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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
PMPB29XPE, 115	0.4200	RFQ	14	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	PMPB29	MOSFET (금속 (()		DFN2020MD-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널	20 v	5A (TA)	1.8V, 4.5V	32.5mohm @ 5a, 4.5v	900MV @ 250µA	45 NC @ 4.5 v	± 12V	2970 pf @ 10 v	-	1.7W (TA), 12.5W (TC)
BZV55-B6V8,115	0.2400	RFQ	32	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55-B6V8		500MW	llds; 최소한	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																	900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v							6.8 v	15 옴
BZX84-B7V5-QR	0.0400	RFQ	1981	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-BZX84-B7V5-QRTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		1 µa @ 5 v							7.5 v	15 옴
BUK3F00-50WDFM, 518	-	RFQ	1006	Nexperia USA Inc.	*	쟁반	쓸모없는									-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	935284295518	쓸모없는	0000.00.0000	1
PMEG4010AESBYL	0.3800	RFQ	125	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-xdfn	PMEG4010	Schottky		DSN1006-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)													40 v		505 MV @ 1 a	3.1 ns	1.25 ma @ 40 v	150 ° C (°)	1A	75pf @ 1v, 1MHz
PMDXB950UPEL/S500Z	0.0800	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-xfdfn 노출 패드	PMDXB950	MOSFET (금속 (()	265MW (TA), 4.025W (TC)	DFN1010B-6	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	2156-PMDXB950UPEL/S500Z	귀 99	8541.29.0095	1	2 p 채널 (채널)			20V	500MA (TA)		1.4ohm @ 500ma, 4.5v	950MV @ 250µA	2.1NC @ 4.5V		43pf @ 10V	-
BZT52H-B22-QX	0.0434	RFQ	5700	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.82%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-BZT52H-B22-QXTR	귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		50 NA @ 15.4 v							22 v	25 옴
BAV170-QVL	0.0314	RFQ	2156	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV170	기준		TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1727-BAV170-QVLTR	귀 99	8541.10.0070	10,000		짐												1 음극 음극 공통	75 v	215MA	1.25 V @ 150 mA	3 µs	5 na @ 75 v	150 ° C
BZX58550-C6V2-QX	0.3700	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523			300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		1 µa @ 5 v							6.2 v	10 옴
BZT52H-B43,115	0.2600	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		50 NA @ 30.1 v							43 v	80 옴
PZU4.3B3A-QX	0.3000	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323			320 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.1 v @ 100 ma		3 µa @ 1 v							4.38 v	90 옴
PZT2222A, 135	0.4000	RFQ	31	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	PZT2222		1.15 w	SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	4,000																							40 v	600 MA	10NA (ICBO)			NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	300MHz
PXP015-30QLJ	0.5600	RFQ	14	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		MOSFET (금속 (()		mlpak33	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널	30 v	8A (TA), 24.7A (TC)	4.5V, 10V	15.8mohm @ 8.1a, 10V	2V @ 250µA	36.9 NC @ 10 v	± 25V	1200 pf @ 15 v	-	1.7W (TA), 16W (TC)
BAT74S, 135	0.4000	RFQ	4533	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAT74	Schottky		6-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도												2 독립	30 v	200MA (DC)	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)
pumb24,115	0.0519	RFQ	8138	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	pumb24		300MW	6-TSSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																							50V	20MA	1µA			2 pnp--바이어스 (듀얼)	150mv @ 250µa, 5mA	80 @ 5ma, 5V	-	100kohms	100kohms
PSMN4R8-100BSE, 118	-	RFQ	4258	Nexperia USA Inc.	*	대부분	활동적인					psmn4r8	-			다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	1												-
PDTC124TT, 215	0.1700	RFQ	118	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTC124		250 MW	TO-236AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000																							50 v	100 MA	1µA			npn-사전-	150mv @ 500µa, 10ma	100 @ 1ma, 5V		22 KOHMS
BZX384-C10,115	0.2100	RFQ	22	Nexperia USA Inc.	BZX384	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384		300MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.1 v @ 100 ma		200 na @ 7 v							10 v	20 옴
PMEG060T100CLPEZ	0.7500	RFQ	4	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	PMEG060	Schottky		CFP15B	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1 음극 음극 공통	60 v	5a	690 mV @ 5 a	17 ns	1.8 µa @ 60 v	175 ° C
BZX38450-C8V2-QX	0.2400	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, BZX38450-Q	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX38450		300MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 6.2 v							8.2 v	15 옴
PMEG200G10ELRX	0.3800	RFQ	11	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123W	PMEG200		680 MW	SOD-123W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000																	880 MV @ 1 a		30 na @ 200 v							100 v	200 옴
PSMN2R7-30BL, 118	1.9000	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	psmn2r7	MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널	30 v	100A (TC)	4.5V, 10V	3MOHM @ 25A, 10V	2.15v @ 1ma	66 NC @ 10 v	± 20V	3954 pf @ 15 v	-	170W (TC)
BZX79-B18,113	0.2100	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX79-B18		400MW	ALF2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	900 mV @ 10 ma		50 na @ 12.6 v							18 v	45 옴
BAT85,133	0.4500	RFQ	17	Nexperia USA Inc.	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204Ag, do-34, 축 방향	BAT85	Schottky		DO-34	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도													30 v		800 mv @ 100 ma	4 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
PSMN4R0-40YS, 115	1.3400	RFQ	63	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669	psmn4r0	MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널	40 v	100A (TC)	10V	4.2mohm @ 15a, 10V	4V @ 1MA	38 NC @ 10 v	± 20V	2410 pf @ 20 v	-	106W (TC)
PDZ4.3BGWX	0.2200	RFQ	6708	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, PDZ-GW	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3.6%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	PDZ4.3		365 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.1 v @ 100 ma		3 µa @ 1 v							4.3 v	90 옴
BUK9M11-40EX	0.8900	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드)	BUK9M11	MOSFET (금속 (()		LFPAK33	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널	40 v	53A (TC)	5V, 10V	9mohm @ 15a, 10V	2.1v @ 1ma	13.4 NC @ 5 v	± 10V	1721 pf @ 25 v	-	62W (TC)
BZT52-B22J	0.2400	RFQ	9652	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.82%	-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	표면 표면	SOD-123	BZT52		590 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	900 mV @ 10 ma		50 NA @ 15.4 v							22 v	25 옴
PZU6.8B1A, 115	0.3800	RFQ	899	Nexperia USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	PZU6.8		320 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																	1.1 v @ 100 ma		500 NA @ 3.5 v							6.8 v	20 옴
BZX884-B11,315	0.3900	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-882	BZX884-B11		250 MW	DFN1006-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v							11 v	10 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (9943)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²