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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PZU27BA-QX Nexperia USA Inc. PZU27BA-QX 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 µa @ 21 v 27 v 40
BUK9Y30-75B/C2,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y30-75B/C2,115 -
RFQ
 ECAD 8116 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065435115 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 75 v 34A 28mohm @ 15a, 10V 2V @ 1mA 19 NC @ 5 v 2070 pf @ 25 v -
BZX8850S-C3V3YL Nexperia USA Inc. BZX8850S-C3V3YL 0.3500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 7.5 µa @ 1.5 v 3.3 v 100 옴
BC846BQCZ Nexperia USA Inc. BC846BQCZ 0.2500
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC846XQC 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 3-xdfn d 패드 BC846 360 MW DFN1412D-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BZX84-A18,235 Nexperia USA Inc. BZX84-A18,235 0.5100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-A18 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 700 mV 18 v 45 옴
BZX38450-C5V1F Nexperia USA Inc. BZX38450-C5V1F 0.2300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX38450 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3 v 5.1 v 60 옴
BZT52H-B15,115 Nexperia USA Inc. BZT52H-B15,115 0.2300
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 15 옴
BZX8450-C3V0-QR Nexperia USA Inc. BZX8450-C3V0-QR 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX8450-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX8450 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 800 na @ 1 v 3 v 100 옴
PDTC114YT-QR Nexperia USA Inc. PDTC114YT-QR 0.0324
RFQ
 ECAD 6478 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PDTC114YT-QRTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 230MHz 10 KOHMS 47 Kohms
PMPB15XN,115 Nexperia USA Inc. PMPB15XN, 115 0.1441
RFQ
 ECAD 1249 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB15 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 7.3A (TA) 1.8V, 4.5V 21mohm @ 7.3a, 4.5v 900MV @ 250µA 20.2 NC @ 4.5 v ± 12V 1240 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BZX84-C3V6-QR Nexperia USA Inc. BZX84-C3V6-QR 0.0319
RFQ
 ECAD 3646 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84-C3V6-QRTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
BUK7E2R3-40C,127 Nexperia USA Inc. BUK7E2R3-40C, 127 -
RFQ
 ECAD 7830 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 175 NC @ 10 v ± 20V 11323 pf @ 25 v - 333W (TC)
SZMM3Z13VT1GX Nexperia USA Inc. szmm3z13vt1gx 0.2700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 10 v 13 v 10 옴
BZB84-C9V1,215 Nexperia USA Inc. BZB84-C9V1,215 0.0469
RFQ
 ECAD 4050 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-C9V1 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
PDZ36BF Nexperia USA Inc. PDZ36BF 0.2100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ36 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 27 v 35.97 v 60 옴
PMEG4002EL-QYL Nexperia USA Inc. PMEG4002EL-QYL 0.0319
RFQ
 ECAD 4183 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-882 Schottky DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-PMEG4002EL-QYLTR 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 600 mv @ 200 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C 200ma 20pf @ 1v, 1MHz
PUMH17,115 Nexperia USA Inc. PUMH17,115 0.2900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMH17 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 (듀얼) 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V - 47kohms 22kohms
BZV55-B27,115 Nexperia USA Inc. BZV55-B27,115 0.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55-B27 500MW llds; 최소한 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
BC817-25W-QF Nexperia USA Inc. BC817-25W-QF 0.0269
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BC817W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
PDZ7.5BGWX Nexperia USA Inc. PDZ7.5BGWX 0.2200
RFQ
 ECAD 9643 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, PDZ-GW 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.13% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 PDZ7.5 365 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 4 v 7.5 v 10 옴
PZU18B,115 Nexperia USA Inc. PZU18B, 115 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZU18 310 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 13 v 18 v 20 옴
PMPB12R7EPX Nexperia USA Inc. pmpb12r7epx 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB12 MOSFET (금속 (() DFN2020M-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 8.7A (TA) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 8.7a, 10V 2.5V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1638 pf @ 15 v - 1.9W (TA), 12.5W (TC)
BUK7675-55A,118 Nexperia USA Inc. BUK7675-55A, 118 1.2000
RFQ
 ECAD 2386 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK7675 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 20.3A (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 483 pf @ 25 v - 62W (TC)
NX138BKWX Nexperia USA Inc. NX138BKWX 0.2400
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 NX138 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 210MA (TA) 2.5V, 10V 3.5ohm @ 200ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.7 nc @ 10 v ± 20V 20 pf @ 30 v - 266MW (TA), 1.33W (TC)
BST82,235 Nexperia USA Inc. BST82,235 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BST82 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 100 v 190ma (TA) 5V 10ohm @ 150ma, 5V 2V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 10 v - 830MW (TC)
PMST5550,135 Nexperia USA Inc. PMST5550,135 0.0426
RFQ
 ECAD 5846 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMST5550 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 140 v 300 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
BZX84W-B30-QF Nexperia USA Inc. BZX84W-B30-QF 0.0312
RFQ
 ECAD 7665 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84W-Q 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84W 275 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZX84W-B30-QFTR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
PMV40UN2R Nexperia USA Inc. pmv40un2r 0.4900
RFQ
 ECAD 494 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv40un2 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 3.7A (TA) 1.8V, 4.5V 44mohm @ 3.7a, 4.5v 900MV @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 12V 635 pf @ 15 v - 490MW (TA)
PDZ3.0B,115 Nexperia USA Inc. PDZ3.0B, 115 0.2100
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 PDZ3.0 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
NZX13C,133 Nexperia USA Inc. NZX13C, 133 0.0263
RFQ
 ECAD 9981 0.00000000 Nexperia USA Inc. NZX 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 NZX13 500MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 8 v 13.15 v 35 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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