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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PMBT3904,215 Nexperia USA Inc. PMBT3904,215 0.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT3904 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
PUMH19,115 Nexperia USA Inc. PUMH19,115 0.0519
RFQ
 ECAD 3410 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMH19 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V - 22kohms -
PHPT61003PYX Nexperia USA Inc. phpt61003pyx 0.5400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PHPT61003 1.25 w LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500 100 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 360mv @ 200ma, 2a 150 @ 500ma, 10V 125MHz
BZT52H-A24X Nexperia USA Inc. BZT52H-A24X 0.1463
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZT52H-A 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-A24XTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 30 옴
PDTC143EQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTC143EQB-QZ 0.2900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC143 DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V 230MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
NHUMH1F Nexperia USA Inc. nhumh1f 0.3900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumh1 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80V 100ma 100NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 70 @ 10ma, 5V 170MHz 22kohms 22kohms
PSMN4R5-40BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN4R5-40BS, 118 1.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn4r5 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 4.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 42.3 NC @ 10 v ± 20V 2683 pf @ 20 v - 148W (TC)
BCP55-16F Nexperia USA Inc. BCP55-16F 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP55 650 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 100MHz
PHPT60610PYX Nexperia USA Inc. phpt60610pyx 0.6100
RFQ
 ECAD 1890 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PHPT60610 1.5 w LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500 60 v 10 a 100NA PNP 470mv @ 1a, 10a 120 @ 500ma, 2V 85MHz
PDZ3.6BGW115 Nexperia USA Inc. PDZ3.6BGW115 -
RFQ
 ECAD 8114 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
BUK9E06-55A,127 Nexperia USA Inc. buk9e06-55a, 127 -
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA ± 15V 8600 pf @ 25 v - 300W (TC)
PSMN7R0-30MLC Nexperia USA Inc. PSMN7R0-30MLC 1.0000
RFQ
 ECAD 9026 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BUK9Y13-60ELX Nexperia USA Inc. buk9y13-60elx 1.6900
RFQ
 ECAD 3238 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 90A (TA) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 20a, 10V 2.1v @ 1ma 81 NC @ 10 v ± 10V 4520 pf @ 25 v - 147W (TA)
PMP4501G,135 Nexperia USA Inc. PMP4501G, 135 -
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 PMP4501 300MW 5-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 npn ((() 일치 한 쌍, 공통 이미 터 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
MMBZ6V2AT-QR Nexperia USA Inc. MMBZ6V2AT-QR 0.3100
RFQ
 ECAD 5416 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 3,000
BZT52H-A6V2X Nexperia USA Inc. BZT52H-A6V2X 0.1463
RFQ
 ECAD 9121 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZT52H-A 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-A6V2XTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
PZU22DB2,115 Nexperia USA Inc. PZU22dB2,115 -
RFQ
 ECAD 3675 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 250 MW 5-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 50 na @ 17 v 22 v 25 옴
BZX84W-B3V9-QX Nexperia USA Inc. BZX84W-B3V9-QX 0.0422
RFQ
 ECAD 5497 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.05% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-B3V9-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
BZX84-C33 Nexperia USA Inc. BZX84-C33 1.0000
RFQ
 ECAD 2018 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BZV85-C10,113 Nexperia USA Inc. BZV85-C10,113 0.0597
RFQ
 ECAD 2777 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C10 1.3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 200 na @ 7 v 10 v 8 옴
PBSS5240XF Nexperia USA Inc. PBSS5240XF 0.4900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS5240 500MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 40 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 140mv @ 5ma, 100ma 300 @ 1ma, 5V 150MHz
NX138AKSX Nexperia USA Inc. NX138AKSX 0.3500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NX138 MOSFET (금속 (() 325MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 170ma (TA) 4.5ohm @ 170ma, 10V 1.5V @ 250µA 1.4NC @ 10V 20pf @ 30V -
BCM856BS/ZLX Nexperia USA Inc. BCM856BS/ZLX -
RFQ
 ECAD 5241 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BCM856 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
BZX384-B16-QX Nexperia USA Inc. BZX384-B16-QX 0.0436
RFQ
 ECAD 1840 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-B16-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
PXN018-30QLJ Nexperia USA Inc. PXN018-30QLJ 0.4700
RFQ
 ECAD 292 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7.5A (TA), 19.2A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 250µA 10.8 nc @ 10 v ± 20V 447 pf @ 15 v - 1.7W (TA), 10.9W (TC)
BUK7M27-80EX Nexperia USA Inc. BUK7M27-80EX 0.8800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK7M27 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 30A (TC) 10V 27mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 19.5 nc @ 10 v ± 20V 1306 pf @ 25 v - 62W (TC)
MM3Z5V6T1GX Nexperia USA Inc. MM3Z5V6T1GX 0.2200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. MM3Z 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 1 µa @ 2.5 v 5.6 v 40
BUK7Y3R0-40H,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y3R0-40H, 115 -
RFQ
 ECAD 4190 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PBHV9050Z/ZLX Nexperia USA Inc. PBHV9050Z/ZLX -
RFQ
 ECAD 8981 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 700 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070765115 귀 99 8541.21.0095 1,000 500 v 250 MA 100NA PNP 350MV @ 20ma, 100ma 80 @ 50MA, 10V 50MHz
NX5008NBKHH Nexperia USA Inc. NX5008NBKHH 0.3800
RFQ
 ECAD 8914 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn NX5008 MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 50 v 350MA (TA) 2.8ohm @ 200ma, 4.5v 900MV @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 8V 30 pf @ 25 v - 380MW (TA), 2.8W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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