2907 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 210MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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