SIC
close

불연속 불연속 제품 (9943)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1)
BZB84-C24,215 Nexperia USA Inc. BZB84-C24,215 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-C24 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
BUK763R9-60E,118 Nexperia USA Inc. BUK763R9-60E, 118 -
RFQ
 ECAD 3126 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 3.9mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 103 NC @ 10 v ± 20V 7480 pf @ 25 v - 263W (TC)
BZX84W-C30-QF Nexperia USA Inc. BZX84W-C30-QF 0.0263
RFQ
 ECAD 9584 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.79% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-C30-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 700 mV 30 v 80 옴
PZU13B1,115 Nexperia USA Inc. PZU13B1,115 0.0654
RFQ
 ECAD 2032 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU13 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 10 v 13 v 10 옴
BZX884-B16,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B16,315 0.3400
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B16 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
PDTA143TM,315 Nexperia USA Inc. PDTA143TM, 315 0.0396
RFQ
 ECAD 3487 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTA143 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 200 @ 1ma, 5V 4.7 Kohms
PUMH13115 Nexperia USA Inc. PUMH13115 -
RFQ
 ECAD 8203 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 3,000
PZU4.7B1A,115 Nexperia USA Inc. PZU4.7B1A, 115 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PZU4.7 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 1 v 4.7 v 80 옴
PMV28XPEAR Nexperia USA Inc. pmv28xpear 0.1121
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5A (TA) 2.5V, 8V 33mohm @ 5a, 8v 1.3V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 12V 1025 pf @ 10 v - 610MW (TA), 8.3W (TC)
PSMN2R5-40YLDX Nexperia USA Inc. psmn2r5-40yldx 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn2r5 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 160A (TA) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 25a, 10V 2.05V @ 1mA 78 NC @ 10 v ± 20V 5583 pf @ 20 v Schottky Diode (Body) 147W (TA)
PBSS4041NX,115 Nexperia USA Inc. PBSS4041NX, 115 0.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4041 2.5 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 6.2 a 100NA NPN 210mv @ 300ma, 6a 150 @ 4a, 2v 130MHz
PHPT61010NYX Nexperia USA Inc. phpt61010nyx 0.8100
RFQ
 ECAD 1837 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PHPT61010 1.5 w LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500 100 v 10 a 100NA NPN 370mv @ 1a, 10a 150 @ 500ma, 2V 145MHz
PMV55ENEAR Nexperia USA Inc. PMV55ENEAR 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV55 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3.1A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 3.1a, 10V 2.7V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 646 pf @ 30 v - 478MW (TA), 8.36W (TC)
PMST3906,135 Nexperia USA Inc. PMST3906,135 0.0276
RFQ
 ECAD 6594 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMST3906 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
PNU65010EPX Nexperia USA Inc. pnu65010epx 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 기준 SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 650 v 1.2 v @ 1 a 85 ns 1 µa @ 650 v 175 ° C 1A 11pf @ 4V, 1MHz
BC846BSHX Nexperia USA Inc. BC846BSHX -
RFQ
 ECAD 9084 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 270MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 1727-BC846BSHX 쓸모없는 1 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
NX138BKWF Nexperia USA Inc. NX138BKWF 0.0311
RFQ
 ECAD 8759 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 NX138 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070157135 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 60 v 210MA (TA) 2.5V, 10V 3.5ohm @ 200ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.7 nc @ 10 v ± 20V 20 pf @ 30 v -
PMEG60T10ELXDX Nexperia USA Inc. PMEG60T10ELXDX 0.4000
RFQ
 ECAD 463 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 PMEG60 Schottky SOD323HP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 640 mV @ 1 a 7 ns 400 NA @ 60 v 175 ° C 1A 155pf @ 1v, 1MHz
BZT52-B15-QX Nexperia USA Inc. BZT52-B15-QX 0.0438
RFQ
 ECAD 4043 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZT52-BQ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 15 옴
BCV61C,215 Nexperia USA Inc. BCV61C, 215 0.5000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 30V 현재 현재 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BCV61 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100ma 2 npn (() 현재 미러
BAT54L/S501YL Nexperia USA Inc. BAT54L/S501YL 0.0300
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 Bat54 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BAT54L/S501YL-1727 1
BZB784-C2V4,115 Nexperia USA Inc. BZB784-C2V4,115 0.0524
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZB784-C2V4 180 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
PMEG4005EGWJ Nexperia USA Inc. PMEG4005EGWJ 0.3500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 PMEG4005 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 470 mV @ 500 mA 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 500ma 43pf @ 1v, 1MHz
BUK7214-75B,118 Nexperia USA Inc. BUK7214-75B, 118 1.7200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BUK7214 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 75 v 70A (TC) 10V 14mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 41 NC @ 10 v ± 20V 2612 pf @ 25 v - 158W (TC)
PMEG3002AEB/6X Nexperia USA Inc. PMEG3002AEB/6X 0.0600
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 PMEG3002 Schottky SOD-523 - 2156-PMEG3002AEB/6X 5,245 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 480 mV @ 200 mA 10 µa @ 10 v 125 ° C 200ma 20pf @ 1v, 1MHz
NX7002BKVL Nexperia USA Inc. NX7002BKVL 0.0290
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NX7002 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 270MA (TA) 5V, 10V 2.8ohm @ 200ma, 10V 2.1V @ 250µA 1 nc @ 10 v ± 20V 23.6 pf @ 10 v - 310MW (TA)
PMEG150G20ELPX Nexperia USA Inc. PMEG150G20ELPX 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 PMEG150 시기 (게르마늄 실리콘) SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mv @ 2 a 14 ns 30 na @ 150 v 175 ° C 2A 70pf @ 1v, 1MHz
PDZ13B-QF Nexperia USA Inc. PDZ13B-QF 0.0310
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PDZ13B-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 10 v 13 v 10 옴
BZT52-C8V2X Nexperia USA Inc. BZT52-C8V2X 0.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.1% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 10 옴
BZV55-C30,115 Nexperia USA Inc. BZV55-C30,115 0.2200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C30 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다