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불연속 불연속 제품 (9943)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BC846BPN/ZLX Nexperia USA Inc. BC846BPN/ZLX -
RFQ
 ECAD 7363 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PMBD6050,235 Nexperia USA Inc. PMBD6050,235 0.1900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBD6050 기준 TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 70 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 50 v 150 ° C (°) 215MA 1.5pf @ 0v, 1MHz
PDZ6.8BGWX Nexperia USA Inc. PDZ6.8BGWX 0.2200
RFQ
 ECAD 9860 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, PDZ-GW 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 PDZ6.8 365 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 40
NX6020CAKSAX Nexperia USA Inc. NX6020CAKSAX 0.0733
RFQ
 ECAD 7342 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NX6020 MOSFET (금속 (() 220MW, 280MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-nx6020caksaxtr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 60V, 50V 170ma (TA), 160ma (TA) 4.5ohm @ 100ma, 10v, 7.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.43NC @ 4.5V, 0.35NC @ 5V 17pf @ 10v, 36pf @ 25v -
BAS321,135 Nexperia USA Inc. BAS321,135 0.1900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAS321 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C (°) 250ma 2pf @ 0V, 1MHz
MMBTA42,215 Nexperia USA Inc. MMBTA42,215 0.2400
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA42 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
PZTA92,115 Nexperia USA Inc. PZTA92,115 0.5200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZTA92 1.2 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 300 v 100 MA 20NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 25 @ 30MA, 10V 50MHz
BZX384-C3V6,115 Nexperia USA Inc. BZX384-C3V6,115 0.2100
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
PMEG60T10ELPX Nexperia USA Inc. PMEG60T10ELPX 0.4300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 PMEG60 Schottky SOD-128/CFP5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 590 mV @ 1 a 9 ns 800 na @ 60 v 175 ° C (°) 1A 280pf @ 1v, 1MHz
BUK965R8-100E,118 Nexperia USA Inc. BUK965R8-100E, 118 3.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK965 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 120A (TC) 5V 5.8mohm @ 25a, 5V 2.1v @ 1ma 133 NC @ 5 v ± 10V 17460 pf @ 25 v - 357W (TC)
BAT854W,115 Nexperia USA Inc. BAT854W, 115 0.3400
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAT854 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 550 mV @ 100 ma 500 na @ 25 v 150 ° C (°) 200ma 20pf @ 1v, 1MHz
BZX79-C68,113 Nexperia USA Inc. BZX79-C68,113 0.1300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX79-C68 400MW ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. GAN063-650WSAQ 21.9100
RFQ
 ECAD 473 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 GAN063 Ganfet ((코드 코드 갈륨 질화물 질화물 Fet) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 34.5A (TA) 10V 60mohm @ 25a, 10V 4.5V @ 1mA 15 nc @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 400 v - 143W (TA)
PDTC115ET,215 Nexperia USA Inc. PDTC115ET, 215 0.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC115 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 20 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 250µa, 5mA 80 @ 5ma, 5V 100 KOHMS 100 KOHMS
BUK7Y153-100EX Nexperia USA Inc. BUK7Y153-100EX 0.6700
RFQ
 ECAD 257 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 BUK7Y153 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 9.4A (TC) 10V 153mohm @ 2a, 10V 4V @ 1MA 9.4 NC @ 10 v ± 20V 497 pf @ 25 v - 37.3W (TC)
PDTC144WMB,315 Nexperia USA Inc. PDTC144WMB, 315 0.0361
RFQ
 ECAD 8141 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-xfdfn PDTC144 250 MW DFN1006B-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 60 @ 5MA, 5V 230MHz 47 Kohms 22 KOHMS
PHPT60406NYX Nexperia USA Inc. PHPT60406NYX 0.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PHPT60406 1.35 w LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500 40 v 6 a 100NA NPN 380mv @ 300ma, 6a 230 @ 500ma, 2V 153MHz
PMEG4010EH,115 Nexperia USA Inc. PMEG4010EH, 115 0.3700
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F PMEG4010 Schottky SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 640 mV @ 1 a 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A 50pf @ 1v, 1MHz
PBSS5560PA,115 Nexperia USA Inc. PBSS5560PA, 115 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-powerudfn PBSS5560 2.1 w 3- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 60 v 5 a 100NA PNP 450MV @ 250MA, 5A 150 @ 2a, 2v 90MHz
PBHV8540Z,115 Nexperia USA Inc. PBHV8540Z, 115 0.5600
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBHV8540 1.4 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 400 v 500 MA 100NA NPN 250mv @ 60ma, 300ma 10 @ 300ma, 10V 30MHz
PSMN4R4-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN4R4-80BS, 118 3.2000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn4r4 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 100A (TC) 10V 4.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 125 nc @ 10 v ± 20V 8400 pf @ 40 v - 306W (TC)
PBSS5480XZ Nexperia USA Inc. PBSS5480XZ 0.1660
RFQ
 ECAD 1119 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBSS5480 SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934058211146 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 4 a 100NA PNP 380mv @ 500ma, 5a 200 @ 500ma, 2v 100MHz
1N4448,133 Nexperia USA Inc. 1N4448,133 -
RFQ
 ECAD 7419 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 컷 컷 (CT) sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4448 기준 ALF2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 v @ 100 ma 4 ns 25 na @ 20 v 200 ° C (() 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
PMP5201Y,135 Nexperia USA Inc. PMP5201Y, 135 0.5000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMP5201 300MW 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 pnp (() 일치하는 쌍 쌍 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 175MHz
BZV85-C20,113 Nexperia USA Inc. BZV85-C20,113 0.3900
RFQ
 ECAD 1394 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZV85-C20 1.3 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 50 ma 50 na @ 14 v 20 v 24 옴
BC857BM,315 Nexperia USA Inc. BC857BM, 315 0.2400
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BC857 150 MW SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 100ma 220 @ 2MA, 5V 100MHz
PDTC114TT,235 Nexperia USA Inc. PDTC114TT, 235 0.1700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC114 250 MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 200 @ 1ma, 5V 10 KOHMS
PUMB17/ZL115 Nexperia USA Inc. pumb17/zl115 0.0400
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 pumb17 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
BZT52-C11J Nexperia USA Inc. BZT52-C11J 0.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 10 옴
PDTA124EQA Nexperia USA Inc. PDTA124EQA -
RFQ
 ECAD 4041 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTA124 다운로드 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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