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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PBHV9115T-QVL Nexperia USA Inc. PBHV9115T-QVL 0.4700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 150 v 1 a 100NA PNP 300mv @ 100ma, 500ma 100 @ 100ma, 10V 115MHz
PMV130ENEA,215 Nexperia USA Inc. PMV130ENEA, 215 -
RFQ
 ECAD 6351 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 3,000
PBRN113ET-QR Nexperia USA Inc. PBRN113ET-QR 0.0687
RFQ
 ECAD 4975 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRN113 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PBRN113ET-QRTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 MA 500NA npn-사전- 1.15v @ 8ma, 800ma 270 @ 800ma, 5V 1 KOHMS 1 KOHMS
BUK7K23-80EX Nexperia USA Inc. BUK7K23-80EX 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK7K23 MOSFET (금속 (() 53W LFPAK56D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 2 n 채널 (채널) 80V 17A (TA) 23mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 22.8NC @ 10V 1542pf @ 25v -
BC847BV,315 Nexperia USA Inc. BC847BV, 315 0.4200
RFQ
 ECAD 4481 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 BC847 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PDTB114EQAZ Nexperia USA Inc. pdtb114eqaz 0.0579
RFQ
 ECAD 8800 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xdfn d 패드 PDTB114 325 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069268147 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 500 MA 500NA pnp- 사전- 100mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 150MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BZX884-C30,315 Nexperia USA Inc. BZX884-C30,315 0.2900
RFQ
 ECAD 5250 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-C30 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
PMZ950UPEYL Nexperia USA Inc. PMZ950UPEYL 0.4200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMZ950 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 500MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.4ohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 2.1 NC @ 4.5 v ± 8V 43 pf @ 10 v - 360MW (TA), 2.7W (TC)
PHP191NQ06LT,127 Nexperia USA Inc. PHP191NQ06LT, 127 3.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP191 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 3.7mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 95.6 NC @ 5 v ± 15V 7665 pf @ 25 v - 300W (TC)
PMEG100V100ELPEZ Nexperia USA Inc. PMEG100V100ELPEZ 0.7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky CFP15B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 10 a 11 ns 800 na @ 100 v 175 ° C 10A 276pf @ 1v, 1MHz
PHB21N06LT,118 Nexperia USA Inc. PHB21N06LT, 118 0.9800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB21N06 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 19A (TC) 5V, 10V 70mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA 9.4 NC @ 5 v ± 15V 650 pf @ 25 v - 56W (TC)
BUK952R8-30B,127 Nexperia USA Inc. BUK952R8-30B, 127 -
RFQ
 ECAD 1392 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 75A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 89 NC @ 5 v ± 15V 10185 pf @ 25 v - 300W (TC)
BUK98180-100A/CU115 Nexperia USA Inc. BUK98180-100A/CU115 0.1700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,926
SZMM5Z13VT5GF Nexperia USA Inc. szmm5z13vt5gf 0.3100
RFQ
 ECAD 8562 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 8 v 13 v 10 옴
PHK12NQ03LT,518 Nexperia USA Inc. Phk12nq03lt, 518 -
RFQ
 ECAD 5180 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11.8A (TJ) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 12a, 10V 2V @ 250µA 17.6 NC @ 5 v ± 20V 1335 pf @ 16 v - 2.5W (TA)
PMEG3020EP,115 Nexperia USA Inc. PMEG3020EP, 115 0.4800
RFQ
 ECAD 106 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 PMEG3020 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 360 MV @ 2 a 3 ma @ 30 v 150 ° C (°) 2A 325pf @ 1v, 1MHz
BUK7631-100E,118 Nexperia USA Inc. BUK7631-100E, 118 0.6950
RFQ
 ECAD 9792 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK7631 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 34A (TC) 10V 31mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 29.4 NC @ 10 v ± 20V 1738 pf @ 25 v - 96W (TC)
BUK9514-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK9514-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 7984 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 73A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 3307 pf @ 25 v - 149W (TC)
BUK7604-40A,118 Nexperia USA Inc. BUK7604-40A, 118 -
RFQ
 ECAD 9349 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 117 NC @ 10 v ± 20V 5730 pf @ 25 v - 300W (TC)
PMBT3906M,315 Nexperia USA Inc. PMBT3906M, 315 0.2300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMBT3906 590 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
PMEG6010CEGWJ Nexperia USA Inc. PMEG6010CEGWJ 0.3800
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 PMEG6010 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 660 mV @ 1 a 50 µa @ 60 v 150 ° C (°) 1A 60pf @ 1v, 1MHz
PMEG150G20ELRX Nexperia USA Inc. PMEG150G20ELRX 0.4500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123W PMEG150 시기 (게르마늄 실리콘) SOD-123W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mv @ 2 a 14 ns 30 na @ 150 v 175 ° C 2A 70pf @ 1v, 1MHz
BAS56,215 Nexperia USA Inc. BAS56,215 0.3300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BAS56 기준 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 60 v 200MA (DC) 1 v @ 200 ma 6 ns 100 na @ 120 v 150 ° C (°)
PMN48XPA,115 Nexperia USA Inc. PMN48XPA, 115 -
RFQ
 ECAD 5481 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1 p 채널 20 v 4.1A (TA) 55mohm @ 2.4a, 4.5v 1.25V @ 250µA 13 nc @ 4.5 v ± 12V 1000 pf @ 10 v - 530MW (TA), 6.25W (TC)
PMBT3904,215 Nexperia USA Inc. PMBT3904,215 0.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT3904 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
PUMH19,115 Nexperia USA Inc. PUMH19,115 0.0519
RFQ
 ECAD 3410 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMH19 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V - 22kohms -
PHPT61003PYX Nexperia USA Inc. phpt61003pyx 0.5400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PHPT61003 1.25 w LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500 100 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 360mv @ 200ma, 2a 150 @ 500ma, 10V 125MHz
BZT52H-A24X Nexperia USA Inc. BZT52H-A24X 0.1463
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZT52H-A 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-A24XTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 16.8 v 24 v 30 옴
PDTC143EQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTC143EQB-QZ 0.2900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC143 DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V 230MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
NHUMH1F Nexperia USA Inc. nhumh1f 0.3900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 nhumh1 350MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80V 100ma 100NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100mv @ 500µa, 10ma 70 @ 10ma, 5V 170MHz 22kohms 22kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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