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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
SZMM3Z15VT1GX Nexperia USA Inc. szmm3z15vt1gx 0.2800
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 11 v 15 v 15 옴
BC847AM,315 Nexperia USA Inc. BC847AM, 315 0.2500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BC847 250 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
NZH22C,115 Nexperia USA Inc. NZH22C, 115 0.2600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F NZH22 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 40 na @ 17 v 22 v 30 옴
BZX84W-B27X Nexperia USA Inc. BZX84W-B27X 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX84W 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
PDZ5.6BGW115 Nexperia USA Inc. PDZ5.6BGW115 -
RFQ
 ECAD 8376 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
BC817-40/SNR Nexperia USA Inc. BC817-40/SNR -
RFQ
 ECAD 5111 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660332215 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
BSS64,215 Nexperia USA Inc. BSS64,215 0.3900
RFQ
 ECAD 952 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS64 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 200mv @ 15ma, 50ma 20 @ 10ma, 1v 100MHz
2PC4081R,115 Nexperia USA Inc. 2PC4081R, 115 0.2100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2PC4081 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 180 @ 1ma, 6V 100MHz
PDTC114TT,215 Nexperia USA Inc. PDTC114TT, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 152 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
PBSS5440D,115 Nexperia USA Inc. PBSS5440D, 115 0.5400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PBSS5440 1.1 w 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 40 v 4 a 100NA PNP 450MV @ 600MA, 6A 175 @ 2a, 2v 110MHz
PMEG060V100EPDAZ Nexperia USA Inc. PMEG060V100EPDAZ 0.7800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn PMEG060 Schottky CFP15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 560 mV @ 10 a 33 ns 700 µa @ 60 v 175 ° C (°) 10A 350pf @ 10V, 1MHz
PMN70XPE,115 Nexperia USA Inc. PMN70XPE, 115 -
RFQ
 ECAD 1870 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.2A (TA) 2.5V, 4.5V 85mohm @ 2a, 4.5v 1.25V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 v ± 12V 602 pf @ 10 v - 500MW (TA), 6.25W (TC)
BC846S/DG/B2,115 Nexperia USA Inc. BC846S/DG/B2,115 -
RFQ
 ECAD 4864 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934062454115 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BC807K-40VL Nexperia USA Inc. BC807K-40VL 0.2600
RFQ
 ECAD 9153 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 80MHz
PMPB20XNEAZ Nexperia USA Inc. PMPB20XNEAZ 0.4700
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB20 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 7.5A (TA) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 7.5a, 4.5v 1.25V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 12V 930 pf @ 10 v - 460MW (TA), 12.5W (TC)
PBSS4230QAZ Nexperia USA Inc. PBSS4230QAZ 0.1035
RFQ
 ECAD 7803 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 PBSS4230 325 MW DFN1010D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 30 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 190mv @ 50ma, 1a 100 @ 2a, 2v 190mhz
PSMN7R0-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN7R0-100BS, 118 3.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn7r0 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 100A (TC) 10V 6.8mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 125 nc @ 10 v ± 20V 6686 pf @ 50 v - 269W (TC)
PSMN1R6-30PL,127 Nexperia USA Inc. PSMN1R6-30PL, 127 -
RFQ
 ECAD 4315 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 25a, 10V 2.15v @ 1ma 212 NC @ 10 v ± 20V 12493 pf @ 12 v - 306W (TC)
BC817K-40HVL Nexperia USA Inc. BC817K-40HVL 0.2800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 350 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
PBSS9410PA,115 Nexperia USA Inc. PBSS9410PA, 115 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn PBSS9410 2.1 w 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 100 v 2.7 a 100NA PNP 450MV @ 135MA, 2.7A 170 @ 1a, 2v 115MHz
BUK9875-100A/CU,115 Nexperia USA Inc. BUK9875-100A/CU, 115 1.0000
RFQ
 ECAD 9112 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PSMN4R2-60PLQ Nexperia USA Inc. PSMN4R2-60PLQ 3.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn4r2 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 130A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 151 NC @ 10 v ± 20V 8533 pf @ 25 v - 263W (TC)
PDTA143ZT,215 Nexperia USA Inc. PDTA143ZT, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA143 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 4.7 Kohms 47 Kohms
BZV55-C3V3,135 Nexperia USA Inc. BZV55-C3V3,135 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C3V3 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
BAV70W/SNX Nexperia USA Inc. bav70w/snx -
RFQ
 ECAD 3179 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 bav70 기준 SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 100 v 175MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C (°)
PMEG3005EJF Nexperia USA Inc. PMEG3005EJF 0.4400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F PMEG3005 Schottky SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 430 mV @ 500 mA 150 µa @ 30 v 150 ° C (°) 500ma 55pf @ 1v, 1MHz
BUK7Y38-100EX Nexperia USA Inc. buk7y38-100ex 1.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y38 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 30A (TC) 10V 29mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 30.9 NC @ 10 v ± 20V 1720 pf @ 25 v - 95W (TC)
PBSS304PZ,135 Nexperia USA Inc. PBSS304PZ, 135 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBSS304 2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 4.5 a 100NA (ICBO) PNP 375MV @ 225MA, 4.5A 150 @ 2a, 2v 130MHz
PZT2222A/ZLX Nexperia USA Inc. PZT2222A/ZLX -
RFQ
 ECAD 4157 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZT2222 1.15 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070722115 귀 99 8541.29.0075 1 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
PBSS5140T,215 Nexperia USA Inc. PBSS5140T, 215 0.4100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS5140 450 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 1 a 100NA PNP 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 100MA, 5V 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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