SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PMN55ENEX Nexperia USA Inc. PMN55ENEX 0.5300
RFQ
ECAD 270 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN55 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 4.5A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 3.4a, 10V 2.7V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 646 pf @ 30 v - 560MW (TA), 6.25W (TC)
PZU11B2,115 Nexperia USA Inc. PZU11B2,115 0.2500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU11 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 8 v 11 v 10 옴
PZU7.5B,115 Nexperia USA Inc. PZU7.5B, 115 0.2200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU7.5 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 4 v 7.5 v 10 옴
PDZ5.6BGW115 Nexperia USA Inc. PDZ5.6BGW115 -
RFQ
ECAD 8376 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
BC817K-40HVL Nexperia USA Inc. BC817K-40HVL 0.2800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 350 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
BC817-40/SNR Nexperia USA Inc. BC817-40/SNR -
RFQ
ECAD 5111 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934660332215 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
BC846S/DG/B2,115 Nexperia USA Inc. BC846S/DG/B2,115 -
RFQ
ECAD 4864 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934062454115 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PSMN1R6-30PL,127 Nexperia USA Inc. PSMN1R6-30PL, 127 -
RFQ
ECAD 4315 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 25a, 10V 2.15v @ 1ma 212 NC @ 10 v ± 20V 12493 pf @ 12 v - 306W (TC)
PMN70XPE,115 Nexperia USA Inc. PMN70XPE, 115 -
RFQ
ECAD 1870 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.2A (TA) 2.5V, 4.5V 85mohm @ 2a, 4.5v 1.25V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 v ± 12V 602 pf @ 10 v - 500MW (TA), 6.25W (TC)
BUK7Y38-100EX Nexperia USA Inc. buk7y38-100ex 1.0300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y38 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 30A (TC) 10V 29mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 30.9 NC @ 10 v ± 20V 1720 pf @ 25 v - 95W (TC)
PSMN4R2-60PLQ Nexperia USA Inc. PSMN4R2-60PLQ 3.1500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn4r2 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 130A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 151 NC @ 10 v ± 20V 8533 pf @ 25 v - 263W (TC)
PDTA124EU,135 Nexperia USA Inc. PDTA124EU, 135 0.1900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTA124 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V 22 KOHMS 22 KOHMS
PBSM5240PFH,115 Nexperia USA Inc. PBSM5240pfh, 115 0.1448
RFQ
ECAD 4390 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 40V PNP, 30V N- 채널 범용 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 PBSM5240 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 1.8A PNP, 660MA N- 채널 PNP, N-,
BC850B,235 Nexperia USA Inc. BC850B, 235 0.2200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC850 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BUK9Y19-75B,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y19-75B, 115 1.4200
RFQ
ECAD 5408 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y19 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 75 v 48.2A (TC) 5V, 10V 18mohm @ 20a, 10V 2.15v @ 1ma 30 nc @ 5 v ± 15V 3096 pf @ 25 v - 106W (TC)
BZX79-C5V1,113 Nexperia USA Inc. BZX79-C5V1,113 0.1600
RFQ
ECAD 114 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C5V1 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
PBSS4360ZX Nexperia USA Inc. PBSS4360ZX 0.4400
RFQ
ECAD 70 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBSS4360 650 MW SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 60 v 3 a 100NA NPN 400mv @ 300ma, 3a 200 @ 50ma, 5V 145MHz
BC856BS/DG/B2,115 Nexperia USA Inc. BC856BS/DG/B2,115 -
RFQ
ECAD 6572 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934064145115 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC857BQB-QZ Nexperia USA Inc. BC857BQB-QZ 0.0381
RFQ
ECAD 8471 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC857 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
PMP5501QASZ Nexperia USA Inc. PMP5501QASZ 0.4300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 PMP5501 350MW DFN1010B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 45V 100ma - 2 NPN (() - - -
PMBF170,235 Nexperia USA Inc. PMBF170,235 0.3900
RFQ
ECAD 86 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBF170 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 10 v - 830MW (TC)
PDTA114YQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTA114YQB-QZ 0.2900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 PDTA114 340 MW DFN1110D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 MA 100NA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 180MHz 10 KOHMS 47 Kohms
BZV55-C33,135 Nexperia USA Inc. BZV55-C33,135 0.2100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-C33 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 80 옴
BC806-25WX Nexperia USA Inc. BC806-25WX 0.2100
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC806 500MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 155MHz
PMBT5551,215 Nexperia USA Inc. PMBT5551,215 0.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT5551 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 160 v 300 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
BZB84-B3V6,215 Nexperia USA Inc. BZB84-B3V6,215 0.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-B3V6 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
PBSS9410PA,115 Nexperia USA Inc. PBSS9410PA, 115 0.4600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn PBSS9410 2.1 w 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 100 v 2.7 a 100NA PNP 450MV @ 135MA, 2.7A 170 @ 1a, 2v 115MHz
PDTC114TT,215 Nexperia USA Inc. PDTC114TT, 215 0.1700
RFQ
ECAD 152 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
PDTA143ZT,215 Nexperia USA Inc. PDTA143ZT, 215 0.1700
RFQ
ECAD 81 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA143 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 10ma, 5V 4.7 Kohms 47 Kohms
PBSS5140T,215 Nexperia USA Inc. PBSS5140T, 215 0.4100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS5140 450 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 1 a 100NA PNP 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 100MA, 5V 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고