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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
2N7002HR Nexperia USA Inc. 2N7002HR 0.2600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TC) 4.5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 10 v - 830MW (TC)
PZTA92/ZLX Nexperia USA Inc. PZTA92/ZLX -
RFQ
 ECAD 4171 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070729115 귀 99 8541.29.0075 1 300 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 10ma, 10V 50MHz
PXP012-30QLJ Nexperia USA Inc. PXP012-30QLJ 0.6000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 8.9A (TA), 38.8A (TC) 4.5V, 10V 12.8mohm @ 9a, 10V 2V @ 250µA 43.4 NC @ 10 v ± 25V 1400 pf @ 15 v - 1.7W (TA), 32W (TC)
BZX884S-B16YL Nexperia USA Inc. BZX884S-B16YL 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.88% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
BZX84W-C51F Nexperia USA Inc. BZX84W-C51F 0.1800
RFQ
 ECAD 9685 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
BC856BS/DG/B4X Nexperia USA Inc. BC856BS/DG/B4X -
RFQ
 ECAD 6429 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069955115 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BUK7M45-40EX Nexperia USA Inc. BUK7M45-40EX 0.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK7M45 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 19A (TC) 10V 45mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 6.2 NC @ 10 v ± 20V 317 pf @ 25 v - 31W (TC)
PSMN015-110P,127 Nexperia USA Inc. PSMN015-110P, 127 -
RFQ
 ECAD 7076 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMN015 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 110 v 75A (TC) 10V 15mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 90 NC @ 10 v ± 20V 4900 pf @ 25 v - 300W (TC)
PSMN1R0-25YLD/1X Nexperia USA Inc. psmn1r0-25yld/1x -
RFQ
 ECAD 7072 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PSMN1R0-25YLD/1X 귀 99 8541.29.0095 1
BCP55TF Nexperia USA Inc. BCP55TF 0.0920
RFQ
 ECAD 1411 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP55 1.3 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 155MHz
PMEG050T150EPDAZ Nexperia USA Inc. PMEG050T150EPDAZ 0.4377
RFQ
 ECAD 6997 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG050 Schottky CFP15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069826139 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 550 mV @ 15 a 60 ns 100 µa @ 50 v 175 ° C (°) 15a 800pf @ 10V, 1MHz
BZX884S-B15-QYL Nexperia USA Inc. BZX884S-B15-QYL 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
BCP56-10,135 Nexperia USA Inc. BCP56-10,135 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 960 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
BZX585-C22,115 Nexperia USA Inc. BZX585-C22,115 0.3300
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-C22 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 15.4 v 22 v 55 옴
PMXB43UNEZ Nexperia USA Inc. PMXB43UNEZ 0.4900
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 PMXB43 MOSFET (금속 (() DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 20 v 3.2A (TA) 1.5V, 4.5V 54mohm @ 3.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 551 pf @ 10 v - 400MW (TA), 8.33W (TC)
BZT52-C13,115 Nexperia USA Inc. BZT52-C13,115 1.0000
RFQ
 ECAD 9459 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 0000.00.0000 1
BZX384-B68F Nexperia USA Inc. BZX384-B68F 0.2300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 5 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
BUK9MHH-65PNN,518 Nexperia USA Inc. BUK9MHH-65PNN, 518 -
RFQ
 ECAD 8546 0.00000000 Nexperia USA Inc. 트렌치 트렌치 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) buk9m MOSFET (금속 (() 5W (TC) 20- 의자 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934063227518 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 65V 15A (TC) 10.6mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA 44.6NC @ 5V 3643pf @ 25v 논리 논리 게이트
PUMH9/ZLF Nexperia USA Inc. PUMH9/ZLF -
RFQ
 ECAD 1187 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 pumh9 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 50V 100ma 100NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 230MHz 10kohms 47kohms
BC857A,215 Nexperia USA Inc. BC857A, 215 0.1400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
PDZ2.4B-QZ Nexperia USA Inc. PDZ2.4B-QZ 0.0279
RFQ
 ECAD 8999 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PDZ2.4B-QZTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
BZT52-C36X Nexperia USA Inc. BZT52-C36X 0.2200
RFQ
 ECAD 8700 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 25.2 v 36 v 60 옴
BZX884S-C18YL Nexperia USA Inc. BZX884S-C18YL -
RFQ
 ECAD 9828 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.41% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 12.6 v 17.95 v 45 옴
BZX84-C6V2-QR Nexperia USA Inc. BZX84-C6V2-QR 0.0319
RFQ
 ECAD 9316 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C6V2-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
PEMB19,115 Nexperia USA Inc. PEMB19,115 -
RFQ
 ECAD 2667 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMB19 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 100 @ 1ma, 5V - 22kohms -
BZX8850S-C56YL Nexperia USA Inc. BZX8850S-C56YL 0.3500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 39.2 v 56 v 200 옴
BZT52-C6V2,115 Nexperia USA Inc. BZT52-C6V2,115 -
RFQ
 ECAD 9351 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
BZX84-B6V2/DG/B3,2 Nexperia USA Inc. BZX84-B6V2/DG/B3,2 -
RFQ
 ECAD 8635 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065259215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
PDZ4.7BGW115 Nexperia USA Inc. PDZ4.7BGW115 0.0200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
BUK7E2R3-40E,127 Nexperia USA Inc. buk7e2r3-40e, 127 -
RFQ
 ECAD 1581 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 109.2 NC @ 10 v ± 20V 8500 pf @ 25 v - 293W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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