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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SZMM3Z24VT1GX Nexperia USA Inc. szmm3z24vt1gx 0.2700
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 19 v 24 v 30 옴
NZX12X,133 Nexperia USA Inc. NZX12X, 133 0.2000
RFQ
ECAD 3283 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX12 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 8 v 11.74 v 35 옴
BC846BW/ZLF Nexperia USA Inc. BC846BW/ZLF -
RFQ
ECAD 4069 0.00000000 Nexperia USA Inc. BC846XW 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000
PUMD15,115 Nexperia USA Inc. PUMD15,115 0.2900
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD15 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V - 4.7kohms 4.7kohms
BUK764R0-40E,118 Nexperia USA Inc. BUK764R0-40E, 118 2.2900
RFQ
ECAD 3420 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK764 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 54 NC @ 10 v ± 20V 4405 pf @ 25 v - 182W (TC)
BAS28,235 Nexperia USA Inc. BAS28,235 0.4000
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BAS28 기준 SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 75 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v 150 ° C (°)
BUK954R8-60E,127 Nexperia USA Inc. BUK954R8-60E, 127 -
RFQ
ECAD 3348 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 100A (TC) 5V, 10V 4.5mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 65 nc @ 5 v ± 10V 9710 pf @ 25 v - 234W (TC)
PBSS5160T,215 Nexperia USA Inc. PBSS5160T, 215 0.4200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS5160 400MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA PNP 330mv @ 100ma, 1a 150 @ 500ma, 5V 220MHz
NZX16A,133 Nexperia USA Inc. NZX16A, 133 0.0263
RFQ
ECAD 4799 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX16 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 50 NA @ 11.2 v 15.6 v 45 옴
PMN30UNX Nexperia USA Inc. pmn30unx 0.4000
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN30 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.5A (TA) 1.5V, 4.5V 4.5A, 4.5V 900MV @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 12V 635 pf @ 15 v - 530MW (TA), 4.46W (TC)
BZX384-B3V6,115 Nexperia USA Inc. BZX384-B3V6,115 0.2300
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
PMEG3005ELSYL Nexperia USA Inc. PMEG3005ELSYL 0.3600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-882 PMEG3005 Schottky DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 500 mA 5 ns 500 µa @ 30 v 150 ° C 500ma 24pf @ 1v, 1MHz
BCW70,235 Nexperia USA Inc. BCW70,235 0.0407
RFQ
ECAD 6170 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW70 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 150mv @ 2.5ma, 50ma 215 @ 2MA, 5V 100MHz
BF820-QR Nexperia USA Inc. BF820-QR 0.0914
RFQ
ECAD 5948 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BF820-QRTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 50 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 30ma 50 @ 25MA, 20V 60MHz
BUK763R8-80E118 Nexperia USA Inc. BUK763R8-80E118 -
RFQ
ECAD 1365 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
PMEG3020CPA115 Nexperia USA Inc. PMEG3020CPA115 -
RFQ
ECAD 8265 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 2156-PMEG3020CPA115-NEX 0000.00.0000 1
PMBS3906,235 Nexperia USA Inc. PMBS3906,235 0.1300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBS3906 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 100 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 150MHz
BZT52-B12,115 Nexperia USA Inc. BZT52-B12,115 0.0200
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
PMD3001D,115 Nexperia USA Inc. PMD3001D, 115 0.4300
RFQ
ECAD 193 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 40V MOSFET 드라이버 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMD3001 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 1A NPN, PNP (이미 터 결합 결합)
PUMD15,135 Nexperia USA Inc. PUMD15,135 0.2900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD15 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V - 4.7kohms 4.7kohms
BZX84J-B13,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-B13,115 0.3600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-B13 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 8 v 13 v 10 옴
BC807-16W-QF Nexperia USA Inc. BC807-16W-QF 0.0307
RFQ
ECAD 3430 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BC807-16W-QFTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 80MHz
1PS79SB30-QX Nexperia USA Inc. 1PS79SB30-QX 0.0617
RFQ
ECAD 9831 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-1PS79SB30-QXTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 600 mv @ 200 ma 500 na @ 25 v 150 ° C 200ma 20pf @ 1v, 1MHz
PDTC143XQCZ Nexperia USA Inc. PDTC143XQCZ 0.2600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTC143 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 50 @ 10ma, 5V 230MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
PSMN5R6-100PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN5R6-100PS, 127 3.8100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn5r6 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 100A (TC) 10V 5.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 141 NC @ 10 v ± 20V 8061 pf @ 50 v - 306W (TC)
BAV99,215 Nexperia USA Inc. BAV99,215 0.1500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BAV99 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav99 기준 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 100 v 215MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
BZX884-C3V6,315 Nexperia USA Inc. BZX884-C3V6,315 0.3600
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-C3V6 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
BZX585-B5V1,135 Nexperia USA Inc. BZX585-B5V1,135 0.3800
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-B5V1 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BZX8850S-C8V2YL Nexperia USA Inc. BZX8850S-C8V2YL 0.3500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 6.2 v 8.2 v 15 옴
PBSS9110Y,115 Nexperia USA Inc. PBSS9110Y, 115 0.4000
RFQ
ECAD 343 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PBSS9110 625 MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 100 v 1 a 100NA PNP 320mv @ 100ma, 1a 150 @ 500ma, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고