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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BAT854SW,115 Nexperia USA Inc. BAT854SW, 115 0.4300
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAT854 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 200MA (DC) 550 mV @ 100 ma 500 na @ 25 v 150 ° C (°)
BC55PA,115 Nexperia USA Inc. BC55PA, 115 0.4000
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC55 420 MW DFN2020D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
PMEG4002AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG4002AESFYL 0.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0201 (0603 메트릭) PMEG4002 Schottky DSN0603-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 9,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 525 mv @ 200 ma 1.25 ns 80 µa @ 40 v 150 ° C (°) 200ma 18pf @ 1v, 1MHz
PMLL4448,115 Nexperia USA Inc. PMLL4448,115 0.1700
RFQ
ECAD 71 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 PMLL4448 기준 llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 v @ 100 ma 4 ns 25 na @ 20 v 200 ° C (() 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
BUK6D43-40PX Nexperia USA Inc. BUK6D43-40PX 0.5100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 buk6d43 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 6A (TA) 4.5V, 10V 43mohm @ 6a, 10V 2.7V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1260 pf @ 20 v - 15W (TC)
BCX53-16,115 Nexperia USA Inc. BCX53-16,115 0.4900
RFQ
ECAD 359 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX53 1.3 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 145MHz
PBSS4160TVL Nexperia USA Inc. PBSS4160TVL 0.0820
RFQ
ECAD 3203 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS4160 400MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 60 v 1 a 100NA NPN 250mv @ 100ma, 1a 250 @ 1ma, 5V 220MHz
MMBD4148,215 Nexperia USA Inc. MMBD4148,215 0.1700
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD4148 기준 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 75 v 150 ° C (°) 215MA 1.5pf @ 0v, 1MHz
PBSS4330X,135 Nexperia USA Inc. PBSS4330X, 135 0.4000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4330 1.6 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 30 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 300ma, 3a 270 @ 1a, 2v 100MHz
PHPT610030PK,115 Nexperia USA Inc. PHPT610030PK, 115 1.0000
RFQ
ECAD 9110 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PSMN025-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN025-80YLX 0.9300
RFQ
ECAD 3586 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN025 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 37A (TC) 5V, 10V 25mohm @ 10a, 10V 2.1v @ 1ma 17.1 NC @ 5 v ± 20V 2703 pf @ 25 v - 95W (TC)
PMV65XP/MIR Nexperia USA Inc. pmv65xp/mir -
RFQ
ECAD 1544 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068504215 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.8A (TA) 1.8V, 4.5V 74mohm @ 2.8a, 4.5v 900MV @ 250µA 7.7 NC @ 4.5 v ± 12V 744 pf @ 20 v - 480MW (TA), 4.17W (TC)
PMDPB56XNEAX Nexperia USA Inc. pmdpb56xneax 0.4600
RFQ
ECAD 286 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMDPB56 MOSFET (금속 (() 485MW (TA) DFN2020D-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.1A (TA) 72mohm @ 3.1a, 4.5v 1.25V @ 250µA 5NC @ 4.5V 256pf @ 15V -
PIMD2,125 Nexperia USA Inc. PIMD2,125 0.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-74, SOT-457 PIMD2 600MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V - 22kohms 22kohms
PBSS4032PX,115 Nexperia USA Inc. PBSS4032PX, 115 0.6300
RFQ
ECAD 390 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4032 2.5 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 4.2 a 100NA PNP 400mv @ 200ma, 4a 150 @ 2a, 2v 115MHz
PBSS4360XF Nexperia USA Inc. PBSS4360XF 0.4300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 TO-243AA PBSS4360 1.35 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 3 a 100NA NPN 400mv @ 300ma, 3a 200 @ 1a, 5V 75MHz
PDTD113ZTVL Nexperia USA Inc. PDTD113ZTVL 0.3300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTD113 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 1 KOHMS 10 KOHMS
PMD2001D,115 Nexperia USA Inc. PMD2001D, 115 0.4800
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 40V MOSFET 드라이버 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMD2001 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 600ma NPN, PNP (이미 터 결합 결합)
BUK7880-55/CUF Nexperia USA Inc. BUK7880-55/CUF -
RFQ
ECAD 7824 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 55 v 3.5A (TA) 10V 80mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA ± 16V 500 pf @ 25 v - 8.3W (TC)
PMEG3010EP,115 Nexperia USA Inc. PMEG3010EP, 115 0.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 PMEG3010 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 360 MV @ 1 a 1.5 ma @ 30 v 150 ° C (°) 1A 170pf @ 1v, 1MHz
PBSS4480XZ Nexperia USA Inc. PBSS4480XZ 0.5300
RFQ
ECAD 996 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4480 550 MW SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 80 v 4 a 100NA NPN 270mv @ 500ma, 5a 250 @ 1a, 2v 120MHz
PUMD10,135 Nexperia USA Inc. PUMD10,135 0.3400
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD10 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 1µA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V - 2.2kohms 47kohms
PRMH9Z Nexperia USA Inc. prmh9z 0.3500
RFQ
ECAD 8610 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PRMH9 480MW DFN1412-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 230MHz 10kohms 47kohms
BZV90-C16,115 Nexperia USA Inc. BZV90-C16,115 0.6000
RFQ
ECAD 856 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BZV90-C16 1.5 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,000 1 V @ 50 ma 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
PMBT4403/DLT215 Nexperia USA Inc. PMBT4403/DLT215 0.0200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
BZX84-C75,215 Nexperia USA Inc. BZX84-C75,215 0.1600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C75 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 52.5 v 75 v 255 옴
PSMN006-20K,518 Nexperia USA Inc. PSMN006-20K, 518 -
RFQ
ECAD 2685 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 32A (TC) 1.8V, 4.5V 5MOHM @ 5A, 4.5V 700mv @ 1ma (유형) 32 NC @ 2.5 v ± 10V 4350 pf @ 20 v - 8.3W (TC)
PBSS4350X,135 Nexperia USA Inc. PBSS4350X, 135 0.3700
RFQ
ECAD 44 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS4350 1.6 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 50 v 3 a 100NA NPN 370mv @ 300ma, 3a 300 @ 1a, 2v 100MHz
BUK7S2R5-40HJ Nexperia USA Inc. BUK7S2R5-40HJ 2.3200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1235 MOSFET (금속 (() LFPAK88 (SOT1235) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 140A (TA) 10V 2.51mohm @ 25a, 10V 3.6v @ 1ma 54 NC @ 10 v +20V, -10V 3793 pf @ 25 v - 135W (TA)
PLVA659A-QVL Nexperia USA Inc. PLVA659A-QVL 0.0736
RFQ
ECAD 5885 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3.39% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PLVA659A 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PLVA659A-QVLTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 0.9 NA @ 2.95 v 5.9 v 100 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고