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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BZX884-B13,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B13,315 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B13 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 10 옴
PEMD4,115 Nexperia USA Inc. PEMD4,115 0.1074
RFQ
 ECAD 8947 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PEMD4 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V - 10kohms -
BUK7611-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK7611-55A, 118 -
RFQ
 ECAD 1353 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 11mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 3093 pf @ 25 v - 166W (TC)
BSP19,115 Nexperia USA Inc. BSP19,115 0.6100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP19 1.2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 350 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 500mv @ 4ma, 50ma 40 @ 20MA, 10V 70MHz
BZX884-B2V7,315 Nexperia USA Inc. BZX884-B2V7,315 0.3300
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 BZX884-B2V7 250 MW DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
PDZ5.1B,115 Nexperia USA Inc. PDZ5.1B, 115 0.2100
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ5.1 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 1.5 v 5.1 v 60 옴
PMEG100V060ELPDZ Nexperia USA Inc. PMEG100V060ELPDZ 0.6100
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG100 Schottky CFP15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 840 mV @ 6 a 8 ns 450 na @ 100 v 175 ° C (°) 6A 200pf @ 1v, 1MHz
PZU5.1B1,115 Nexperia USA Inc. PZU5.1B1,115 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU5.1 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 1.5 v 5.1 v 60 옴
PMD2001D,115 Nexperia USA Inc. PMD2001D, 115 0.4800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 40V MOSFET 드라이버 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMD2001 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 600ma NPN, PNP (이미 터 결합 결합)
PMV65XP/MIR Nexperia USA Inc. pmv65xp/mir -
RFQ
 ECAD 1544 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068504215 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.8A (TA) 1.8V, 4.5V 74mohm @ 2.8a, 4.5v 900MV @ 250µA 7.7 NC @ 4.5 v ± 12V 744 pf @ 20 v - 480MW (TA), 4.17W (TC)
BZX585-B3V6,135 Nexperia USA Inc. BZX585-B3V6,135 0.0496
RFQ
 ECAD 9097 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX585-B3V6 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
BUK7M67-60EX Nexperia USA Inc. BUK7M67-60EX 0.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK7M67 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 14A (TC) 10V 67mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 6.7 NC @ 10 v ± 20V 334 pf @ 25 v - 31W (TC)
BUK7880-55/CUF Nexperia USA Inc. BUK7880-55/CUF -
RFQ
 ECAD 7824 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 55 v 3.5A (TA) 10V 80mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA ± 16V 500 pf @ 25 v - 8.3W (TC)
BC847A/SNR Nexperia USA Inc. BC847A/SNR -
RFQ
 ECAD 5257 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660336215 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PBRP123ET,215 Nexperia USA Inc. PBRP123ET, 215 0.3700
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRP123 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 MA 500NA pnp- 사전- 750mv @ 6ma, 600ma 180 @ 300ma, 5V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
PUMD10,125 Nexperia USA Inc. PUMD10,125 0.2900
RFQ
 ECAD 260 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD10 200MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V - 2.2kohms 47kohms
PSMN015-100P,127 Nexperia USA Inc. PSMN015-100p, 127 2.5700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMN015 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 15mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 90 NC @ 10 v ± 20V 4900 pf @ 25 v - 300W (TC)
PMPB95ENEA/S500X Nexperia USA Inc. PMPB95ENEA/S500X 0.1100
RFQ
 ECAD 4891 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 - 2156-PMPB95ENEA/S500X 2,500 n 채널 80 v 2.8A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 2.8a, 10v 2.7V @ 250µA 14.9 NC @ 10 v ± 20V 504 pf @ 40 v - 1.6W (TA), 15.6W (TC)
BCP68F Nexperia USA Inc. BCP68F 0.4000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP68 650 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 20 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 200ma, 2a 85 @ 500ma, 1V 170MHz
BZT52-B7V5J Nexperia USA Inc. BZT52-B7V5J 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123 BZT52 590 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 10 옴
BZX84-C15/DG/B3,23 Nexperia USA Inc. BZX84-C15/DG/B3,23 -
RFQ
 ECAD 1660 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065266235 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 14.7 v 30 옴
BC817K-40R Nexperia USA Inc. BC817K-40R 0.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
BSR30F Nexperia USA Inc. BSR30F 0.2387
RFQ
 ECAD 1583 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BSR30 SOT-89 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 933418110135 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 100MA, 5V 100MHz
NHDTC124EUF Nexperia USA Inc. NHDTC124EUF 0.2500
RFQ
 ECAD 615 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 NHDTC124 235 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 80 v 100 MA 100NA npn-사전- 100mv @ 500µa, 10ma 70 @ 10ma, 5V 170 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
PHPT61002NYC,115 Nexperia USA Inc. PHPT61002NYC, 115 0.1400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BZX84J-B6V2,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-B6V2,115 0.3600
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-B6V2 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
BZX384-B33-QX Nexperia USA Inc. BZX384-B33-QX 0.0436
RFQ
 ECAD 8190 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX384-B33-QXTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 80 옴
PDTC114TM,315 Nexperia USA Inc. PDTC114TM, 315 0.0396
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-101, SOT-883 PDTC114 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
BZX384-C3V9,115 Nexperia USA Inc. BZX384-C3V9,115 0.2100
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
PBSS5220PAPSX Nexperia USA Inc. PBSS5220PAPSX 0.6000
RFQ
 ECAD 9053 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PBSS5220 370MW DFN2020D-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 20V 2A 100NA (ICBO) 2 PNP (() 390mv @ 200ma, 2a 160 @ 1a, 2v 95MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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