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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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BF820,235 | 0.3800 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BF820 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 300 v | 50 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 30ma | 50 @ 25MA, 20V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884S-B47YL | - | ![]() | 5129 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1.91% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-882 | 365 MW | DFN1006BD-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 32.9 v | 47 v | 170 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84-B5V1,235 | 0.2100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-B5V1 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 2 µa @ 2 v | 5.1 v | 60 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN40ENAX | 0.4500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | PMN40 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 4.2A (TA) | 4.5V, 10V | 43mohm @ 4.2a, 10V | 2.7V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 590 pf @ 30 v | - | 652MW (TA), 7.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NX1029X, 115 | 0.4300 | ![]() | 9906 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | NX1029 | MOSFET (금속 (() | 500MW | SOT-666 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | n 및 p 채널 | 60V, 50V | 330ma, 170ma | 7.5ohm @ 100ma, 10V | 2.1V @ 250µA | 0.35NC @ 5V | 36pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMXB43UNE, 147 | - | ![]() | 3034 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMXB43 | - | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52-C16,115 | 0.0200 | ![]() | 96 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZT52 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCM6501VNEZ | 0.5900 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-XFBGA, WLCSP | PMCM6501 | MOSFET (금속 (() | 6-WLCSP (1.48x0.98) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,500 | n 채널 | 12 v | 7.3A (TA) | 1.5V, 4.5V | 18mohm @ 3a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 24 nc @ 4.5 v | ± 8V | 920 pf @ 6 v | - | 556MW (TA), 12.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52-C62-QX | 0.0370 | ![]() | 1003 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.45% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 350 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1727-BZT52-C62-QXTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 43.4 v | 62 v | 140 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-C47115 | - | ![]() | 9886 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300MW | SOD-323 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZX384-C47115-1727 | 1 | 1.1 v @ 100 ma | 50 Na @ 50 v | 47 v | 170 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84W-C68X | 0.0313 | ![]() | 5987 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX84W | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934660458115 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 47.6 v | 68 v | 240 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ7.5BGW115 | 1.0000 | ![]() | 4483 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B20,115 | 0.2300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 na @ 14 v | 20 v | 20 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-A62X | 0.1463 | ![]() | 8757 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZT52H-A | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-BZT52H-A62XTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 43.4 v | 62 v | 140 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG6020EPAF | 0.1217 | ![]() | 1286 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 3-powerudfn | PMEG6020 | Schottky | 3- 휴슨 (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934063487135 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 575 mV @ 2 a | 78 ns | 250 µa @ 60 v | 150 ° C (°) | 2A | 90pf @ 10V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ18BGW, 118 | - | ![]() | 6725 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN27XPEA, 115 | 0.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMN27 | - | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PUMH17F | 0.2900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PUMH17 | 300MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50V | 100ma | 1µA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 150mv @ 500µa, 10ma | 60 @ 5MA, 5V | - | 47kohms | 22kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC144EQCZ | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면, 마운트 측면 | 3-xdfn d 패드 | PDTC144 | 360 MW | DFN1412D-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 100 MA | 100NA | npn-사전- | 100mv @ 500µa, 10ma | 80 @ 5ma, 5V | 230MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA114EU, 115 | 0.1900 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | PDTA114 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 1µA | pnp- 사전- | 150mv @ 500µa, 10ma | 30 @ 5MA, 5V | 180MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84W-C13X | 0.0313 | ![]() | 1589 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX84W | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 8 v | 13 v | 30 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C12,115 | 0.2100 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | BZV55-C12 | 500MW | llds; 최소한 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 8 v | 12 v | 25 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ18BF | 0.2100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | PDZ18 | 400MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 na @ 13 v | 18.35 v | 80 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMZB950UPEYL | 0.4600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | PMZB950 | MOSFET (금속 (() | DFN1006B-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | p 채널 | 20 v | 500MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 1.4ohm @ 500ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 2.1 NC @ 4.5 v | ± 8V | 43 pf @ 10 v | - | 360MW (TA), 2.7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84W-B3V9X | 0.0389 | ![]() | 7660 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX84W | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 1 v | 3.9 v | 90 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
PBSS4160T-QVL | 0.0861 | ![]() | 5654 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 270 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-PBSS4160T-QVLTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 60 v | 900 MA | 100NA | NPN | 250mv @ 100ma, 1a | 250 @ 1ma, 5V | 220MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX24X, 133 | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | NZX | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | NZX24 | 500MW | ALF2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 50 NA @ 16.8 v | 23.19 v | 70 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX38450-C8V2-QF | 0.2400 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, BZX38450-Q | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX38450 | 300MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 6.2 v | 8.2 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84W-C7V5X | 0.1800 | ![]() | 5054 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | BZX84W | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BZX84W | 275 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 1 µa @ 5 v | 7.5 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4736A, 113 | 0.3900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4736 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 4 v | 6.8 v | 3.5 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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